半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識場效應(yīng)管課件.ppt

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1、項(xiàng)目0半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識1.4場效應(yīng)管場效應(yīng)晶體管(單極型)是利用電場效應(yīng)來控制電流的一種半導(dǎo)體器件,即是電壓控制元件。它的輸出電流決定于輸入電壓的大小,基本上不需要信號源提供電流,所以它的輸入電阻高,且溫度穩(wěn)定性好。結(jié)型場效應(yīng)管按結(jié)構(gòu)不同場效應(yīng)管有兩種:絕緣柵型場效應(yīng)管本節(jié)僅介紹絕緣柵型場效應(yīng)管按工作狀態(tài)可分為:增強(qiáng)型和耗盡型兩類每類又有N溝道和P溝道之分11.2.1數(shù)字投音器場效應(yīng)管分成的JFET(結(jié)型場效應(yīng)管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)兩大類。場效應(yīng)管場效應(yīng)管有3個(gè)管腳:G—柵極(gate)D—漏極(drain)S—源

2、極(source)絕緣柵場效應(yīng)管漏極D柵極和其它電極及硅片之間是絕緣的,稱絕緣柵型場效應(yīng)管。金屬電極柵極G源極S1、N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)SiO2絕緣層P型硅襯底高摻雜N區(qū)在P型襯擴(kuò)散兩種N型半導(dǎo)體。絕緣柵場效應(yīng)管GSD符號:由于柵極是絕緣的,柵極電流幾乎為零,輸入電阻很高,最高可達(dá)1015?。僅在漏極D和源極S之間加電壓不會導(dǎo)通。由于金屬柵極和半導(dǎo)體之間的絕緣層目前常用二氧化硅,故又稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管,簡稱MOS場效應(yīng)管。Metal-Oxide-Semicnductor2、N溝道增強(qiáng)型管的工作原理由結(jié)構(gòu)圖可見,N

3、+型漏區(qū)和N+型源區(qū)之間被P型襯底隔開,漏極和源極之間是兩個(gè)背靠背的PN結(jié)。當(dāng)柵源電壓UGS=0時(shí),不管漏極和源極之間所加電壓的極性如何,其中總有一個(gè)PN結(jié)是反向偏置的,反向電阻很高,漏極電流近似為零。SD絕緣柵場效應(yīng)管GP型硅襯底N+N+SDUGS+–當(dāng)UGS>0時(shí),P型襯底中的電子受到電場力的吸引到達(dá)表層,填補(bǔ)空穴形成負(fù)離子的耗盡層;N型導(dǎo)電溝道在漏極電源的作用下將產(chǎn)生漏極電流ID,管子導(dǎo)通。當(dāng)UGS>UGS(th)時(shí),將出現(xiàn)N型導(dǎo)電溝道,將D-S連接起來。UGS愈高,導(dǎo)電溝道愈寬。UGS+–UDS+–GP型硅襯底N+N+SD有導(dǎo)電

4、溝道(1)轉(zhuǎn)移特性曲線:UDS一定時(shí)UGS與ID的關(guān)系無導(dǎo)電溝道開啟電壓UGS(th)UDSUGS/當(dāng)UGS<UTh時(shí),ID=0;當(dāng)UGS=UTh(圖中2V)時(shí);管子開始導(dǎo)通;當(dāng)UGS>UTh時(shí),ID隨UGS的增大而增大。ID/mAUDS/VoUGS=1VUGS=2VUGS=3VUGS=4V漏極特性曲線恒流區(qū)可變電阻區(qū)夾斷區(qū)(2)輸出特性輸出特性是指在某一固定的UGS下,漏源電壓UDS與漏極電流ID之間的關(guān)系a.可變電阻區(qū)曲線呈上升趨勢,基本上可看做通過原點(diǎn)的一條直線,管子的漏-源之間可等效為一個(gè)電阻,此電阻的大小隨UGS而變,故稱為可

5、變電阻區(qū)。ID/mAUDS/VoUGS=1VUGS=2VUGS=3VUGS=4V漏極特性曲線恒流區(qū)可變電阻區(qū)夾斷區(qū)b.恒流區(qū)隨著UDS增大,曲線趨于平坦,ID不再隨UDS的增大而增大,故稱為恒流區(qū)。此時(shí)ID的大小只受UGS控制,體現(xiàn)了場效應(yīng)管電壓控制電流的放大作用。c.夾斷區(qū)特點(diǎn)是當(dāng)UGS<UTh時(shí),溝道消失,ID=0。結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)(以N溝為例)兩個(gè)PN結(jié)夾著一個(gè)N型溝道。三個(gè)電極:g:柵極d:漏極s:源極符號:N溝道P溝道場效應(yīng)管與三極管場效應(yīng)管三極管誰來控制“夾鉗”?N型結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)誰來控制

6、“夾鉗”?N型結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)誰來控制“夾鉗”?N型結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)特性曲線結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)(1)轉(zhuǎn)移特性曲線:iD=f(uGS)│uDS=常數(shù)UGSIDUGS(off)柵源截止電壓特性曲線結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)(2)輸出特性曲線:iD=f(uDS)│uGS=常數(shù)UDSIDUGS=0UGS=-1VUGS=-2VUGS=-3VUGS=-4V結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)特性曲線(2)輸出特性曲線:iD=f(uDS)│uGS=常數(shù)可變電阻區(qū)管子相當(dāng)于一個(gè)電阻器,阻值受UGS控制,稱為壓控電阻。截止區(qū)UGS=UGS(off

7、),ID≈0恒流區(qū)ID幾乎不隨UDS變化,只隨UGS變化。擊穿區(qū)結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)UGSIDUGS(off)UGS(off)N型P型

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