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1、第5章光電發(fā)射器件光電發(fā)射探測器是基于外光電效應(yīng)的器件,最典型的光電發(fā)射探測器是光電倍增管(PMT),本章主要介紹PMT的主要特性。使用要點、常用電路及選擇依據(jù)。5.1光電發(fā)射效應(yīng)當(dāng)光照射到某種物質(zhì)時,若入射的光子能量hv足夠大,它和物質(zhì)中的電子相互作用,致使電子逸出物質(zhì)表面,這種現(xiàn)象稱為光電發(fā)射效應(yīng),又稱為外光電效應(yīng)。能產(chǎn)生光電發(fā)射效應(yīng)的物體,稱為光電發(fā)射體,在光電管中稱為光陰極。光電子發(fā)射過程包括以下幾個階段:(1)光電發(fā)射體中的電子吸收入射光光子能量后其能量增大;(2)受激電子(得到光子能量的電子)從發(fā)射體內(nèi)向真空
2、界面運動;(3)電子越過發(fā)射體表面勢壘向真空(或其它介質(zhì))中逸出。但是電子從吸收光子能量到逸出發(fā)射體表面的時間是很短的,這個時間約為10-12s。光電發(fā)射基本定律斯托列托夫定律(光電發(fā)射第一定律):當(dāng)入射輻射的光譜分布不變時,發(fā)射的飽和光電流I與入射的幅通量(或光強)Φ成正比:I=SKΦ愛因斯坦定理(光電發(fā)射第二定律):發(fā)射的光電子的最大動能隨入射光子光頻率的增加而線性地增加,而與入射光地強度無關(guān):一、光電發(fā)射材料分為三類:純金屬材料、表面吸附一層其它元素原子的金屬和半導(dǎo)體材料。光電發(fā)射材料應(yīng)具備的條件:1、光吸收系數(shù)大
3、;2、光電子在體內(nèi)傳輸過程中受到的能量的損失小,使其逸出深度大;3、表面勢壘低,使表面逸出幾率大。金屬不能作為光電發(fā)射材料原因:半導(dǎo)體作為光電發(fā)射材料;負(fù)親和勢光電陰極。(a)金屬光電子發(fā)射體(b)具有正電子親和勢的半導(dǎo)體光電子發(fā)射體(c)具有負(fù)電子親和勢的半導(dǎo)體光電子發(fā)射體(一)常用的經(jīng)典發(fā)射材料1、銀氧銫陰極兩個峰值:可見和紅外,量子效率低,暗電流大;2、銻銫陰極量子效率高,光譜響應(yīng)窄,對紅光和紅外不靈敏;3、多堿光電陰極(響應(yīng)度高)(1)銻鉀鈉陰極(2)銻鉀鈉銫陰極4、紫外光電陰極(碲化銫)(二)負(fù)電子親和勢材料表
4、面區(qū)域能帶彎曲,真空能級降到導(dǎo)帶之下,從而使有效的電子親和勢為負(fù)值。與經(jīng)典的光電發(fā)射材料的區(qū)別:參與發(fā)射的電子是導(dǎo)帶的“熱化”電子或稱“冷”電子;NEA陰極中導(dǎo)帶的電子逸出真空不需作功;NEA是指在半導(dǎo)體內(nèi)的有效值。NEA陰極的特點:5.2光電管光電管分為真空型和充氣型兩種。在抽成真空或充以惰性氣體的玻璃泡內(nèi),設(shè)置陽極和對光敏感的陰極,就構(gòu)成了真空光電管和充氣光電管。5.3光電倍增管(PMT)光電倍增管把微弱入射光轉(zhuǎn)換成光電子,并獲得倍增的重要的真空光電發(fā)射器件。工作原理是建立在光電效應(yīng)、二次電子發(fā)射和電子光學(xué)的理論基礎(chǔ)
5、上的。(一)PMT的基本結(jié)構(gòu)與原理5.3.1光電倍增管的結(jié)構(gòu)光電倍增管主要由光入射窗口、光電陰極、電子光學(xué)輸入系統(tǒng)、二次發(fā)射倍增系統(tǒng)及陽極組成。側(cè)窗式:一般使用反射式光電陰極,大多數(shù)用于分光光度和光度測量中。端窗式:光電陰極沉積在入射窗的內(nèi)側(cè)面。為了使各處的靈敏度一致,陰極面做成半球狀。電子光學(xué)輸入系統(tǒng)主要起兩方面作用:一是使光電陰極發(fā)射的光電子盡可能全部會聚到第一倍增極上,而將其他部分的雜散熱電子散射掉,提高信噪比;二是使陰極面上各處發(fā)射的光電子在電子光學(xué)系統(tǒng)中渡越的時間盡可能相等,以保證光電倍增管的快速響應(yīng)。倍增系統(tǒng)
6、必須有高的倍增效益,增益A由下式?jīng)Q定:5.3.2PMT的基本特性參數(shù)1.靈敏度光譜響應(yīng)度陰極靈敏度陽極靈敏度2.放大倍數(shù)(電流增益)ε0為第一倍增極對陰極的電子收集效率,即光學(xué)系統(tǒng)的收集率;ε為倍增極間的傳遞效率;σ為次級發(fā)射系統(tǒng)的平均值;n為倍增極的級數(shù)。3.暗電流Id光電陰極和第一倍增極的熱電子發(fā)射;極間漏電流;離子和光的反饋作用;場致發(fā)射;放射性同位素和宇宙射線的影響減少暗電流的方法:直流補償、選頻、鎖相放大、制冷、電磁屏蔽和磁場散焦。在低電壓時,暗電流由漏電流決定;電壓較高時,主要是熱電子發(fā)射;電壓再高,則導(dǎo)致場
7、致發(fā)射和殘余氣體離子發(fā)射,使暗電流急劇增加,甚至可能發(fā)生自持放電。暗電流的補償方法:1、直流補償2、選頻和鎖相放大3、致冷4、電磁屏蔽5、磁場散焦4.PMT的噪聲(散粒噪聲、閃爍噪聲。熱噪聲)5.時間特性和頻率響應(yīng)6.線性度:不僅與PMT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)有關(guān),很大程度上取決于外部的高電壓供電電路及信號輸出電路。7、穩(wěn)定性(靈敏度的慢漂移,滯后效應(yīng))8、最小可探測功率(NEP)9、伏安特性10、磁場特性11、空間均勻性(一些電子偏離設(shè)計軌道、加漫射器)12、偏振效應(yīng)慢漂移主要是由于最后幾級倍增極在大量電子轟擊下受損,引起二次發(fā)射
8、系數(shù)變化。主要取決于陽極電流的大小。在PMT加上高壓或開始光照的短時間內(nèi),陽極輸出電流存在短暫的不穩(wěn)定,電流可能比穩(wěn)定值大,也可能小。5.3.3PMT的供電和信號輸出電路一、高壓供電1、供電電壓的極性(陽極接地、陰極接地)2、線性供電方式(1)直流信號(2)脈沖信號3、高壓電源二、信號輸出1、負(fù)載電阻輸出2、運放輸出