硅PNP雙極型晶體管(器件工藝技術(shù))課件.ppt

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1、硅PNP雙極型晶體管PNPBipolarJunctionTransistors小組成員李釗戴金銳王偉利集成10半導(dǎo)體制造工藝1目錄（1）器件的應(yīng)用（2）器件的結(jié)構(gòu)及名稱（3）器件的制作工藝（4）器件的發(fā)展歷程（5）雙極型器件的擴(kuò)展一、器件的應(yīng)用雙極性晶體管能夠放大信號(hào),提供較高的跨導(dǎo)和輸出電阻，并且具有較好的功率控制、高速工作以及耐久能力，所以它常被用來構(gòu)成放大器電路，或驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器、電動(dòng)機(jī)等設(shè)備，并被廣泛地應(yīng)用于航空航天工程、醫(yī)療器械和機(jī)器人等應(yīng)用產(chǎn)品中。并且可以將它控制在截止和飽和狀態(tài)下用作開關(guān)器件。二、器件的結(jié)構(gòu)圖平衡條件下的PNP三極管的示意圖三極管俯視圖三

2、極管剖面圖C：collector集電區(qū)B：base基區(qū)E：emitter發(fā)射區(qū)三、器件的制作工藝四.雙極結(jié)型晶體管的發(fā)展歷史1947.12.23日第一只點(diǎn)接觸晶體管誕生-BellLab.(Bardeen、Shockley、Brattain)1949年提出PN結(jié)和雙極結(jié)型晶體管理論-BellLab.(Shockley)1951年制造出第一只鍺結(jié)型晶體管-BellLab.(Shockley)1956年制造出第一只硅結(jié)型晶體管-美德州儀器公司（TI）1956年Bardeen、Shockley、Brattain獲諾貝爾獎(jiǎng)1956年中國制造出第一只鍺結(jié)型晶體管-（吉林大學(xué)高鼎三）19

3、70年硅平面工藝成熟，雙極結(jié)型晶體管大批量生產(chǎn)在圖中的異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管中，基極區(qū)域的能隙分布不均勻有利于少數(shù)載流子（電子）通過基極區(qū)域。圖中淺藍(lán)色表示耗盡層。五.雙極型器件的擴(kuò)展——異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管（heterojunctionbipolartransistor）是一種改良的雙極性晶體管，它具有高速工作的能力。研究發(fā)現(xiàn)，這種晶體管可以處理頻率高達(dá)幾百GHz的超高頻信號(hào)，因此它適用于射頻功率放大、激光驅(qū)動(dòng)等對工作速度要求苛刻的應(yīng)用。異質(zhì)結(jié)是PN結(jié)的一種，這種結(jié)的兩端由不同的半導(dǎo)體材料制成。在這種雙極性晶體管中，發(fā)射結(jié)通常采用異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，即發(fā)射極區(qū)域采用寬

4、禁帶材料，基極區(qū)域采用窄禁帶材料。常見的異質(zhì)結(jié)用砷化鎵（GaAs）制造基極區(qū)域，用鋁-鎵-砷固溶體（AlxGa1-xAs）制造發(fā)射極區(qū)域。[1]:101采用這樣的異質(zhì)結(jié)，雙極性晶體管的注入效率可以得到提升，電流增益也可以提高幾個(gè)數(shù)量級(jí)。THANKS！