晶體管的開關(guān)特性.ppt

《晶體管的開關(guān)特性.ppt》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫。

1、晶體管的頻率特性理學(xué)院§4.3晶體管的開關(guān)特性一、晶體管的開關(guān)作用二、晶體管的開關(guān)過程三、提高開關(guān)晶體管開關(guān)速度的途徑一、晶體管的開關(guān)作用1.晶體管的開關(guān)作用1.開關(guān)管的要求：?Vces越小越好，最好→0?Iceo越小越好，最好→0?BVceo高（使用范圍大）?開關(guān)時間短?導(dǎo)通?截止2.晶體管的開關(guān)區(qū)域3.截止區(qū)和飽和區(qū)的少子分布?截止區(qū)Vbe<0(A)Vbc<0Vbe=0(B)Vbc<0Iceo?飽和區(qū)（1）飽和的原因定義：臨界飽和狀態(tài)放大區(qū)?飽和區(qū)（2）少子分布線性放大狀態(tài)臨界飽和狀態(tài)飽和狀態(tài)（

2、超量儲存電荷）（3）電流傳輸過驅(qū)動電流定義飽和深度二、晶體管的開關(guān)過程二、晶體管的開關(guān)過程二、晶體管的開關(guān)過程中的少子分布1、延遲時間td縮短延遲時間td的方法：?減小發(fā)射結(jié)勢壘電容?減小集電結(jié)勢壘電容?增大基極注入電流，使勢壘電容充電進(jìn)程加快?減小反向脈沖幅度2、上升時間tr2、上升階段基區(qū)少子分布0????ECB請注意這是在線性區(qū)階段的少子分布圖縮短上升時間tr的方法：?減小發(fā)射結(jié)勢壘電容?減小集電結(jié)勢壘電容?增大基極注入電流，但要注意深飽和?增大基區(qū)少子壽命，減小基區(qū)復(fù)合電流3、存儲時間ts抽

3、取基區(qū)和集電區(qū)超量儲存電荷減小存儲時間的途徑：①減小基極驅(qū)動電流②增大基極抽取電流③縮短基區(qū)電子壽命和集電區(qū)空穴壽命4、下降時間tf減小下降時間的途徑：①減小發(fā)射結(jié)和集電結(jié)勢壘電容②增大基極抽取電流③縮短基區(qū)電子壽命和集電區(qū)空穴壽命三、提高開關(guān)晶體管開關(guān)速度的途徑1、從晶體管內(nèi)部考慮①摻金，減小飽和時超量存儲電荷，加速集區(qū)復(fù)合②減小結(jié)面積③減小基區(qū)寬度，降低tr和tf2、從晶體管外部考慮①加大IB，縮短td和tr，但避免過大使飽和深度S過大③工作在臨界飽和狀態(tài)②加大，縮短td和tr，但避免過大使飽和

4、深度S過大