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《PMMA/OMMT納米復合材料炭層結構對阻燃性能的影響.pdf》由會員上傳分享,免費在線閱讀,更多相關內容在行業(yè)資料-天天文庫。
1、現(xiàn)代塑料加工應用2013年第25卷第6期M0DERNPLASTICSPROCESSINGANDAPPLICAT10NSPMMA/OMMT納米復合材料炭層結構對阻燃性能的影響黎宴良張軍(青島科技大學環(huán)境與安全工程學院,山東青島,266042)摘要:通過熔融插層方法制備了聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)與有機蒙脫土(OMMT)的納米復合材料。采用x射線衍射(XRD)和透射電鏡(TEM)分析了聚合物插層OMMT的微觀結構,采用錐形量熱儀評價了復合材料的阻燃性能,通過數(shù)碼相機、掃描電鏡(SEM)分別觀察了材料燃燒后生成殘余物的宏觀、亞微觀和微觀結構。結果表明:OMMT能顯著降低材料
2、的熱釋放速率(HRR)和質量損失速率(MLR);PMMA/OMMT納米復合材料燃燒中形成的炭層具有特殊的皮層一蜂窩層亞微觀結構,降低了材料的可燃性。關鍵詞:聚甲基丙烯酸甲酯有機蒙脫土納米復合材料炭層結構阻燃性能Effect0fFireResidue0fPMMA/oMMT0nFlameRetardantPerformanceNanocompositesLiYanliangZhangJun(CollegeofEnvironmentandSafetyEngineering,QingdaoUniversityofScienceandTechnology,Qingdao,shan
3、dong,266042)Abstract:ThenanoeompositesofPMMAandOMMTwerepreparedthroughthemeltintercalationmethod.ThemierostructureofOMMTwhichwasintercalatedbyPMMAwasanalysedbvXRDandTEM.Theflameretardancyofthecompositeswasevaluatedbytheconecalorimeter.DigitalcameraandSEMwereusedtoexaminethemacro—structur
4、e。submicro—structureandmicro—structureofresidues.TheresultsshowthatHRRandMLRofthecompositeswiththeadditionofOMMTarereducedsignifi—cantly.ItalsoshowsthatthefireresidueofPMMA/OMMTiScomposedofaskin-cel—lularlayerinsubmieroscale.Thewel1combinationoftheskin—cellular1ayercanreduceflammabilityo
5、fthecomposites.Keywords:polymethylmethacrylate;organicmontmorillonite;nanocomposites;fireresiduestructure;flameretardantperformance聚合物/層狀硅酸鹽納米復合材料(PLSN)PMMA基PLSN復合材料。本研究以自被報道能顯著提高材料熱穩(wěn)定性和阻燃性能PMMA與有機蒙脫土(OMMT)采用熔融插層以來,對其制備、表征與阻燃機理的探討研究得法復合制備納米復合材料。到了迅速發(fā)展L1]。研究表明,PLSN的阻燃性能收稿日期:2013-05-30;修改稿
6、收到日期:2013—08—06。與其燃燒過程中生成的炭層結構有關_2]。聚甲作者簡介:黎宴良,在讀碩士研究生,主要研究方向為阻燃基丙烯酸甲酯(PMMA)高溫燃燒時表現(xiàn)為不易高分子材料。E-mail:yanliangli2013@163.corn。熔融流滴而直接在表面氣化迅速燃燒,因此也是*通信聯(lián)系人,E-mail:safetyqust@163.tom。易燃聚合物_3]。已有報道采用插層方法制備基金項目:由山東省自然科學基金(ZR2012EMQ008)資助。現(xiàn)代塑料加工應用2013年12月1試驗部分射角2約為4.49。,對應的層間距為d為1.97nm,比MMT層間距增大0
7、.79nm。1.1原料OMMT片層的間距被撐大顯然有利于PMMA蒙脫土(MMT),鈉基,浙江豐虹黏土化工大分子鏈的插入,改善插層效果。相比OMMT,有限公司;OMMT,自制;PMMA,南通三菱麗PMMA/OMMT納米復合材料的衍射峰繼續(xù)明陽化學集團;十六烷基三甲基溴化胺(CTAB),顯向小角度偏移,PMMA/OMMT5,PMMA/天津市巴斯夫化工有限公司。OMMT10的衍射峰位置相近,2約為2.52。,片1.2儀器層間距為3.51rim,說明PMMA/OMMT納米密煉機,SU一7O,常州蘇研科技有限公司;平復合材料形成過程中OMMT層間距