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1、LED芯片制造工藝流程簡介范青青2011年5月18日主要內容LED的簡單介紹LED芯片制造流程簡介LED是LightEmittingDiode的英文縮寫，中文稱為發(fā)光二極管。發(fā)光二極管(LED)是由數層很薄的攙雜半導體材料制成，一層帶過量的電子，另一層因缺乏電子而形成帶正電的“空穴”，當有電流通過時，電子和空穴相互結合并釋放出能量，從而輻射出光芒。LED的簡單介紹：LED芯片的應用：LED芯片制造流程示意圖：藍寶石襯底（Al2O3)（襯底廠商提供）PSS工藝PatternedSapphireSubstrate圖形化藍寶石襯底減小反向漏電，提高LED壽命，增強發(fā)光亮度生長
2、外延層（EPI）藍寶石襯底N-GaNP-GaN芯片前段工藝（wafer）芯片后段工藝（chip）封裝臺階光刻前清洗打印流程卡、標簽、分批次防止混片清潔晶片表面防止臺階光刻后圖形不標準Mesa光刻用光刻膠做出Mesa圖形PR保護P型層，露出N電極位置N-GaN藍寶石襯底P-GaNPRMesa干法刻蝕無光刻膠保護的地方被刻蝕到N型層露出N電極處的外延層N-GaN藍寶石襯底P-GaNPRN電極處發(fā)光區(qū)切割道CBL沉積CBL(CurrentBlockingLayer)電流阻擋層具有擴展表面電流作用CBL光刻有光刻膠無光刻膠CBL蝕刻采用濕法蝕刻（氫氟酸）將沒有光刻膠保護的地方的
3、SiO2蝕刻掉SiO2外延N型層外延P型層ITO沉積ITO（銦錫氧化物），導電性和透光性好作為電流擴展層，有利于芯片的光電性能N-GaN藍寶石襯底P-GaNITOSiO2（底層）+ITO（頂層）ITOITO光刻N-GaN藍寶石襯底P-GaNITOPRITO將需要ITO的區(qū)域（發(fā)光區(qū)）用光刻膠保護住，為下一步蝕刻做出圖形SiO2（底層）+ITO（頂層）SiO2（底層）+ITO（中層）+PRITO（底層）+PR（頂層）ITO蝕刻采用濕法蝕刻，用ITO蝕刻液蝕刻ITO（鹽酸和氯化鐵等），用HF酸蝕刻SiO2將沒有光刻膠保護的地方的ITO和SiO2蝕刻掉外延P型層外延N型層N-
4、GaN藍寶石襯底P-GaNPRITOITOSiO2（底層）+ITO（頂層）預退火進行高溫熱處理，可降低正向電壓、有利于電流擴展層表面接觸的形成，提高了出光效率Metal光刻用光刻膠形成電極圖形有光刻膠無光刻膠N-GaN藍寶石襯底P-GaNITOPR灰化（Ashing）酸洗等離子去膠：利用氧氣、氮氣等氣體清潔芯片表面，使得光刻膠表面更平整，且可去除電極處的負膠提高電極粘附性N-GaN藍寶石襯底P-GaNITOPRPadMetal蒸鍍沉積Cr.Ni.Au.Ti四種金屬剝離（lift-off）將電極以外的金屬剝離掉N-GaNSapphireP-GaNITOPadPad外延P型
5、層MetalITOSiO2（底層）+Metal（頂層）鈍化層沉積等離子體增強化學汽相沉積(PECVD)PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition）用SiO2薄膜做鈍化層，防止短路，避免雜質原子對芯片表面的吸附，保護芯片（ITO膜），提高發(fā)光效率鈍化層光刻做出鈍化層圖形有光刻膠無光刻膠N-GaNSapphireP-GaNITOPadPadPRSiO2鈍化層蝕刻采用干法蝕刻將沒有光刻膠保護的地方的SiO2蝕刻掉外延層+SiO2外延層+金屬層外延層+ITO+SiO2外延層+SiO2+ITO+SiO2N-GaNSapphireP-GaNITOPa
6、dPadSiO2快速退火進行高溫熱處理，模擬客戶使用環(huán)境，對不良芯粒做一次篩選BST模擬客戶打線測試電極粘附性前段工藝結束研磨減薄自動目檢測試劃裂分選包裝、出貨謝謝！
