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《關(guān)于MOS值提升的參數(shù)小結(jié)(內(nèi)部)(精).doc》由會(huì)員上傳分享,免費(fèi)在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫(kù)。
1、.word格式.關(guān)于MOS值提升的參數(shù)小結(jié)(內(nèi)部)(王姬云)2009年7月1日.專(zhuān)業(yè).專(zhuān)注..word格式.1、概述MOS值的影響因素主要有良好的無(wú)線環(huán)境、合理的覆蓋(強(qiáng)主導(dǎo)小區(qū))、合理的相鄰關(guān)系、掉話率、以及參數(shù)的設(shè)置。本文主要總結(jié)了功控參數(shù)對(duì)MOS值的影響及測(cè)試結(jié)果。2、涉及的參數(shù)一共涉及4個(gè)Class3參數(shù)的修改(這4個(gè)參數(shù)可以在任意時(shí)段進(jìn)行修改而不會(huì)對(duì)小區(qū)內(nèi)的業(yè)務(wù)產(chǎn)生任何影響):ULAMRBLERTarget:上行AMR業(yè)務(wù)的目標(biāo)誤塊率,建議值:-3.0,整體提升MOS值;DLAMRBLERTarget:下行AMR業(yè)務(wù)的目標(biāo)誤塊率,建議值:-3.0,整體提升MOS值
2、;CS_AMR_NBminSirTarget:上行AMR業(yè)務(wù)最小SIR目標(biāo)門(mén)限,建議值:4,提升信號(hào)較好區(qū)域的MOS值。(在改動(dòng)這個(gè)參數(shù)時(shí),請(qǐng)同時(shí)把CS_AMR_NBminSirTargetHSDPA改成相同數(shù)值);CS_AMR_NBmaxDlTxPowerPerOls:下行AMR業(yè)務(wù)最大業(yè)務(wù)信道發(fā)射功率,建議值:4.0,提升信號(hào)較差區(qū)域的MOS值。3、參數(shù)路徑和修改方法ULAMRBLERTarget:.專(zhuān)業(yè).專(zhuān)注..word格式.blerTarget改成-3.0即是0.1%.(-2.0代表1%;-2.3代表0.5%;-3.0代表0.1%)RadioAccessServic
3、e/UlRbSetConf/CS_AMR_NBDynamicParameterPerDCH/0BlerQulityList/0RadioAccessService/UlRbSetConf/CS_AMR_NBDynamicParameterPerDCH/0BlerQulityList/1RadioAccessService/UlRbSetConf/CS_AMR_NBDynamicParameterPerDCH/0BlerQulityList/2RadioAccessService/UlRbSetConf/CS_AMR_NBDynamicParameterPerDCH/1Ble
4、rQulityList/0RadioAccessService/UlRbSetConf/CS_AMR_NBDynamicParameterPerDCH/1BlerQulityList/1RadioAccessService/UlRbSetConf/CS_AMR_NBDynamicParameterPerDCH/1BlerQulityList/2RadioAccessService/UlRbSetConf/CS_AMR_NBDynamicParameterPerDCH/2BlerQulityList/0RadioAccessService/UlRbSetConf/CS_AMR
5、_NBDynamicParameterPerDCH/2BlerQulityList/1RadioAccessService/UlRbSetConf/CS_AMR_NBDynamicParameterPerDCH/2BlerQulityList/29個(gè)節(jié)點(diǎn)下的BlerTarget都要一起改。DLAMRBLERTarget:blerTarget改成-3.0即是0.1%.(-2.0代表1%;-2.3代表0.5%;-3.0代表0.1%)RadioAccessService/DlRbSetConf/CS_AMR_NBDlQulityList/0RadioAccessService/D
6、lRbSetConf/CS_AMR_NBDlQulityList/1RadioAccessService/DlRbSetConf/CS_AMR_NBDlQulityList/23個(gè)節(jié)點(diǎn)下的blerTarget都要改。.專(zhuān)業(yè).專(zhuān)注..word格式.CS_AMR_NBminSirTarget:RadioAccessService/DedicatedConf/PowerConfClass/0UlUsPowerConf/CS_AMR_NBxSRB_3_4KMinSirTraget0(默認(rèn)值)->4CS_AMR_NBmaxDlTxPowerPerOls:RadioAccessServ
7、ice/DedicatedConf/PowerConfClass/0DlUsPowerConf/CS_AMR_NBxSRB_3_4KmaxDlTxPowerPerOls3個(gè)1.0(默認(rèn)值)都改成4.01、參數(shù)修改效果:I.測(cè)試概況參數(shù)修改測(cè)試共分7個(gè)階段驗(yàn):第1、2、3階段為blertarget修改成-2.3(對(duì)應(yīng)0.5%)后進(jìn)行了0.5h、2h、2.5h的MOS平均分測(cè)試,結(jié)果分別是3.31、3.46、3.17;第4、5、6階段為blertarget修改成-3.0(對(duì)應(yīng)0.1%)后進(jìn)行2h、黃巖全區(qū)測(cè)試、椒黃路中