plc運料小車課程設計.doc

plc運料小車課程設計.doc

ID:55089389

大小:84.50 KB

頁數:11頁

時間:2020-04-27

plc運料小車課程設計.doc_第1頁
plc運料小車課程設計.doc_第2頁
plc運料小車課程設計.doc_第3頁
plc運料小車課程設計.doc_第4頁
plc運料小車課程設計.doc_第5頁
資源描述:

《plc運料小車課程設計.doc》由會員上傳分享,免費在線閱讀,更多相關內容在工程資料-天天文庫。

1、課程設計題目:計數、顯示系統(tǒng)設計專業(yè):機電一體化班級:07151學號:姓名:李辰LED顯示器的計數值的計數、顯示系統(tǒng)設計目錄一、單片機的發(fā)展與發(fā)展方向二、8031最小系統(tǒng)的簡介三、單片機引腳功能介紹四、計數、顯示系統(tǒng)的總體設計五、計數、顯示系統(tǒng)的硬件原理圖六、系統(tǒng)程序設計七、結論八、參考文獻一、單片機的發(fā)展與發(fā)展方向單片機的發(fā)展?單片機作為微型計算機的一個重要分支,應用面很廣,發(fā)展很快。自單片機誕生至今,已發(fā)展為上百種系列的近千個機種。?2、單片機發(fā)展簡史?如果將8位單片機的推出作為起點,那么單片機的發(fā)展歷史大致可分為以下幾個階段?(1)第一階段(1976-19

2、78):單片機的控索階段。以Intel公司的MCS?–?48為代表。MCS?–?48的推出是在工控領域的控索,參與這一控索的公司還有Motorola?、Zilog等,都取得了滿意的效果。這就是SCM的誕生年代,“單機片”一詞即由此而來。?(2)第二階段(1978-1982)單片機的完善階段。Intel公司在MCS?–?48?基礎上推出了完善的、典型的單片機系列MCS?–51。它在以下幾個方面奠定了典型的通用總線型單片機體系結構。?①完善的外部總線。MCS-51設置了經典的8位單片機的總線結構,包括8位數據總線、16位地址總線、控制總線及具有很多機通信功能的串行通

3、信接口。?②CPU外圍功能單元的集中管理模式。?③體現工控特性的位地址空間及位操作方式。?④指令系統(tǒng)趨于豐富和完善,并且增加了許多突出控制功能的指令。?(3)第三階段(1982-1990):8位單片機的鞏固發(fā)展及16位單片機的推出階段,也是單片機向微控制器發(fā)展的階段。Intel公司推出的MCS?–?96系列單片機,將一些用于測控系統(tǒng)的模數轉換器、程序運行監(jiān)視器、脈寬調制器等納入片中,體現了單片機的微控制器特征。隨著MCS?–?51系列的廣應用,許多電氣廠商競相使用80C51為內核,將許多測控系統(tǒng)中使用的電路技術、接口技術、多通道A/D轉換部件、可靠性技術等應用到

4、單片機中,增強了外圍電路路功能,強化了智能控制的特征。?(4)第四階段(1990—):微控制器的全面發(fā)展階段。隨著單片機在各個領域全面深入地發(fā)展和應用,出現了高速、大尋址范圍、強運算能力的8位/16位/32位通用型單片機,以及小型廉價的專用型單片機。?1.2.2?單片機的發(fā)展趨勢?目前,單片機正朝著高性能和多品種方向發(fā)展趨勢將是進一步向著CMOS化、低功耗、小體積、大容量、高性能、低價格和外圍電路內裝化等幾個方面發(fā)展。下面是單片機的主要發(fā)展趨勢。?CMOS化?近年,由于CHMOS技術的進小,大大地促進了單片機的CMOS化。CMOS芯片除了低功耗特性之外,還具有功

5、耗的可控性,使單片機可以工作在功耗精細管理狀態(tài)。這也是今后以80C51取代8051為標準MCU芯片的原因。因為單片機芯片多數是采用CMOS(金屬柵氧化物)半導體工藝生產。CMOS電路的特點是低功耗、高密度、低速度、低價格。采用雙極型半導體工藝的TTL電路速度快,但功耗和芯片面積較大。隨著技術和工藝水平的提高,又出現了HMOS(高密度、高速度MOS)和CHMOS工藝。CHMOS和HMOS工藝的結合。目前生產的CHMOS電路已達到LSTTL的速度,傳輸延遲時間小于2ns,它的綜合優(yōu)勢已在于TTL電路。因而,在單片機領域CMOS正在逐漸取代TTL電路。?低功耗化?單片

6、機的功耗已從Ma級,甚至1uA以下;使用電壓在3~6V之間,完全適應電池工作。低功耗化的效應不僅是功耗低,而且?guī)砹水a品的高可靠性、高抗干擾能力以及產品的便攜化。?低電壓化?幾乎所有的單片機都有WAIT、STOP等省電運行方式。允許使用的電壓范圍越來越寬,一般在3~6V范圍內工作。低電壓供電的單片機電源下限已可達1~2V。目前0.8V供電的單片機已經問世。?低噪聲與高可靠性?為提高單片機的抗電磁干擾能力,使產品能適應惡劣的工作環(huán)境,滿足電磁兼容性方面更高標準的要求,各單片廠家在單片機內部電路中都采用了新的技術措施。?大容量化?以往單片機內的ROM為1KB~4KB

7、,RAM為64~128B。但在需要復雜控制的場合,該存儲容量是不夠的,必須進行外接擴充。為了適應這種領域的要求,須運用新的工藝,使片內存儲器大容量化。目前,單片機內ROM最大可達64KB,RAM最大為2KB。?高性能化?主要是指進一步改進CPU的性能,加快指令運算的速度和提高系統(tǒng)控制的可靠性。采用精簡指令集(RISC)結構和流水線技術,可以大幅度提高運行速度。現指令速度最高者已達100MIPS(Million?Instruction?Per?Seconds,即兆指令每秒),并加強了位處理功能、中斷和定時控制功能。這類單片機的運算速度比標準的單片機高出10倍以上。

8、由于這類單片機有極高的指

當前文檔最多預覽五頁,下載文檔查看全文

此文檔下載收益歸作者所有

當前文檔最多預覽五頁,下載文檔查看全文
溫馨提示:
1. 部分包含數學公式或PPT動畫的文件,查看預覽時可能會顯示錯亂或異常,文件下載后無此問題,請放心下載。
2. 本文檔由用戶上傳,版權歸屬用戶,天天文庫負責整理代發(fā)布。如果您對本文檔版權有爭議請及時聯(lián)系客服。
3. 下載前請仔細閱讀文檔內容,確認文檔內容符合您的需求后進行下載,若出現內容與標題不符可向本站投訴處理。
4. 下載文檔時可能由于網絡波動等原因無法下載或下載錯誤,付費完成后未能成功下載的用戶請聯(lián)系客服處理。