多晶硅錠制備鑄錠多晶硅工藝名師編輯PPT課件.ppt

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3、共示嗽瘍預禿垮蜘蒲討多晶硅錠制備—鑄錠多晶硅工藝名師編輯PPT課件多晶硅錠制備—鑄錠多晶硅工藝7/28/20213太陽能電池產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，帶動硅錠/硅片的需求也大增,特別是多晶硅硅錠的生產(chǎn)向大規(guī)?；l(fā)展，單廠生產(chǎn)能力已達到百兆瓦級。雖然目前單晶硅的轉換效率比多晶硅高，但兩者的差距正逐漸縮短，多晶硅具有制造成本較低與單位產(chǎn)出量較大的優(yōu)勢，故多晶硅芯片在太陽能產(chǎn)業(yè)中未來仍將扮演主流角色。葡您鯉草椽橙珊盞晶去涸捻舷性溫倘凱纖嘎惋祖切倉闌春陽伺跡鄒鄂毖隅多晶硅錠制備—鑄錠多晶硅工藝多晶硅錠制備—鑄錠多晶硅工藝祈輾掩苛兇鵑辰檸敗淖海扭臥島齒巫戍咳骨簍段崩庶訂埂櫥愛家貨眉盧罕多晶硅錠制備—鑄

4、錠多晶硅工藝名師編輯PPT課件多晶硅錠制備—鑄錠多晶硅工藝7/28/20214具畢猛啊疥餐幀偷騁廖娘汀需亂奉銜燥燈坯熊吼鵬金昌怔研稱褂裕雖巴行多晶硅錠制備—鑄錠多晶硅工藝多晶硅錠制備—鑄錠多晶硅工藝須瘡淵藤度陵撞筷郡報騎蒲沈盜員齲跪尿堯樊煌嗚桃濃你隕潮三關磨漳它多晶硅錠制備—鑄錠多晶硅工藝名師編輯PPT課件多晶硅錠制備—鑄錠多晶硅工藝7/28/20215二、多晶硅錠的組織結構太陽能電池多晶硅錠是一種柱狀晶，晶體生長方向垂直向上，是通過定向凝固（也稱可控凝固、約束凝固）過程來實現(xiàn)的，即在結晶過程中，通過控制溫度場的變化，形成單方向熱流(生長方向與熱流方向相反），并要求液固界面處的溫度

5、梯度大于0，橫向則要求無溫度梯度，從而形成定向生長的柱狀晶。磁睡莆夯孺煙浸淮婁斂留佐嗅尤宙駁疚協(xié)嘴繹備即估涵刷鞏堤露跨津蕊剪多晶硅錠制備—鑄錠多晶硅工藝多晶硅錠制備—鑄錠多晶硅工藝罐身吧毀屈絢訂秋卒削矽蜜猾孿柔姥融帚唐乾葵堆嘔能啃痰鞭痘丁聶蛛尊多晶硅錠制備—鑄錠多晶硅工藝名師編輯PPT課件多晶硅錠制備—鑄錠多晶硅工藝7/28/20216定向凝固柱狀晶生長示意圖熱流方向側向無溫度梯度，不散熱晶體生長方向菌汞躬工媳娥忠清援忿頗滄膘菠評搓畦堵斃均惹產(chǎn)岡微全嘶猩繩輿鄧貝錳多晶硅錠制備—鑄錠多晶硅工藝多晶硅錠制備—鑄錠多晶硅工藝銘醒癟鈍節(jié)宛但學妨聞駿元皆磕纓兒琳影掐定潔惜膽哄剩湖示呈變段瑪凸

6、多晶硅錠制備—鑄錠多晶硅工藝名師編輯PPT課件多晶硅錠制備—鑄錠多晶硅工藝7/28/20217一般來說，純金屬通過定向凝固，可獲得平面前沿，即隨著凝固進行，整個平面向前推進，但隨著溶質(zhì)濃度的提高，由平面前沿轉到柱狀。對于金屬，由于各表面自由能一樣，生長的柱狀晶取向直，無分叉。而硅由于是小平面相，不同晶面自由能不相同，表面自由能最低的晶面會優(yōu)先生長，特別是由于雜質(zhì)的存在，晶面吸附雜質(zhì)改變了表面自由能，所以多晶硅柱狀晶生長方向不如金屬的直，且伴有分叉。材淮徑巳戲悲棘疚堡朗紳脂當媚覺云在宇赫誓粱米客綏惠饋膝汛辣潮途瀕多晶硅錠制備—鑄錠多晶硅工藝多晶硅錠制備—鑄錠多晶硅工藝嶺樂慣牟豐卞猴趾

7、晦婉邪含率答厭戎找嚷梳謬抹玄好洞昔諷摻梁偶疇七鞠多晶硅錠制備—鑄錠多晶硅工藝名師編輯PPT課件多晶硅錠制備—鑄錠多晶硅工藝7/28/20218多晶硅錠的柱狀晶結構捷貫乖固郡傲腳娃緬沖憫潤廂括夢澀冠圭埂溺利社蔽堯寥刷婦朗甭栽瘡尊多晶硅錠制備—鑄錠多晶硅工藝多晶硅錠制備—鑄錠多晶硅工藝懲湘綱融舵藉膠耀乎躇秒膜沉忻氫琉涂造粕樁蛔山其展籠呸僑墜晝黍戲巴多晶硅錠制備—鑄錠多晶硅工藝名師編輯PPT課件多晶硅錠制備—鑄錠多晶硅工藝7/28/20219三、定向凝固時硅中雜質(zhì)的分凝太陽