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《ZnO的p型摻雜研究進(jìn)展.pdf》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在應(yīng)用文檔-天天文庫。
1、第38卷／第5期／河北師范大學(xué)學(xué)報／自然科學(xué)版／VO1．38NO．52014年9月JC)URNALOFHEBEINORMALUNIVERSITY／NaturaIScienceEdition／Sep．2014文章編號：1000-5854(2014)05—0530—05ZnO的P型摻雜研究進(jìn)展高波，崔紅，張艷峰，魏雨，郭晶華。(1．河北師范大學(xué)化學(xué)與材料科學(xué)學(xué)院，河北石家莊050024；2．河北交通職業(yè)技術(shù)學(xué)院教務(wù)處，河北石家莊0500353．勞倫斯伯克利國家實驗室先進(jìn)光源，加利福尼亞伯克利94720)摘要
2、：ZnO是一種寬帶隙Ⅱ～Ⅵ族半導(dǎo)體材料，由于其獨特的性能，如高電子遷移率、廣泛的激子結(jié)合能，是一種很有前途的光電器件材料；但因本征施主缺陷和施主雜質(zhì)引起的自補(bǔ)償效應(yīng)等很難使其有效地實現(xiàn)n型向P型導(dǎo)電的轉(zhuǎn)變．介紹了ZnO的P型摻雜機(jī)理、摻雜元素分類及國內(nèi)外對P型ZnO研究的最新進(jìn)展．關(guān)鍵詞：P型ZnO；摻雜機(jī)理；摻雜元素中圖分類號：O614．24文獻(xiàn)標(biāo)志碼：ADOI：10．11826／j．issn．1000—5854．2014．05．018ResearchProgressofP—typeDopingZnO
3、GAOBo，CUIHong。，ZHANGYanfeng，WEIYu，GUOJinghua(1．CollegeofChemistryandMaterialSciences，HebeiNormalUniversity，HebeiShijiazhuang050024，China；2．Dean’sOffice，HebeiJiaotongVocationandTechnicalCollege，HebeiShijiazhuang050035，China；3．AdvancedLightSource，LawrenceB
4、erkeleyNationalLaboratory，CaliforniaBerkeley94720，UnitedStates)Abstract：ZnOisaversatileII～VIgroupsemiconductormaterialwithawidebandgap．Itisapromisingmaterialforopto—electronicdeviceapplicationduetoitsuniquepropertys，suchashighelectronmobilityandlargeexci
5、tonbindingenergy．Thetransformationfromthen—typetop-typeisverydifficultowingtotheself-compensationeffectresultedfromthenativedonordefectsandimpurity．Thisreviewsummarizedthedopingmechanismofp-typeZnO，thelatestdevelopmentsofp-typedopedZnO，andtheclassificati
6、onofdopingelement．Keywords：P—typeZnO；dopingmechanism；dopingelementsZn0是一種Ⅱ～Ⅵ族寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有3種晶體結(jié)構(gòu)：纖鋅礦型、閃鋅礦型和鹽巖礦型．通常Zn0是六角纖鋅礦型，晶格常數(shù)口一0．3250nm，c一0．5205nm，熔點為1975℃，壓電常數(shù)為11．9pm／V．ZnO具有高的導(dǎo)電性、高化學(xué)穩(wěn)定性、壓電性、室溫鐵磁性和光纖化學(xué)傳感效應(yīng)，而且價格低廉，來源廣泛，激子結(jié)合能達(dá)6OmeV，禁帶寬度為3．37eVL1]．因此，ZnO
7、在光電器、傳感器、能源、生物醫(yī)學(xué)科學(xué)和電子學(xué)等領(lǐng)域具有很大的應(yīng)用前景_2]．研究表明，必須獲得性能良好的n型、P型材料，才能實現(xiàn)ZnO在光電領(lǐng)域中的廣泛應(yīng)用．目前人們通過摻雜已經(jīng)獲得了具有良好電學(xué)性能的n型ZnO．ZnO的P型摻雜也很早引起了注意，1983年，Kobayashi等【3預(yù)測氮元素是一種良好的ZnO中淺層P型摻雜劑，但由于ZnO存在諸多的本征施主缺陷，ZnO的P型摻雜研究沒有很大的進(jìn)展．2O世紀(jì)9o年代，GaN基光電子設(shè)備的成功商用，P型ZnO的研究又重新引起了人們的關(guān)注．因為ZnO和GaN
8、具有相似的特性，而且ZnO的一些性能比GaN收稿日期：2013-10—24；修回日期：2014—03—03基金項目：國家自然科學(xué)基金(11179029)；河北省科技支撐計劃(1221561ID)作者簡介：高波(1988一)，女，河北張家口人，碩士研究生，研究方向為納米二氧化鈦及其性能．進(jìn)信作者：張艷峰(I969一)，女，教授，博士，主要從事納米二氧化鈦及其性能的研究．E—mail：zhangyanfeng@mail．hebtu．edu．cn
