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1、第52卷第l1期電測(cè)與儀表V01．52N0．112015年6月lO日ElectricalMeasurement&InstrumentationJun．10。2015大功率SiCMOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)彭詠龍，李榮榮，李亞斌(華北電力大學(xué)電氣與電子工程學(xué)院，河北保定071003)摘要：在實(shí)際工程應(yīng)用的基礎(chǔ)上，針對(duì)50kW／1MHz的高頻感應(yīng)加熱大功率SiCMOSFET電路要求及SiCMOS．FET開(kāi)關(guān)特性進(jìn)行開(kāi)發(fā)研究。通過(guò)對(duì)SiCMOSFET的開(kāi)通過(guò)程特性進(jìn)行詳細(xì)研究，得出使其可靠、安全驅(qū)動(dòng)的要求，在現(xiàn)有已經(jīng)成熟應(yīng)用
2、的SiMOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)上對(duì)其進(jìn)行改進(jìn)，研究適合工作在兆赫范圍內(nèi)的SiCMOSFET驅(qū)動(dòng)電路。并采用雙脈沖實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證所設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路的基本特性及確定最佳門極電阻參數(shù)。關(guān)鍵詞：SiCMOSFET；開(kāi)關(guān)特性；驅(qū)動(dòng)電路；雙脈沖實(shí)驗(yàn)中圖分類號(hào)：TM13文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：B文章編號(hào)：1001—1390(2015)11—0074—05DesignofhighpowerSiCMOSFETdrivercircuitPengYonglong，LiRongrong，LiYabin(SchoolofElectricalandElectron
3、icEngineering，NorthChinaElectricPowerUniversity，Baoding071003，Hebei，China)Abstract：Onthebasisofprojectapplication，onekindofdrivercircuitforSiCMOSFETwasdiscussedaccordingtotherequirementsof50kW／IMHzhighpowerSiCMOSFETcircuit，andtheswitchingcharacteristicsofSiCMO
4、SFET．ThroughresearchingtheprocessofopeningthecharacteristicsofSiCMOSFETindetail，eolnetomakeitsreliable，safedrivingrequirements，toimproveitinSiMOSFETdrivercircuit—basedapplicationsonexistingmature，researchforthejobinthemegahe~zrangeofSiCMOSFETdrivercircuit．Theb
5、asiccharacteristicsofthedrivercircuitusingdouble-pulseexperimentsverifythebasiccharacteristicsofdesigneddrivercircuitanddeterminetheoptimalparame—tersofthegateresistance．Keywords：SiCMOSFET，switchingcharacteristics，drivercircuit，double—pulseexperiment0引言大，而電壓U變
6、為負(fù)值時(shí)，GS兩端的氧化層電容回碳化硅(SiliconCarbride，SiC)是一種具有寬禁增大，這會(huì)增加MOSFET開(kāi)通及關(guān)斷時(shí)所需的電荷帶、高擊穿電場(chǎng)、高飽和漂移速度和高熱導(dǎo)率等優(yōu)越量，從而影響開(kāi)關(guān)速度。故完全套用SiMOSFET的電學(xué)特性的材料¨1]，與其他材料相比其更適合在高驅(qū)動(dòng)方式，來(lái)驅(qū)動(dòng)SiCMOSFET是不合理的，而是應(yīng)溫、高功率和高頻的特殊條件下工作，故該材料一經(jīng)對(duì)SiCMOSFET驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行精心設(shè)計(jì)。誕生就引起了人們的廣泛關(guān)注。電力電子行業(yè)的發(fā)本文在對(duì)SiCMOSFET的開(kāi)通過(guò)程特性進(jìn)行詳展一
7、直與半導(dǎo)體器件的發(fā)展密切相關(guān)。在行業(yè)對(duì)高細(xì)分析后，得出使其可靠、安全驅(qū)動(dòng)的要求，在現(xiàn)有頻化、大功率化提出更高要求的情況下，大功率高頻已經(jīng)成熟應(yīng)用的SiMOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)上對(duì)其進(jìn)感應(yīng)加熱技術(shù)對(duì)SiCMOSFET的應(yīng)用也進(jìn)人了積極行改進(jìn)，研究適合工作在兆赫范圍內(nèi)的SiCMOSFET探索階段。驅(qū)動(dòng)電路。從實(shí)際工程應(yīng)用的角度出發(fā)，對(duì)大功率由于SiC材料的禁帶寬度和擊穿場(chǎng)強(qiáng)遠(yuǎn)高于Si高頻感應(yīng)加熱電路的SiCMOSFET進(jìn)行驅(qū)動(dòng)電路開(kāi)等材料，故在相同的耐壓水平下，SiCMOSFET的寄發(fā)設(shè)計(jì)，并采用雙脈沖實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證所設(shè)計(jì)驅(qū)
8、動(dòng)電路的生電容遠(yuǎn)小于SiMOSFET，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的寄生參數(shù)更基本特性及確定最佳門極電阻參數(shù)。加敏感。SiCMOSFET更適合在一2V～+20V的驅(qū)1SiCMOSFET導(dǎo)通過(guò)程分析動(dòng)電壓下工作，與SiMOSFET的0V一+15V區(qū)別較SiCMOSFET的開(kāi)關(guān)過(guò)程主要受其動(dòng)態(tài)特性參．—-——74·-．——第52卷第11期電測(cè)與儀表VOl，52N0．112015年
