《高阻器件低頻噪聲測試技術(shù)與應(yīng)用》.pdf

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1、科技創(chuàng)新2015EI~j25期l科技創(chuàng)新與應(yīng)用高阻器件低頻噪聲測試技術(shù)與應(yīng)用尚恒李靜(陜西省電子技術(shù)研究所，陜西西安710004)摘要：在現(xiàn)階段生產(chǎn)的電子元件中，有很多的電子元件都存在較為嚴重的噪聲問題。人類對電子的依賴程度較高，尤其是手機一類的產(chǎn)品，其電子元件倘若在噪聲方面沒有達到標準，勢必會對使用者的身體造成傷害。通過利用高阻器件低頻噪聲測試技術(shù)，能夠?qū)﹄娮釉膬?nèi)部、外部等多個方面，實施有效的測試，搜集大量的資料與數(shù)據(jù)，以此來判定電子元件的噪聲是否達到標準、是否能夠投入生產(chǎn)。高阻器件低頻噪聲測試技術(shù)是目前比較有效的測試技術(shù)，日后可以深入研究，并且在電子元件的加工、生產(chǎn)、設(shè)計

2、等方面來應(yīng)用。關(guān)鍵詞：高阻器件；低頻；噪聲；技術(shù)；應(yīng)用電器元件在目前的發(fā)展和研究中，其體積不斷的減小，功能不實驗研究的過程中，高阻器件低頻噪聲測試技術(shù)均表現(xiàn)出了突出的斷的增多。類似于手機一類的產(chǎn)品中，電子元件所扮演的角色是絕成績，很多方面都要優(yōu)于以往的傳統(tǒng)技術(shù)。但是，高阻器件低頻噪聲對性的。但是，任何一種電子元件在投入使用后，都存在噪聲的問測試技術(shù)在沒有得到實際應(yīng)用時，就不能說高阻器件低頻噪聲測試題，頻率與噪聲密切相關(guān)，通過運用相關(guān)的測試技術(shù)，能夠在客觀上技術(shù)是完全成功的，因為沒有創(chuàng)造出實際的價值。在此，文章主要對了解電子元件的噪聲范圍、影響程度、持續(xù)時間等等，以此來優(yōu)化電高阻器

3、件低頻噪聲測試技術(shù)的應(yīng)用展開論述。子元件的設(shè)計和運用，并且在多方面完成對電子元件的優(yōu)化。所以，2．1高阻器件低頻噪聲測試技術(shù)應(yīng)用于高阻厚膜電阻的篩選測試技術(shù)的研究與應(yīng)用，是很有必要的。在此，文章主要對高阻器件高阻厚膜電阻是比較常用的電阻類型，現(xiàn)階段的生產(chǎn)數(shù)量比較低頻噪聲測試技術(shù)與應(yīng)用展開討論。大，但如何更好的篩選出劣質(zhì)電阻，就需要應(yīng)用高阻器件低頻噪聲1高阻器件低頻噪聲測試技術(shù)測試技術(shù)來完成了。在目前的篩選工作中，可以根據(jù)高阻厚膜電阻相對于其他測試技術(shù)來講，在運用高阻器件低頻噪聲測試技術(shù)的數(shù)據(jù)、爆裂噪聲開展篩選，其效果均比較突出。以爆裂噪聲篩選為的過程中，省去了很多環(huán)節(jié)，實現(xiàn)了較大

4、的便利條件。但是，由于高例，在運用高阻器件低頻噪聲測試技術(shù)的過程中，每個足以激發(fā)出阻器件低頻噪聲測試技術(shù)是一種針對性較強的技術(shù)，因此我們在運爆裂噪聲的微觀缺陷，對應(yīng)著一個脈沖的高度。如果樣品材料中含用的過程中，不能奢求該項技術(shù)可以完成所有電子元件的測試，必有多個足以在高場強下激發(fā)出爆裂噪聲的缺陷，則該器件的爆裂噪要時可聯(lián)合其他測試技術(shù)共同完成。在此，文章主要對高阻器件低聲時域波形中會含有多種高度的脈沖，其頻域中會含有明顯的洛倫頻噪聲測試技術(shù)進行論述。茲譜，因而不會再表現(xiàn)為典型的爆裂噪聲曲線。通過對爆裂噪聲的1．1高阻樣品噪聲測試問題分析具體分析，就可以完成高阻厚膜電阻的有效篩選。

5、高阻器件低頻噪聲測試技術(shù)的研究并不是偶然的研究，而是在2．2高阻器件低頻噪聲測試技術(shù)應(yīng)用于聚合物鉭電容的漏電流大量現(xiàn)有問題的基礎(chǔ)上，實施的一項針對性技術(shù)研究，以此來完成噪聲研究各方面的測試進步。從客觀的角度來分析，高阻樣品噪聲測試過程聚合物鉭電容是比較常用的一種電力物質(zhì)，其作用是比較突出中，表現(xiàn)出了很多的問題，傳統(tǒng)技術(shù)根本無法滿足需求。經(jīng)過大量的的。但是，由于聚合物鉭電容的漏電流噪聲存在嚴格的要求，因此凡總結(jié)和分析，認為高阻樣品噪聲測試問題，突出表現(xiàn)在以下幾個方是不合格的產(chǎn)品絕對不能投入產(chǎn)出。在以往的測試過程中，只能是面：第一，高源阻抗使電壓噪聲信號衰減。在運用傳統(tǒng)技術(shù)測試的時對

6、噪聲的單一指標進行測試，不僅耗時費力，同時還導(dǎo)致很多指標候，發(fā)現(xiàn)一旦應(yīng)用高源阻抗來測試，就會導(dǎo)致電壓噪聲信號持續(xù)衰的測試達不到標準，僅僅是能在基礎(chǔ)工作上努力，聚合物鉭電容的減，部分電壓信號甚至時表現(xiàn)出元噪聲的特點，這就在客觀上導(dǎo)致相關(guān)技術(shù)也停留在原地。通過對聚合物鉭電容的漏電流噪聲，應(yīng)用測試結(jié)果的不準確性。倘若以此來生產(chǎn)和加工電子元件，勢必會造高阻器件低頻噪聲測試技術(shù)，電容噪聲功率譜密度幅度與器件的反成產(chǎn)品的較大噪聲問題，對用戶產(chǎn)生的傷害是比較嚴重的。第二，高向應(yīng)力損傷時間成反比。隨著電容兩端施加反向電壓時間的不斷增偏置的電壓條件，會直接降低耦合電容壽命，甚至是造成耦合電容加，電

7、容的噪聲在低頻段不斷降低，降低幅度達到50％。該現(xiàn)象可以被擊穿的情況。目前，部分測試技術(shù)選擇的條件是高偏置的電壓條由鉭電容在施加反向應(yīng)力時發(fā)生的特殊效應(yīng)來解釋。所以，高阻器件，在以往的測試中，該條件的確表現(xiàn)出了較多的優(yōu)異成績?？墒?，件低頻噪聲測試技術(shù)還是能夠較好測試的。目前的耦合電容已經(jīng)無法承受高偏執(zhí)電壓的條件，不僅僅是損耗壽3結(jié)束語命，甚至是會出現(xiàn)被擊穿，一旦擊穿，勢必會造成較大的安全事故。文章對高阻器件低頻噪聲測試技術(shù)與應(yīng)用展開討論，從現(xiàn)有的第三，電流噪聲信號帶過窄。測試噪聲