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《SJT 10454-1993 厚膜混合集成電路多層布線用介質(zhì)漿料.pdf》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫。
1、Si中華人民共和國電子行業(yè)標(biāo)準SJ/T10454一93厚膜混合集成電路多層布線用介質(zhì)漿料Dielectricpasteformultilayerlayoutofthickfilmhybridintegratedcircuits1993-12-17發(fā)布1994-06-01實施中華人民共和國電子工業(yè)部發(fā)布中華人民共和國電子行業(yè)標(biāo)準厚膜混合集成電路多層布線用介質(zhì)漿料SJ/T10454-93Dielectricpasteformultilayerlayoutofthickfilmhybridintegra
2、tedcircuits主題內(nèi)容與適用范圍1.1主題內(nèi)容本標(biāo)準規(guī)定了厚膜混合集成電路多層布線用介質(zhì)漿料(以下簡稱漿料)的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、包裝、貯存及運輸。1.2適用范圍本標(biāo)準適用于與金、把銀導(dǎo)體漿料相匹配的厚膜混合集成電路多層布線用介質(zhì)漿料。引用標(biāo)準GB2421電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程總則GB2423.2電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗B:高溫試驗方法GB2423.3電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗C,:恒定濕熱試驗方法GB2423.22電子電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗N:溫度變化
3、試驗方法3技術(shù)要求3.1漿料特性漿料特性應(yīng)符合表1的規(guī)定。表1漿料特性序號項目{特性單位外觀}介質(zhì)漿料呈均勻的青狀、色澤一致粘度}150-250Pa"43.2漿料成膜性能漿料成膜性能應(yīng)符合表2的規(guī)定。中華人民共和國電子工業(yè)部1993-12-17批準1994-06-01實施SJ/T10454-93表2漿料成膜性能序號項目符號性能要求單位介質(zhì)膜表面平整致密、無明1外觀顯針孔或裂紋2通孔分辨率250解m3介電常數(shù)主簇104介質(zhì)損耗角正切值tga(0.2%5初始絕緣電阻Rs李loun6環(huán)境試驗后絕緣電阻R
4、S>10'n7擊穿電壓Vt)1000V8燒結(jié)膜厚度40-50產(chǎn)m9(25(5層)產(chǎn)m翹曲(50(10層)tLm4試驗方法4.1環(huán)境條件除另有規(guī)定外，所有試驗均應(yīng)在GB2421所規(guī)定的正常大氣條件下(溫度15-3510，相對濕度45%一75%，氣壓86一106kPa)進行。4.2樣品制備考核介質(zhì)漿料工作特性及介質(zhì)性能的試驗樣品應(yīng)按常規(guī)的厚膜多層布線工藝制備，試驗圖形見圖1、圖2.上層導(dǎo)體96%暇化鋁基片介質(zhì)下層導(dǎo)體圖1介質(zhì)性能試驗圖形上、下層導(dǎo)體為把銀導(dǎo)體或金導(dǎo)體?；叽?0.mx25mm圖形尺寸
5、:6mmx6mm通孔介質(zhì)層圖2通孔分辨率試驗圖形基片尺寸;30mmx20.mSJ/T10454-934.3檢測儀器a.粘度計;b.電容測量儀;c.電容介質(zhì)損耗測量儀;d.介質(zhì)擊穿裝置;e.高阻表;f.膜厚測試儀;9.測量顯微鏡;h.千分表。4.4外觀漿料外觀用目視檢驗，應(yīng)符合表1的規(guī)定。4.5粘度用絕對工作旋轉(zhuǎn)粘度計進行測量，恒溫水槽溫度2511IC,剪切速度l0r/min,4.6通孔分辨率在%%氧化鋁基板上印燒介質(zhì)層(掩膜通孔250pmx250pm),測量通孔的通斷。試驗圖形見圖204.7介電常
6、數(shù)(。)可用保證電壓不大于5V和測量誤差不大于2%的任何方法及儀器進行。測量頻率為1士0.2MHzo測量結(jié)果按下式計算。Cd￡=0.0884S式中:C—試樣的電容量,PF;d—試樣的厚度,cm;S—試樣導(dǎo)體重疊面積，cm;試驗圖形見圖to4.8介質(zhì)損耗角正切值可用測量誤差不大于0.1tg8+0.0002的方法進行。測量頻率為1士0.2MHzo試驗圖形見圖1e4.9絕緣電阻在上層導(dǎo)體及下層導(dǎo)體引出端用高阻表測量，測量電壓為DC100+15Va試驗圖形見圖la4.10擊穿電壓用介質(zhì)擊穿裝置以100V/
7、3-4s的速度緩慢施加電壓至1000V,測量誤差(士5%0試驗圖形見圖I.4.11燒結(jié)膜厚度用膜厚測試儀或其他精度相等的儀器測量介質(zhì)層的厚度，測量誤差(士5%e4.12翹曲最大翹曲的側(cè)量，選用平整的氧化鋁基板印、燒介質(zhì)膜，用印、燒介質(zhì)膜的基片與一個基準平面接觸，至少要測量三個點，其三個點分別分布在基片三個拐角處，用量規(guī)或千分表測量，測一3一S.1/T10454-93得的讀數(shù)應(yīng)減去基片和介質(zhì)膜的厚度。至少要以上述三處測得的數(shù)據(jù)為依據(jù)，正確找出最大直線尺寸。推薦式樣:基片尺寸50mmx25mmx0.6
8、mm;介質(zhì)膜覆蓋面積:50mmx25mm.4.13溫度循環(huán).按GB2423.22試驗Na進行，其中:Tp一55U;Tg125℃;t}30min;循環(huán)次數(shù):10次。4.14恒定濕熱按1B2423.3進行，試驗嚴酷度96h.5.15高溫貯存按GB2423.2試驗Bb進行，溫度1550，持續(xù)時間21d.檢驗規(guī)則5.1檢驗批每配制一次漿料為一個檢驗批，從檢驗批中隨機抽取適量漿料并制備受檢樣品，樣品制備見4.2條。5.2逐批檢驗按表3和表4中的B組規(guī)定進行逐批檢驗,B組檢驗應(yīng)在A組檢驗合格后
