MEMS標(biāo)準(zhǔn)工藝介紹.pdf

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1、MEMS標(biāo)準(zhǔn)工藝介紹北京大學(xué)微電子所2001年12月13日主要內(nèi)容￠體硅工藝I￠體硅工藝II￠表面工藝體硅工藝I---定義鍵合區(qū)￠光刻（1#掩模版正版）￠刻蝕淺槽（4μm）￠RIE或KOH體硅工藝I---定義鍵合區(qū)￠光刻（1#掩模版正版）￠刻蝕淺槽（4μm）鍵合層：￠RIE或KOH最小尺寸：100μm版圖鏡向體硅工藝I---擴散摻雜￠離子注入，形成接觸區(qū)￠用于輕摻雜襯底體硅工藝I---形成金屬電極￠光刻（2＃掩模版負(fù)版）￠腐蝕玻璃形成淺槽（1200?）￠濺射Ti/Pt/Au￠剝離形成金屬電極體硅工藝I---形成金屬電極￠光刻（2＃掩模版負(fù)版）￠腐蝕玻璃形成淺

2、槽（1200?）金屬電極：￠濺射Ti/Pt/Au最小寬度10μm￠剝離形成金屬電極最小間距10μm體硅工藝I---硅/玻璃陽極鍵合￠雙面對準(zhǔn)￠鍵合誤差5μm體硅工藝I---硅片減薄￠減?。?0－100μm）￠KOH腐蝕￠機械減薄￠玻璃面劃片體硅工藝I---ICP刻蝕￠濺射Al￠光刻（3＃掩模版正版）￠刻蝕Al￠ICP刻蝕Si，釋放結(jié)構(gòu)體硅工藝I---ICP刻蝕￠濺射Al￠光刻（3＃掩模版正版）結(jié)構(gòu)層：￠刻蝕Al最小寬度：43μm最小間距：3μm￠ICP刻蝕Si，釋放結(jié)構(gòu)體硅工藝I---ICP刻蝕￠濺射Al￠光刻（3＃掩模版正版）結(jié)構(gòu)層：￠刻蝕Al最大兩端固定

3、梁長度2000μm最大懸臂梁長度800μm￠ICP刻蝕Si，釋放結(jié)構(gòu)體硅工藝II---定義鍵合區(qū)￠光刻（1#掩模版正版）￠刻蝕淺槽（4μm）￠RIE或KOH體硅工藝II---濃硼擴散￠濃硼擴散，定義結(jié)構(gòu)層￠擴散深度15－20μm體硅工藝II---ICP刻蝕￠光刻（2#掩模版正版）￠ICP刻蝕，預(yù)釋放結(jié)構(gòu)體硅工藝II---形成金屬電極￠光刻（3＃掩模版負(fù)版）￠腐蝕玻璃形成淺槽（1200?）￠濺射Ti/Pt/Au￠剝離形成金屬電極體硅工藝II---鍵合￠鍵合￠劃片體硅工藝II---結(jié)構(gòu)釋放￠EDP腐蝕（自停止）表面工藝---下層電極￠淀積氧化硅（3000?）￠淀

4、積氮化硅（2000?）￠淀積多晶硅（3000?）￠光刻（1＃掩模版正版）￠刻蝕多晶硅表面工藝---下層電極￠淀積氧化硅（3000?）￠淀積氮化硅（2000?）￠淀積多晶硅（3000?）下電極層：￠光刻（1＃掩模版正版）最小寬度：5μm￠刻蝕多晶硅表面工藝---犧牲層￠淀積PSG(2μm)￠光刻（2#掩模版負(fù)版）￠刻蝕PSG（2000?）表面工藝---犧牲層￠淀積PSG(2μm)￠光刻（2#掩模版負(fù)版）凸點層：最小寬度：3μm￠刻蝕PSG（2000?）最小間距：30μm表面工藝---刻蝕支撐點￠光刻（2#掩模版負(fù)版）￠刻蝕PSG表面工藝---刻蝕支撐點￠光刻（

5、2#掩模版負(fù)版）￠刻蝕PSG支撐層：最小寬度：4μm表面工藝---淀積多晶硅￠淀積多晶硅（2μm）￠應(yīng)力調(diào)整表面工藝---刻蝕多晶硅￠光刻（4#掩模版正版）￠刻蝕多晶硅表面工藝---刻蝕多晶硅￠光刻（4#掩模版正版）結(jié)構(gòu)層：￠刻蝕多晶硅最小梁寬度2μm最小梁間距2μm表面工藝---刻蝕多晶硅￠光刻（4#掩模版正版）結(jié)構(gòu)層：最大兩端固定梁長度:￠刻蝕多晶硅800μm最大懸臂梁長度:300μm表面工藝---釋放結(jié)構(gòu)￠犧牲層腐蝕￠防粘附處理結(jié)束