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《應(yīng)達(dá)中頻爐原理.ppt》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫。
1、INDUCTOTHERM應(yīng)達(dá)公司及產(chǎn)品介紹INDUCTOTHERM感應(yīng)熔化系統(tǒng)的發(fā)展演變INDUCTOTHERMINDUCTOTHERM感應(yīng)熔化系統(tǒng)的基本結(jié)構(gòu)整流部分交流電經(jīng)過整流變成直流電，直流能量被儲存逆變部分直流電經(jīng)過逆變器變成所要求頻率的交流電爐體部分交流電供給爐體部分恒定的直流電流在直流部分流動交流電整流變成直流電，直流能量儲存在電抗器中爐體線圈和電容器并聯(lián)連接INDUCTOTHERM電流反饋并聯(lián)逆變器恒定的直流電壓供給逆變器交流電經(jīng)過整流變成直流電，直流能量儲存在電容器中爐體線圈和電容器串聯(lián)連接INDUCTOTH
2、ERM電壓反饋串聯(lián)逆變器INDUCTOTHERM能量儲存電流反饋逆變器整流部分直流電抗器短接回路逆變器電容器爐體線圈啟動回路直流能量儲存在電抗器中，是一種動能這種能量形式類似于飛輪停止的飛輪是沒有動能的，除非消耗能量讓它轉(zhuǎn)動要想讓它停下來也必須消耗能量$$$INDUCTOTHERM能量儲存電壓反饋逆變器整流部分濾波電容器逆變器爐體線圈直流能量儲存在電容器中，是一種勢能，當(dāng)電源合閘時電容器立即被充電電容器INDUCTOTHERM并聯(lián)連接線路串聯(lián)連接線路INDUCTOTHERMCONTROLLABILITY電流反饋并聯(lián)逆變器70
3、--80%的線圈電流在感應(yīng)線圈和電容器之間流動，這部分線圈電流是不可控的只有20--30%的線圈電流流過可控硅 逆變器只能控制20—30%的線圈電流70–80%20–30%INDUCTOTHERMCONTROLLABILITY電流反饋并聯(lián)逆變器V1V1V1并聯(lián)線路中，感應(yīng)線圈、電容器、逆變器上的電壓是相同的為了調(diào)節(jié)0---70~80%的功率，必須通過改變直流電壓來改變功率V2V2V2DCV1DCV2INDUCTOTHERM可控制性電流反饋并聯(lián)逆變器12341.啟動逆變器4.短接回路用于直流能量通過電抗器釋放3.通過改變整流橋
4、的移相角改變直流電壓來控制70–80%功率2.逆變器控制20%--30%的線圈電流電流反饋并聯(lián)逆變器有4個控制點INDUCTOTHERM可控制性電壓反饋串聯(lián)逆變器在串聯(lián)線路中100%的線圈電流流過逆變器，逆變器可完全控制電流的變化100%INDUCTOTHERM可控制性電壓反饋串聯(lián)逆變器串聯(lián)線路中感應(yīng)線圈和電容器串聯(lián)連結(jié)起到分壓作用逆變器上的壓降V2只占感應(yīng)線圈電壓V1的20%--30%V1V2INDUCTOTHERM可控制性電壓反饋串聯(lián)逆變器1逆變器控制簡單、可靠、反應(yīng)速度快電壓反饋串聯(lián)逆變器只有一個控制點INDUCTOT
5、HERM可控硅是由其KVA來定義的–電流X電壓可控硅是一種電流控制器件由于過電壓而損壞可控硅的幾率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于由于過電流損壞可控硅的幾率INDUCTOTHERM可控硅是由KVA值–電流X電壓來定義的并聯(lián)線路中可控硅處于高電壓小電流的工作狀態(tài)在串聯(lián)線路中可控硅處于低電壓大電流的工作狀態(tài)INDUCTOTHERM功率線圈電壓逆變電壓TIME0MAXIMUM逆變電流線圈電流TIME0MAXIMUM串聯(lián)線路并聯(lián)線路?INDUCTOTHERM感應(yīng)電流每一個料塊表面產(chǎn)生感應(yīng)電流二次回路的感應(yīng)電流每一個接觸點都具有高的電阻值INDUCTOTHE
6、RM熔化效率留量熔煉和批量熔煉100908070熔化效率%TIME頻率改變的影響INDUCTOTHERM100Hz200Hz500Hz1000Hz50Hz1000kW4Tonne1000kW4Tonne1000kW4Tonne1000kW4Tonne1000kW4Tonne1250kW4Tonne2000kW4Tonne3000kW4Tonne4000kW4Tonne1000kW3Tonne1000kW2Tonne1000kW1.5Tonne1000kW1Tonne提高頻率增大功率減小爐體容量INVERTERTECHNOLO
7、GYINDUCTOTHERMINDUCTOTHERMIGBT-SCR每個IGBT需要兩個觸發(fā)模塊一個控制開通，一個控制關(guān)斷INDUCTOTHERMIGBT-SCRINDUCTOTHERMIGBTINDUCTOTHERMIGBT-SCR功率Power-Trak其他額定容量可控硅數(shù)量/觸發(fā)電路IGBT數(shù)量/觸發(fā)電路1,000228161,5004412242,0006616322,5008820403,000882448功率Dual-Trak其他額定容量可控硅數(shù)量/觸發(fā)電路IGBT數(shù)量/觸發(fā)電路1,0004416241,5008
8、824482,000121232642,500161640803,00016164896INDUCTOTHERM逆變開關(guān)器件可控硅60Hz--10kHz熔化加熱高頻加熱MOSFET30kHz--1MGHz能量儲存量頻率IGBT3kHz--50kHzINDUCTOTHERM短路保護(hù)INDUC
