MOS管主要參數(shù).pdf

《MOS管主要參數(shù).pdf》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫(kù)。

1、MOS管主要參數(shù)1.開(kāi)啟電壓VT·開(kāi)啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開(kāi)始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V；·通過(guò)工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2～3V。2.直流輸入電阻RGS·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比·這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示·MOS管的RGS可以很容易地超過(guò)1010Ω。3.漏源擊穿電壓BVDS·在VGS=0（增強(qiáng)型）的條件下，在增加漏源電壓過(guò)程中使ID開(kāi)始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS·ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿（2）漏源極間的穿通擊穿·有些MO

2、S管中，其溝道長(zhǎng)度較短，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)，使溝道長(zhǎng)度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引，到達(dá)漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID4.柵源擊穿電壓BVGS·在增加?xùn)旁措妷哼^(guò)程中，使柵極電流IG由零開(kāi)始劇增時(shí)的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。5.低頻跨導(dǎo)gm·在VDS為某一固定數(shù)值的條件下，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)·gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力·是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)·一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)6.導(dǎo)通電阻RON·導(dǎo)通電阻RON說(shuō)明了VDS對(duì)ID的影響

3、，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)·在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間·由于在數(shù)字電路中，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來(lái)近似·對(duì)一般的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)7.極間電容·三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS、柵漏電容CGD和漏源電容CDS·CGS和CGD約為1～3pF·CDS約在0.1～1pF之間8.低頻噪聲系數(shù)NF·噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的·由于它的存在，就使一個(gè)放大器即便在沒(méi)有信號(hào)輸人時(shí)，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流

4、變化·噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來(lái)表示，它的單位為分貝（dB）·這個(gè)數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小·低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù)·場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝，它比雙極性三極管的要小