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《200980138226-高純度銅或高純度銅合金濺射靶、該濺射靶的制造方法及高純度銅或高純度銅合金濺射膜》由會員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫。
1、SooPAT高純度銅或高純度銅合金濺射靶、該濺射靶的制造方法及高純度銅或高純度銅合金濺射膜申請?zhí)枺?00980138226.5申請日：2009-09-24申請(專利權(quán))人JX日礦日石金屬株式會社地址日本東京發(fā)明(設(shè)計(jì))人福島篤志新藤裕一朗島本晉主分類號C23C14/34(2006.01)I分類號C23C14/34(2006.01)IH01L21/28(2006.01)IH01L21/285(2006.01)I公開(公告)號102165093A公開(公告)日2011-08-24專利代理機(jī)構(gòu)中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限
2、責(zé)任公司11219代理人王海川穆德駿www.soopat.com注：本頁藍(lán)色字體部分可點(diǎn)擊查詢相關(guān)專利(19)中華人民共和國國家知識產(chǎn)權(quán)局*CN102165093A*(12)發(fā)明專利申請(10)申請公布號CN102165093A(43)申請公布日2011.08.24(21)申請?zhí)?00980138226.5(51)Int.Cl.C23C14/34(2006.01)(22)申請日2009.09.24H01L21/28(2006.01)(30)優(yōu)先權(quán)數(shù)據(jù)H01L21/285(2006.01)2008-2530522
3、008.09.30JP(85)PCT申請進(jìn)入國家階段日2011.03.28(86)PCT申請的申請數(shù)據(jù)PCT/JP2009/0664802009.09.24(87)PCT申請的公布數(shù)據(jù)WO2010/038642JA2010.04.08(71)申請人JX日礦日石金屬株式會社地址日本東京(72)發(fā)明人福島篤志新藤裕一朗島本晉(74)專利代理機(jī)構(gòu)中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11219代理人王海川穆德駿權(quán)利要求書1頁說明書9頁(54)發(fā)明名稱高純度銅或高純度銅合金濺射靶、該濺射靶的制造方法及高純度銅或高純度銅合金濺
4、射膜(57)摘要本發(fā)明提供一種高純度銅或高純度銅合金濺射靶，其純度為6N以上，且P、S、O、C各成分的含量各自為1ppm以下，其特征在于，粒徑0.5微米以上且20微米以下的非金屬夾雜物為30000個/g以下。本發(fā)明的課題在于，使用減少了有害的P、S、C、O類夾雜物的高純度銅及高純度銅合金作為原料，并抑制非金屬夾雜物的存在形態(tài)，由此以良好的重現(xiàn)性減少使用高純度銅靶進(jìn)行濺射而形成的半導(dǎo)體器件布線的不合格率。CN102165093ACCN102165093AN102165096A權(quán)利要求書1/1頁1.一種高純度銅或高
5、純度銅合金濺射靶，其純度為6N以上，且P、S、O、C各成分的含量各自為1ppm以下，其特征在于，粒徑0.5微米以上且20微米以下的非金屬夾雜物為30000個/g以下。2.如權(quán)利要求1所述的高純度銅或高純度銅合金濺射靶，其特征在于，粒徑0.5微米以上且20微米以下的非金屬夾雜物為15000個/g以下。3.如權(quán)利要求1所述的高純度銅或高純度銅合金濺射靶，其特征在于，粒徑0.5微米以上且20微米以下的包含碳或碳化物的夾雜物為15000個/g以下。4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的高純度銅或高純度銅合金濺射靶，其特征在
6、于，所述非金屬夾雜物中碳或碳化物所占的比例為50％以下。5.一種高純度銅濺射靶的制造方法，其特征在于，使用純度為6N以上、P、S、O、C各成分的含量各自為1ppm以下、粒徑0.5微米以上且20微米以下的非金屬夾雜物為30000個/g以下的高純度銅原料，將該原料通過冷坩鍋熔煉法或真空電弧重熔法進(jìn)行熔煉，使得純度為6N以上、碳含量為1ppm以下、粒徑0.5微米以上且20微米以下的非金屬夾雜物為30000個/g以下。6.一種高純度銅合金濺射靶的制造方法，其特征在于，使用權(quán)利要求5的高純度銅原料，在該原料中加入合金成分
7、，通過冷坩鍋熔煉法或真空電弧重熔法進(jìn)行熔煉，使得純度為6N以上、碳含量為1ppm以下、粒徑0.5微米以上且20微米以下的非金屬夾雜物為30000個/g以下。7.如權(quán)利要求5或6所述的高純度銅或高純度銅合金濺射靶的制造方法，其特征在于，使得粒徑0.5微米以上且20微米以下的非金屬夾雜物為15000個/g以下。8.如權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的高純度銅或高純度銅合金濺射靶的制造方法，其特征在于，使得粒徑0.5微米以上且20微米以下的包含碳或碳化物的夾雜物為15000個/g以下。9.如權(quán)利要求5至8中任一項(xiàng)所述的高純
8、度銅或高純度銅合金濺射靶的制造方法，其特征在于，所述非金屬夾雜物中碳或碳化物所占的比例為50％以下。10.一種高純度銅或高純度銅合金濺射膜，其特征在于，粒徑0.05微米以上的碳或碳化物的粉粒數(shù)為10個/平方英寸以下。11.如權(quán)利要求10所述的高純度銅或高純度銅合金濺射膜，其特征在于，粒徑0.05微米以上的碳或碳化物的粉粒數(shù)為5個/平方英寸以下。12.一種半導(dǎo)體器件，具有權(quán)利要求10或1
