PECVD沉積速率和清洗速率.ppt

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1、實(shí)驗(yàn)總綱實(shí)驗(yàn)?zāi)康模航ECVD基本參數(shù)實(shí)驗(yàn)方法:在SiO2表面上正光阻,曝光顯影后,用BOE去光阻,最后用臺階儀測量深度,計(jì)算得出速率。實(shí)驗(yàn)步驟首先設(shè)定實(shí)驗(yàn)參數(shù)SiH4/ArN2O壓強(qiáng)溫度RF時間30sccm400sccm135Pa300℃30W24m按設(shè)定的參數(shù)沉積SiO2,測量致密性,然后拿去曝光顯影。BOE蝕刻后,去掉光阻,可以用臺階儀測量高度了。測量和搜集數(shù)據(jù)。測點(diǎn)上中下左右平均值片1705270127532685168837067片2821470648020772068987583片3687572928680717068867380經(jīng)計(jì)

2、算得出PECVD的沉積速率是5.10A/s蝕刻芯片使用清腔氣體蝕刻上有SiO2的芯片,以判別該器臺的蝕刻速率,更好的掌握清腔的時間。首先設(shè)定實(shí)驗(yàn)參數(shù)CF4O2壓強(qiáng)溫度RF時間100sccm100sccm200Pa300℃250W6m把之前的芯片放進(jìn)去,然后啟動清腔程序,最后測量高度。用原來的高度減去蝕刻后的高度,就能得出蝕刻的高度。測點(diǎn)上中下左右平均值片1616964206289639664166338片2673765146721671363796612片3664664086085626663616357經(jīng)計(jì)算得清腔氣體蝕刻SiO2速率是2.52A

3、。實(shí)驗(yàn)完畢2010.08.02

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