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《多孔硅的制備及發(fā)光特性的研究.pdf》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在工程資料-天天文庫。
1、分類號UDC：密級編號多子L硅的制備及發(fā)光特性的研究Fabl’icationofPorousSiliconandResearcIlouLuminescenceofPS學(xué)位授予單位及代碼：拯鲞堡王太生i!Q!墅2學(xué)科爭業(yè)名稱及代碼：塑堡魚王生(Q8Q!Q!)研究方問：堂里士堂皇盤魚王撞壟申請學(xué)位級別：亟±指導(dǎo)載帥：端查疰壁煎援研究生：—墅盟韭立!!論文起II』j『日J(rèn)：2QQ2：Q!：2Q1Q．12聯(lián)系電晤：-!三鯉垡監(jiān)鰻立L長春理工大學(xué)碩士學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所呈交的碩士學(xué)位論文《多iL硅的制各及發(fā)光特性的研究》是本人在指
2、導(dǎo)教師的指導(dǎo)下，獨(dú)立進(jìn)行研究工作所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本論文不包臺(tái)任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的作品成果。對本文的研究做出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。本人完全意識(shí)到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。作者簽名：墨f彪年—!!衛(wèi)年—三月上￡R長春理工大學(xué)學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者及指導(dǎo)教師完全了解“長春理工大學(xué)碩士，博士學(xué)位論文版權(quán)使用規(guī)定”，同意長春理工大學(xué)保留并向國家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交學(xué)位論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)長春理工大學(xué)可以將本學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編
3、八有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢索，也可采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存和亍[編學(xué)位論文。作者簽名：』鱧』二!』L年—蘭月—!iLR指導(dǎo)導(dǎo)師簽名—業(yè)年—三月』魚8摘要本文采用傳統(tǒng)的電化學(xué)陽極腐蝕法制各P型多孔硅。通過掃描電子顯微鏡柬觀察P型多孔硅表面形貌和腐蝕失重計(jì)算P型多孔硅孔隙率和硅層厚度，研究腐蝕時(shí)間、電流密度和HF非度對P型多孔硅電化學(xué)陽極腐蝕法制備條件的影響。結(jié)果表明，隨腐蝕時(shí)問、電流密度和HF濃度逐步增加P型多孔硅的孔隙率先增大后減少．隨著腐蝕時(shí)間、電流強(qiáng)度和HF濃度的增加．P型多孔硅的厚度逐步增加，呈線性關(guān)系。通過使用熒光分光光度計(jì)
4、在室溫下測量P型多孔硅光致發(fā)光譜，研究腐蝕時(shí)問、電流密度和HF濃度對P型多孔硅電化學(xué)陽極腐蝕法光致發(fā)光特性的影響。結(jié)果表明，增加腐蝕時(shí)眠電流密度和HF濃度都能引起P型多孔硅的光致發(fā)光譜峰位的藍(lán)移變化。最后，通過『F變優(yōu)化試驗(yàn)的方法。對P型多孔硅光致發(fā)光特性的電學(xué)陽極腐蝕法制各條件進(jìn)行優(yōu)化。確定較優(yōu)的P型多孔硅光致發(fā)光特陛的電化學(xué)陽極腐蝕法制各條件為：腐蝕時(shí)問30min．電流密度12mAJcm2，HF濃度6wt％。關(guān)鍵詞：多fL硅制備孔隙率光致發(fā)光ABSTRACTInthisthesisp-typePOROUSSiliconwasobt
5、ainedbyconventionalelectrochemicalanodizmionMorphologyofp-typePorousSiliconwasobservedbyscanningelectronicmicroscope(SEM)，porosityandthicknessofp-typePorousSiliconwasstudiedbycalculatingweightlossTheinfluenceofetchingtime，cnrl℃ntdensitymadHFconcentrationtothefabrication
6、ofp-typePorousSiliconbyconventionalelectrochemicalealodizationwasstudiedTheresultsshowedthatincreaseofetchingtime，currenldensityandHFconcentration，theporosityofp-typePorousSiliconincreasethendecreaseandthethicknessofthePorousSiliconisincreasedgradually，whichfitalinearre
7、lationshipPhotoluminescenceofPorousSiliconwasindicatedbyfluorescencespectrum砒roomtemperatureThedependenceofroomtemperaturevisibleDhotolumInescellceofPorousSiliconanditsmicrostructureontheanodizmionconditions．suchasetchingtimecurrentdensityandHFconcentrationwerestudiedTh
8、eresultsshowedthattilehlcreaseofetchingtime．currentdensityandHFconcentrationresultsinablueshiftofluminescentwa
