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《基于拉曼光譜的微結(jié)構(gòu)應力測試方法_桑勝波.pdf》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫。
1、基于拉曼光譜的微結(jié)構(gòu)應力測試方法桑勝波薛晨陽熊繼軍等—基于拉曼光譜的微結(jié)構(gòu)應力測試方法桑勝波薛晨陽熊繼軍張文棟,,中北大學儀器科學與動態(tài)測試教育部重點實驗室太原討論,摘要了利用拉受光諳來定分析由單晶硅和多晶硅材料構(gòu)成的徽機械結(jié)構(gòu)應力剎試方法說明了該,。田,方法的基本原理推導了單晶硅應力與相對拉曼頻移△及多晶硅應力與相對拉受頻移△。的關(guān)系使基于硅體系的拉受應力側(cè)試公式體系化。應用拉受光語側(cè)試方法對徽加速度計愚嘴梁和徽諳振器支撐梁進行了應力測試。,,應力關(guān)掛詞拉曼光譜單晶硅多晶硅拉曼頻
2、移中圈分類號!文章編號一一一,乙,,
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4、!?&(,!?()%+teeasureentostressstriutonnteeanteveroeroae-?#%?),hmmfdibiihilfmi一.eelerarionandmiero一resonaror15rea!izedrds:aanspeetroseopy;sngeostress;aansKeywoRmil一51;ply一51;Rmhift,。,0引言工藝提高徽結(jié)構(gòu)的可靠性目前徽結(jié)構(gòu)應力特性檢測、.,手段主要有X射
5、線衍射法圓片法和懸份梁法等川但隨著MEMS加工工藝的發(fā)展MEMS的材料特性引,,起了人們越來越多的關(guān)注。由于微機械加工工藝(如濺是上述技術(shù)只能用來測試大于10拌m的結(jié)構(gòu)尺寸且靈,.、、、‘一,射沉積光刻腐蝕等)會在微結(jié)構(gòu)中造成應力分布〔,]敏度較低對徽結(jié)構(gòu)具有一定的破壞性隨著微結(jié)構(gòu)尺寸,這些技術(shù)測試手段.而硅晶材料的殘余應力分布會降低MEMS結(jié)構(gòu)的使用變得越來越小已不能滿足要求本文·、、,,拌m)壽命因此測量微結(jié)構(gòu)的應力對MEMS加工工藝的發(fā)針對拉曼光譜具有的高空間分辨率(02高靈敏度,a〔卜月展有著重
6、要的意義。無破壞性等優(yōu)點討論了利用拉曼(Rman)光譜來定測量微結(jié)構(gòu)的應力分布特性可以改進微結(jié)構(gòu)的加工量分析由單晶硅和多晶硅材料構(gòu)成的微機械結(jié)構(gòu)應力測,,針對目前應力與拉受試方法說明了此方法的荃本原理,:頻移公式不系統(tǒng)的情況系統(tǒng)地推導了單晶硅應力口與收稿日期2005一03一25:△、r若金項目國家863高技術(shù)研究發(fā)展計劃資助項目相對拉曼頻移。多晶硅應力與相對拉曼頻移△。的;。,(2。O4AA4O4o40)山西省歸國留學人員基金資助項目關(guān)系此外應用拉曼光譜測試方法對微加速度傳感器和HighAsPeetRa
7、tioPatterningwithaProximityUI-4結(jié)論uree.eroeeetroniengineeringtravioletSoMilE,通過對用納米A12O:粉末和非納米A120:粉末制作2002,61(2):1001~1007,2:eer,.4etEmbossingasaMethod的微陶瓷結(jié)構(gòu)進行對比發(fā)現(xiàn)用納米A【0粉末制作的微〔〕BekHHimU飾結(jié)構(gòu)圖形精度高。通過實驗說明該工藝還可以制作大高寬fortheFabrieationofPolymerHighAspeetRatio。,
8、Struetures.nsorsandAetuatorsA一physieal,比的陶瓷徽結(jié)構(gòu)研究了封閉燒結(jié)的方法利用該工藝方Se。,:130法可以制作用于高溫氣相反應的微陶瓷反應器200283(l一3)~135(編輯馬堯發(fā)):參考文獻.nitter,rn,saus,eacr-ottoRGhigDRihPli〔l〕KM:,,.作者簡介王談男1980年生中國科學技術(shù)大學國家同步輻.areaneraeeroreaerserossetoototii
