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《硅基底和金剛石基底上沉積ZnO薄膜工藝研究.pdf》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫(kù)。
1、第25卷第1期傳感技術(shù)學(xué)報(bào)Vo1．25No．1CHINESEJOURNALOFSENSORSANDACTUATORSJan．20122012年1月TechniqueStudyontheDepositionofZnoFilmonSiliconSubstrateandDiamondSubstrateCHENYinghui一，GAOYang，XIShiwei，ZHAOXinghai(1．InstituteofElectronicEngineering，ChinaAcademyofEngineeringPhysics，MianyangSichuan621900，China2．Depart
2、mentofGraduateStudent，ChinaAcademyofEngineeringPhysics，Beijing100088，China)Abstract：Zincoxide(ZnO)filmisdepositedonSi(001)substrateanddiamondsubstratebyradio—frequency(RF)reactivemagnetronsputteringmethod．TheeffectsofsiliconsubstrateanddiamondsubstrateonthestructureofZnOfilmareinvestigated．Th
3、eeffectsoftheratioofAr／O2andannealingtemperatureareanalyzedaswel1．CrystalstructuresofthefilmsarecharacteredbyX—raydiffraction(XRD)andatomicforcemicroscopy(AFM)．Theresultsindicate：(1)Thesurfacemorphologyofthefilmonthediamondsuhstrateissuperiortosiliconsubstrate；(2)0nthesamesubstrate，thecrystal
4、lineorientationofZnOfilmisindirectproportiontotheAr／O2gasratio；(3)Astosiliconsubstrate，properannealingtemperatureishelpfultoimprovethecrystalorientationofZnOfilm．Keywords：SAWfilter；ZnOfilm；diamond；RFreactivemagnetronsputtering；theratioofAr／O2；annealingtemperatureEEACC：7230doi：10．3969／j．issn．1
5、004—1699．2012．O1．005硅基底和金剛石基底上沉積ZnO薄膜工藝研究術(shù)陳穎慧，高楊，席仕偉，趙興海(1．中國(guó)工程物理研究院電子工程研究所，NJ,I綿陽(yáng)621900；2．中國(guó)工程物理研究院北京研究生部，北京100088)摘要：采用射頻磁控濺射方法分別在硅基底和金剛石基底上制備ZnO薄膜，研究了硅和金剛石襯底的不同對(duì)ZnO薄膜生長(zhǎng)機(jī)理的影響，同時(shí)分析了氬氧比和退火溫度這兩個(gè)工藝參數(shù)對(duì)薄膜的晶格取向和表面形貌的影響。利用XRD和AFM對(duì)ZnO壓電薄膜的性能進(jìn)行了測(cè)試。結(jié)果顯示，金剛石基片上制備的薄膜表面狀態(tài)遠(yuǎn)優(yōu)于硅基片上的薄膜表面狀態(tài)；在同類型基底上生長(zhǎng)的ZnO薄膜，薄膜
6、的晶格取向隨著氬氧比的升高而增強(qiáng)；對(duì)于硅基底上生長(zhǎng)的ZnO薄膜，適當(dāng)?shù)耐嘶鹉軌虺杀兜靥岣弑∧さ腸軸取向性。關(guān)鍵詞：聲表面波濾波器；ZnO薄膜；金剛石；射頻磁控濺射；氬氧比；退火溫度中圖分類號(hào)：TP212．2文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A文章編號(hào)：1004—1699(2012)01—0025—04ZnO薄膜具有優(yōu)異的光電特性和壓電特性．在聲表面波濾波器的中心頻率和機(jī)電耦合系數(shù)均有很發(fā)光器件、太陽(yáng)能電池和聲表面波(SurfaceAcoustic大的影響。為了制備高性能的SAW濾波器，還需要Wave，SAW)器件等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。隨著微ZnO薄膜表面盡可能光滑致密、無裂紋，以免影響在電子機(jī)械系統(tǒng)(
7、Micro—Electro．MechanicalSystems，其上制作的金屬叉指電極的質(zhì)量。為了獲得高質(zhì)量MEMS)技術(shù)的發(fā)展，ZnO薄膜已被大量地應(yīng)用于各的ZnO薄膜，需要了解影響薄膜生長(zhǎng)行為的因素，種MEMS傳感器和執(zhí)行器中。ZnO是一種具有六并控制薄膜的生長(zhǎng)過程ll]。角纖鋅礦結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料，其密度為5．67cm，金剛石是一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性能的優(yōu)良在室溫下具有3．37eV的禁帶寬度和60meV的高材料，包括機(jī)械特性、熱學(xué)特性、光學(xué)特性、縱波聲激子束縛能。對(duì)于應(yīng)用于
