ccd成像cmos成像對比.doc

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1、成像過程　　CCD和CMOS使用相同的光敏材料，因而受光后產(chǎn)生電子的基本原理相同，但是讀取過程不同：CCD是在同步信號和時鐘信號的配合下以幀或行的方式轉(zhuǎn)移，整個電路非常復雜，讀出速率慢；CMOS則以類似DRAM的方式讀出信號，電路簡單，讀出速率高?！　〖啥取　〔捎锰厥庵圃旃に嚨腃CD讀出電路比較復雜，很難將A/D轉(zhuǎn)換、信號處理、自動增益控制、精密放大和存儲功能集成到一塊芯片上，一般需要多個芯片組合實現(xiàn)，同時還需要一個多通道非標準供電電壓。借助于大規(guī)模集成制造工藝，CMOS圖像傳感器能非常容易地把上述功能集成到單一芯片上，多數(shù)CMOS圖像傳感器同時具有模擬和數(shù)字輸出信號

2、?！　‰娫?、功耗和體積　　CCD需多種電源供電，功耗較大，體積也比較大。CMOS只需一個單電源(3V～5V)供電，其功耗相當于CCD的1/10，高度集成CMOS芯片可以做的相當小?！　⌒阅苤笜恕MOS圖像傳感器與CCD傳感器相比具有感光度低、信噪比高的缺點，但是其仍具有低功耗、低成本等優(yōu)點?！CD技術(shù)已經(jīng)相當成熟，而CMOS正處于蓬勃發(fā)展時期，雖然目前高端CMOS圖像質(zhì)量暫時不如CCD，但有些指標（如傳輸速率等方面）已超過CCD。由于CMOS具有諸多優(yōu)點，國內(nèi)外許多機構(gòu)已經(jīng)應(yīng)用CMOS圖像傳感器開發(fā)出眾多產(chǎn)品。