[精品]配料作業(yè)指導(dǎo)書(shū).doc

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1、[精品]配料作業(yè)指導(dǎo)書(shū)　　江蘇陽(yáng)光晶源科技有限公司標(biāo)準(zhǔn)操作文件編號(hào)配料作業(yè)指導(dǎo)書(shū)版本受控狀態(tài)批準(zhǔn)審核編制日期日期日期　　1、目的指導(dǎo)硅單晶技術(shù)工藝人員開(kāi)具配料單；　　2、配料原則2.1太陽(yáng)能級(jí)硅單晶是利用切克勞斯基（直拉）法將多晶硅料在特定工藝下轉(zhuǎn)化為硅單晶，選用的多晶硅質(zhì)量，例如硅中的N型、P型雜質(zhì)，碳含量必須符合硅單晶的質(zhì)量要求，再結(jié)合硅單晶的生產(chǎn)成本考慮，確定一個(gè)既能保證硅單晶質(zhì)量，又可使產(chǎn)品成本最低的配料方案；　　3、配料方案3.1多晶硅料可以選用新的多晶原料(包括含碳頭多晶，無(wú)碳頭多晶以及免清

2、洗多晶)，復(fù)拉料(包括硅單晶頭尾料，方棒邊料，測(cè)試陪片以及硅片加工中的報(bào)廢片)，堝底料，按一定配比組合而成；3.2從降低成本來(lái)說(shuō)，宜增加復(fù)拉料及堝底料的投入數(shù)量，但復(fù)拉料、堝底料中的雜質(zhì)含量及碳含量遠(yuǎn)大于新多晶原料中的含量，能投入多少?gòu)?fù)拉料、堝底料，一定要根據(jù)投入這些組合硅料后拉制的硅單晶質(zhì)量能否符合標(biāo)準(zhǔn)為依據(jù)；3.3新多晶原料的N型電阻率不宜小于50Ω·cm，P型電阻率不宜小于500Ω·cm，碳含量不能大于1ppma頭尾料及堝底料，若為N型的，電阻率最好在1.5Ω·cm以上；若為P型的，電阻率不能小于

3、0.5Ω·cm（針對(duì)P型0.5-2.0Ω·cm產(chǎn)品而言）；3.4一般情況下，配料中的三種硅料可以按新多晶頭尾料堝底料=121的比例，即每爐投料總量的25%為新多晶，50%為頭尾料，25%為堝底料?！　∪绻丛撆浔壤频墓鑶尉?，碳含量超標(biāo)的話，則要減少堝底料的用量，相應(yīng)增加新多晶或頭尾料的投入量；減少和增加的數(shù)量，要根據(jù)每批堝底料的不同，通過(guò)拉晶試驗(yàn)才能確定；3.5為減少太陽(yáng)能級(jí)單晶中的反型雜質(zhì)補(bǔ)償度，要求硅料中N型和P型的電阻率相差值越大越好，N型電阻率必須大于太陽(yáng)能級(jí)單晶電阻率下限值的三倍，例如生產(chǎn)P

4、型0.5~2.0Ω·cm單晶，N型復(fù)拉料堝底料的電阻率要在1.5Ω·cm以上?！　《宜玫膹?fù)拉料、堝底料不能全部是這種低電阻率的，應(yīng)該采用新多晶+P型復(fù)拉料、堝底料+少量N型低電阻率復(fù)拉料、堝底料的方案?！　±绨赐读狭?0kg考慮N型1.5Ω·cm~10Ω·cm的復(fù)拉料、堝底料每爐可放3-5kg，也即如果每爐投新多晶15kg，應(yīng)該采用新多晶+P型復(fù)拉料、堝底料+少量N型低電阻率復(fù)拉料、堝底料的方案。　　例如按投料量60kg考慮N型1.5Ω·cm~10Ω·cm的復(fù)拉料、堝底料每爐可放3-5kg，也即如

5、果每爐投新多晶15kg，復(fù)拉料和堝底料總量投45kg的話，則45kg中，N型1.5Ω·cm~10Ω·cm可放3-5kg，其余42-40kg應(yīng)該為P型?！　∪绻鸑型復(fù)拉料，堝底料的電阻率較高，已超過(guò)10Ω·cm，則允許投入的N型硅料數(shù)量可以不受3-5kg的限制；3.6根據(jù)投入的新多晶，頭尾料和堝底料的配比，最終得到的單晶實(shí)測(cè)電阻率值，調(diào)整硅單晶的摻雜量，使產(chǎn)品電阻率符合合同要求；3.7摻雜用的P型母合金，電阻率在10-3~10-4Ω·cm，電阻率越低越好，單晶晶向?yàn)椋?00＞的，截面電阻率均勻性較好?！　?/p>

6、比較正規(guī)的做法是選用P＜100＞硅單晶，直徑3″-5″都可以，用內(nèi)圓切割方法，切成2mm厚的硅片，再測(cè)每片硅片的截面電阻率分布，一般取五點(diǎn)法就可以，取五點(diǎn)平均值作為該片硅片的電阻率值?！　⒋斯杵肏NO3+HF腐蝕、清洗、烘干后敲碎，放在培養(yǎng)皿中待用?！　∮眠@種方法，摻雜計(jì)算時(shí)的電阻率值較正確，但內(nèi)圓切割較麻煩，還有硅單晶切割刀縫的損耗?！　∪绻苯訉⒛负辖饐尉盟槭褂?，單晶的損耗是小了，但摻雜計(jì)算時(shí)電阻率偏差較大；?！　　　?nèi)容僅供參考