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《Mg摻雜ZnO納米結(jié)構(gòu)可控生長及紫外探測研究.pdf》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在應(yīng)用文檔-天天文庫。
1、分類號：UDC：Mg摻雜ZnO納米結(jié)構(gòu)可控生長及紫外探測研究CoNTRALGRoWTHANDUVDETECTPROPERTIESoFMG．DoPEDZNONANOSTRCTURES學(xué)位授予單位及代碼：筮查堡王太堂(!Q!璺魚2論文起止時間：201211二星Q!墨：!呈長春理工大學(xué)碩士學(xué)位論文原創(chuàng)性聲印惻本人鄭重聲明：所呈交的碩士學(xué)位論文，《Mg摻雜ZnO納米結(jié)構(gòu)可控生長及紫外探測研究》是本人在指導(dǎo)教師的指導(dǎo)下，獨立進(jìn)行研究工作所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本論文不包含任何其他個人或集體己經(jīng)發(fā)表或撰
2、寫過的作品成果。對本文的研究做出重要貢獻(xiàn)的個人和集體，均己在文中以明確方式標(biāo)明。本人完全意識到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。作者簽名：率長春理工大學(xué)學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者及指導(dǎo)教師完全了解“長春理工大學(xué)碩士、博士學(xué)位論文版權(quán)使用規(guī)定’’，同意長春理工大學(xué)保留并向中國科學(xué)信息研究所、中國優(yōu)秀博碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫和CNKI系列數(shù)據(jù)庫及其它國家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交學(xué)位論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)長春理工大學(xué)可以將本學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢索，也可采用影印、縮
3、印或掃描等復(fù)制手段保存和匯編學(xué)位論文。業(yè)年三月型日擎丘雄盜名簽者師作導(dǎo)摘要ZnO是一種在光電功能領(lǐng)域很有潛力的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，ZnO基一維納米結(jié)構(gòu)材料和ZnO摻雜納米結(jié)構(gòu)近年成為人們研究的熱點，相比于體材料以及薄膜二維材料，一維結(jié)構(gòu)納米材料能夠提供更為優(yōu)良的光學(xué)性能以及晶體結(jié)構(gòu)。通過對ZnO進(jìn)行Mg元素?fù)诫s來獲得禁帶可調(diào)的ZnO納米材料，可以進(jìn)一步制備響應(yīng)波段可調(diào)的紫外光電器件，使得其在更廣泛的領(lǐng)域內(nèi)得到應(yīng)用。本文首先采用化學(xué)氣相沉積法(CVD)，水熱學(xué)法制備直立的ZnO納米線陣列，通過對樣品表征，綜
4、合分析討論了CVD法中氣．固(V-S)機(jī)制下ZnO納米線的晶體生長動力學(xué)過程。同樣利用CVD方法引入Mg源對ZnO進(jìn)行Mg摻雜，獲得Mg摻雜ZnO納米線陣列。利用水熱法和原子層沉積法(ALD)制備出ZnO／ZnMgO核殼結(jié)構(gòu)納米線陣列，并利用這種核殼結(jié)構(gòu)納米線陣列制備出ZnO／ZnMgO核殼結(jié)構(gòu)光導(dǎo)型紫外探測器，在364．378nm處得到良好的窄波響應(yīng)。最后，利用水浴法制備出大面積自支撐可自由遷移的Ag摻雜ZnO納米線陣列并研究其發(fā)光機(jī)制。關(guān)鍵詞：ZnOMg摻雜ZnO核殼結(jié)構(gòu)紫外探測器ABSTRACTZnOi
5、swidebandgapsemiconductormaterial，whichhasabigpotentialinphotoelectricfunctionalareas．ZnO-basedone-dimensionalnanostructurematerialsofferbetteropticalpropertiesandcrysmlqualitiescomparewithboaymaterialsortwo—dimensionalfilmstructures，whichbecomeahotspotinma
6、terialsresearchfieldrecently．AcquireakindofbandgapadjustableZnOnanostructurematerialsthroughdopingMgelementintoZnOcrystallattice，future，thepreparationofresponsewavelengthtunableultravioletphotoelectricdeviceorappliedinamorewiderrangefield．Inthisarticle，weus
7、edchemicalvapordeposition(CVD)methodtosynthesizepureverticalZnOnanowires，Throughthecharacterizationofsamples，wecomprehensiveanalysedkineticsofZnOnanowirescrysmlgrowthprocessbyvapor-solid(V-S)mechanismunderCVDmethod．WeusedthesameCVDmethodtosynthesizeMg-doped
8、ZnOnanowires．AkindofZnO／ZnMgOCOre·shellstructurenanowireswerefabricatedbyhydrothermalandatomiclayerdeposition(ALD)method．MakeuseofZnO／ZnMgOcore-shellstructurenanowires，weobtainedakindofphotoconductiveU
