EBL基本組成及工作原理.ppt

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1、宋晨之20150202EBL基本結(jié)構(gòu)與工作原理EBL=ElectronBeamLithography=電子束光刻一、電子束曝光系統(tǒng)結(jié)構(gòu)column電子源的分類直熱式W，2700K熱發(fā)射電子源旁熱式LaB6，1800K電子源熱場發(fā)射ZrO/W，1800K場發(fā)射電子源冷場發(fā)射四種電子源對比電子源三個關(guān)鍵參數(shù)：有效源尺寸，亮度，電子能量分布熱發(fā)射源能量分布大，聚焦斑束大，產(chǎn)生嚴(yán)重相差。冷場致發(fā)射穩(wěn)定性差，對真空要求高。故EBL系統(tǒng)選用熱場致發(fā)射源。旁熱式&熱場致電子源結(jié)構(gòu)示意圖陽地超高電場陰陰陽EBL中電子源結(jié)構(gòu)示意圖幾個牌子的EBL性能參數(shù)二次電子探測器DetectorIl

2、lustrationswithdifferentsignalsourcesImagingbymeansofSE2detector:>5mmWDImagingbymeansofInlensdetector:<=10mmWD(dependingonhighvoltagesetting)ImagingbymeansofBSEdetector:8-10mm(OptimumoftheBSelectrondetection)InfluenceofAccelerationVoltageInfluenceofBeamCurrentInfluenceofWorkingDistance二、

3、坐標(biāo)系的對準(zhǔn)建立坐標(biāo)系寫場對準(zhǔn)三、曝光掃描模式ExposureparameterAreadoseLinedoseDotdoesAreamodeLinemodeCirclemodeExposurestrategiesUsedbyRaith四、臨近效應(yīng)VisualizationofEnergyDepositionGrid(EDG)高能電子打斷PMMA內(nèi)高分子鏈?zhǔn)疽鈭D前散射和背散射隨PMMA厚度的變化關(guān)系MonteCarloSimulationsEnergydepositionProximityfunctiontrajectoriesenergydepositionenerg

4、ydistributiondoubleGaussianProximityfunctionproximityfunctionhasthesameshapeasenergydistributionwithrespecttolateraldistancesbut:nodirectrelationbetweenenergyandPE!(it’sjustamodel)Influenceofbeamenergyonscattering互利才能共贏！Thankyou！