α-SiNx納米多層薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響.pdf

α-SiNx納米多層薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響.pdf

ID:54370739

大?。?.28 MB

頁數(shù):7頁

時間:2020-04-30

α-SiNx納米多層薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響.pdf_第1頁
α-SiNx納米多層薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響.pdf_第2頁
α-SiNx納米多層薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響.pdf_第3頁
α-SiNx納米多層薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響.pdf_第4頁
α-SiNx納米多層薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響.pdf_第5頁
資源描述:

《α-SiNx納米多層薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響.pdf》由會員上傳分享,免費在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫。

1、第33卷第1期摩擦學(xué)學(xué)報Vo133No12013年1月TribologyJan,2013基體偏壓對反應(yīng)磁控濺身寸ZrN/et—Si納米多層薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響胡明,高曉明,張立平,伏彥龍,楊軍,翁立軍,劉維民(1.中國科學(xué)院蘭州化學(xué)物理研究所固體潤滑國家重點實驗室,甘肅蘭州730000;2.中國科學(xué)院大學(xué),北京100039;3.中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所,吉林長春130033)摘要:采用中頻磁控濺射技術(shù)在3種偏壓條件下(0、一80、一300V)于AISI440C鋼及單晶si(100)基體表面制備了ZrN/a—SiN納米多層薄膜.通過高分辨透射電子顯微鏡(HRTEM)分析表征了各納

2、米多層薄膜微觀組織結(jié)構(gòu),并通過納米壓人儀與真空球一盤摩擦試驗機分別測試了各薄膜力學(xué)及真空摩擦學(xué)性能.重點研究了基體偏壓對ZrN/o~一SiN納米多層薄膜微觀組織結(jié)構(gòu),進(jìn)而對其力學(xué)及摩擦學(xué)性能的影響機制.結(jié)果表明:較低的基體偏壓會導(dǎo)致納米多層薄膜中ZrN層差的結(jié)晶狀態(tài),而較高的基體偏壓則易于引起ZrN層與SiN層層間界面的交混.上述兩種薄膜組織及結(jié)構(gòu)的變化均不利于該納米多層薄膜力學(xué)及摩擦學(xué)性能的改善.在適宜的偏壓條件下(一80V),ZrN/~一SiN薄膜呈現(xiàn)出具備良好層間界面的晶體/非晶體納米多層結(jié)構(gòu),與其他偏壓條件制備的納米多層薄膜相比,該薄膜表現(xiàn)出更好的力學(xué)及摩擦學(xué)性能.關(guān)鍵詞:ZrN/c

3、~一SiN納米多層薄膜;基體偏壓;微觀結(jié)構(gòu);機械及摩擦學(xué)性能中圖分類號:TH117.1文獻(xiàn)標(biāo)志碼:A文章編號:1004—0595(2013)01—0029—07EfectsoftheBiasVoltageontheMicrostructure,MechanicalandTribologicalPropertiesofZrN/a—SiNxNanoscaledMultilayerFilmsHUMing,GAOXiao—ming,ZHANGLi—ping,F(xiàn)UYan—long,YANGJun,WENGLi—iun,LIUWei—min(J.StateKeyLaboratoryofSolidLubr

4、ication,LanzhouInstituteofChemicalPhysics,ChineseAcademyofSciences,Lamhou730000,China2.GraduateSchoolofChineseAcademyofSciences,Beifng100039,China3.ChangchunInstituteofOptics,F(xiàn)ineMechanicsandPhysics,ChineseAcademyofSciences,Changchun130033,China)Abstract:TheZrN/a—SiNnanoscaledmultilayerfilmsweredep

5、ositedunderdifferentsubstratebiasvoltagebyreactivemagnetronsputtering.Themicrostructuresofthesefilmswereanalyzedusinghighresolutiontransmissionelectronmicroscope(HRTEM).Themechanicalandtribologicalpropertiesofthesefilmswerecomparativelyinvestigatedbynanoindenterandball—on—disctribometerinvacuumcond

6、ition.respectively.TheresultsrevealthatlowerbiasconditionmayresuhZrNlayerscharacterizedwithamorphous(oramorphous—like)microstructrueinmuhilayerfilms.AndthehigherbiasvoltageconditionmayresultmixingofinterfacesbetweenZrNlayersandSiNlayersinmuhilayerfilms.Thetransformationfromcrystaltoamorphousmicrost

7、ructureofZrNlayersandinterfacemixinginmuhilayerfilmsmaybothdegradethemechanicalandtribologicalpropertiesoftheZrN/a—SiNnanoscaledmultilayerfilms.TheappropriatebiasReceived12March2012,revised9November2012,acc

當(dāng)前文檔最多預(yù)覽五頁,下載文檔查看全文

此文檔下載收益歸作者所有

當(dāng)前文檔最多預(yù)覽五頁,下載文檔查看全文
溫馨提示:
1. 部分包含數(shù)學(xué)公式或PPT動畫的文件,查看預(yù)覽時可能會顯示錯亂或異常,文件下載后無此問題,請放心下載。
2. 本文檔由用戶上傳,版權(quán)歸屬用戶,天天文庫負(fù)責(zé)整理代發(fā)布。如果您對本文檔版權(quán)有爭議請及時聯(lián)系客服。
3. 下載前請仔細(xì)閱讀文檔內(nèi)容,確認(rèn)文檔內(nèi)容符合您的需求后進(jìn)行下載,若出現(xiàn)內(nèi)容與標(biāo)題不符可向本站投訴處理。
4. 下載文檔時可能由于網(wǎng)絡(luò)波動等原因無法下載或下載錯誤,付費完成后未能成功下載的用戶請聯(lián)系客服處理。