帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì).pdf

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1、電子科技2006年第5期(總第200期)-65×10/℃的帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)1121宋志強(qiáng),吳玉廣,李冬林,肖本(1.西安電子科技大學(xué)微電子所,陜西西安710071;2.北京大學(xué)微電子所,北京100871)摘要在傳統(tǒng)一級(jí)溫度補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)電路的基礎(chǔ)上,對(duì)電路進(jìn)行了改進(jìn),實(shí)現(xiàn)二級(jí)溫度補(bǔ)償,該電路可以-6在-40~115℃范圍內(nèi),達(dá)到平均低于5×10/℃的溫度系數(shù)。整個(gè)電路采用Chartered0.35μmCMOS工藝實(shí)現(xiàn),使用Hspice仿真器進(jìn)行仿真。仿真結(jié)果證明此基準(zhǔn)電壓源具有很低的溫度系數(shù)。關(guān)鍵詞帶隙基準(zhǔn)源;CMOS;溫度系數(shù);PTAT;溫度補(bǔ)償中圖分類號(hào)TN

2、710-6DesignofanA5×10/℃BandgapVoltageReference1121SongZhiqiang,WuYuguang,LiDonglin,XiaoBen(1MicroelectronicsInstitute,XidianUniversity,Xi′an710071,China;2.MicroelectronicsInstituteofUniversity,Beijing100871,China)AbstractThedesignofa2ndordertemperaturecompensationbandgapreferencecircu

3、itbasedontheconventional1stordertemperaturecompensationbandgapreferencecircuitisdescribed.Thiscircuithasanaverage-6temperaturecoefficientoflessthan5×10perdegreeatthetemperaturefrom-40℃to115℃.ThebandgapreferenceisimplementedinastandardChartereddual-gate0.35μmCMOSprocess.Simulationresu

4、ltsusingHspicetoolsshowthatthecircuithasalowtemperaturecoefficient.KeywordsBandgapreference;CMOS;temperaturecoefficient;PTAT;temperaturecompensation1引言度對(duì)輸出電壓的影響。2.1負(fù)溫度系數(shù)電壓的產(chǎn)生在高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)和數(shù)模轉(zhuǎn)換器雙極晶體管的基極-發(fā)射極電壓,或者更一般的(DAC)中,一般需要低溫度系數(shù)的電壓基準(zhǔn)源。說(shuō),pn結(jié)二極管的正向電壓具有負(fù)溫度系數(shù)。從文現(xiàn)在應(yīng)用最多的是帶隙基準(zhǔn)源,傳統(tǒng)采用一級(jí)溫度獻(xiàn)

5、[2]中可以得到V與溫度的關(guān)系式:BE補(bǔ)償?shù)膸痘鶞?zhǔn)源在對(duì)電壓基準(zhǔn)源要求更高(比如TT溫度系數(shù)小于10×10-6/℃)的時(shí)候,不能滿足要求。VTVVVBE()=??BG(BGBE0)??(ηα)lnVT(1)TT00筆者提出的二級(jí)溫度補(bǔ)償?shù)膸痘鶞?zhǔn)電路可以得到在式(1)中η是跟三極管的結(jié)構(gòu)有關(guān)的量,它的值很低溫度系數(shù)的電壓源。大約為4。α是跟流過(guò)三極管的電流有關(guān)的一個(gè)量,當(dāng)PTAT電流流過(guò)三極管時(shí)α為1;當(dāng)與溫度不相關(guān)2帶隙基準(zhǔn)的基本原理的電流流過(guò)三極管時(shí)α為0。T0為參考電壓,VBG為如果將兩個(gè)具有相反溫度系數(shù)的量以適當(dāng)?shù)臋?quán)硅的帶隙電壓。由式(1)可以看出V是

6、一個(gè)具有BE重相加,那么結(jié)果就會(huì)顯示出很小的溫度系數(shù),甚負(fù)溫度系數(shù)的電壓。至是零溫度系數(shù)。帶隙基準(zhǔn)就是將一個(gè)負(fù)溫度系數(shù)2.2正溫度系數(shù)電壓的產(chǎn)生的電壓和一個(gè)正溫度系數(shù)的電壓加權(quán)相加來(lái)抵消溫兩個(gè)三極管工作在不同的電流密度下,它們的基極-發(fā)射極電壓的差值與絕對(duì)溫度成正比。如圖1所收稿日期:2005-09-15示,如果兩個(gè)同樣的三極管(IS1=IS2),偏置的集電極作者簡(jiǎn)介:宋志強(qiáng)(1979—),男,碩士研究生。研究方向:模擬集成電路設(shè)計(jì)。電流分別為nI0和I0并忽略它們的基極電流,那么:41-65×10/℃的帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)Δ=?=VVVBEBE1BE2基準(zhǔn)電壓的

7、大小,而不影響輸出電壓的溫度特性和nI0IoKnln(2)電源電壓抑制特性。VVln?=lnTTTIIqSS124二級(jí)溫度補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)源VDD在對(duì)基準(zhǔn)電壓的溫度特性要求高的情況下,圖nI0I02所示的電路并不能滿足要求。進(jìn)一步分析式(1),得到要想減小基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù),必須消除式(1)VBE中第3項(xiàng)的影響。QVDDQ12M1M2M9M3M4M10圖1正溫度系數(shù)電壓產(chǎn)生電路R6R7ΔVBE表現(xiàn)出正溫度系數(shù),而且此溫度系數(shù)是與I1+I2溫度無(wú)關(guān)的常量。GNDM5M6GNDVBG13一級(jí)溫度補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)源GNDM7M8GND將正、負(fù)溫度系數(shù)的電壓加權(quán)相加,就可以得X

8、Q2到一個(gè)近似與溫度無(wú)關(guān)

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