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1、半導體晶圓激光劃片工藝介紹目錄名詞解釋應用范圍傳統(tǒng)劃片工藝介紹激光劃片工藝介紹兩種工藝對比介紹后期運行成本比較什么是晶圓劃片？晶圓劃片(即切割）是半導體芯片制造工藝流程中的一道必不可少的工序，在晶圓制造中屬后道工序。將做好芯片的整片晶圓按芯片大小分割成單一的芯片（晶粒），稱之為晶圓劃片。半導體器件半導體器件分類半導體器件半導體分立器件半導體集成電路發(fā)光二極管，三極管，整流橋，可控硅，觸發(fā)管IGBT,VNOS管等光電，顯示，語音，功率，敏感，電真空，儲存，微處理器件等部分器件可用于激光劃片傳統(tǒng)劃片方法---刀片最早的
2、晶圓是用劃片系統(tǒng)進行劃片（切割）的，現在這種方法仍然占據了世界芯片切割市場的較大份額，特別是在非集成電路晶圓劃片領域。金剛石鋸片（砂輪）劃片方法是目前常見的晶圓劃片方法。傳統(tǒng)刀片劃片原理工作物例：矽晶片、玻璃工作物移動的方向鉆石顆粒旋轉方向微小裂紋的范圍特性：容易產生崩碎（Chipping）當工作物是屬于硬、脆的材質，鉆石顆粒會以撞擊（Fracturing）的方式，將工作物敲碎，再利用刀口將粉末移除。刀片劃片原理---撞擊鉆石顆粒撞擊傳統(tǒng)劃片工藝介紹1.機械劃片是機械力直接作用在晶圓表面，在晶體內部產生應力損傷，容
3、易產生晶圓崩邊及晶片破損。2.由于刀片具有一定的厚度，由此刀具的劃片線寬較大。金剛石鋸片劃片能夠達到的最小切割線寬度一般在25～35微米之間。3.刀具劃片采用的是機械力的作用方式，因而刀具劃片具有一定的局限性。對于厚度在100微米以下的晶圓，用刀具進行劃片極易導致晶圓破碎。傳統(tǒng)劃片工藝介紹4.刀片劃片速度為40-80mm/s，劃片速度較慢。且切割不同的晶圓片，需要更換不同的刀具。5.旋轉砂輪式劃片（DicingSaw）需要刀片冷卻水和切割水，均為去離子水（DI純水）6.刀片切割刀片需要頻繁的更換，后期運行成本較高。
4、新型劃片---激光激光屬于無接觸式加工，不對晶圓產生機械應力的作用，對晶圓損傷較小。由于激光在聚焦上的優(yōu)點,聚焦點可小到亞微米數量級,從而對晶圓的微處理更具優(yōu)越性,可以進行小部件的加工;即使在不高的脈沖能量水平下,也能得到較高的能量密度,有效地進行材料加工。大多數材料吸收激光直接將硅材料汽化，形成溝道。從而實現切割的目的因為光斑較小，最低限度的炭化影響。激光劃片工藝介紹1.激光劃片是非機械式的，屬于非接觸式加工，可以避免出現芯片正面破碎和其它損壞現象，激光劃片后需要使用傳統(tǒng)工藝將芯片徹底劃開。2.激光劃片采用的高光
5、束質量的光纖激光器對芯片的電性影響較小，可以提供更高的劃片成品率。對比表格傳統(tǒng)劃片方式（砂輪）激光劃片方式（光）切割速度40-80mm/s1-150mm/s切割線寬30～40微米30～45微米切割效果易崩邊，破碎光滑平整，不易破碎熱影響區(qū)較大較小殘留應力較大極小對晶圓厚度要求100um以上基本無厚度要求適應性不同類型晶圓片需更換刀具可適應不同類型晶圓片有無損耗需去離子水，更換刀具，損耗大損耗很小成本成熟工藝成本較低激光器為消耗材料，成本較高
