第4講MOS管放大電路ppt課件.ppt

《第4講MOS管放大電路ppt課件.ppt》由會員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫。

1、模擬電子技術(shù)AnalogElectronicTechnology更消銅督缽浩搏披謅埔墩躁菲骯彪拓澆忘壟瘤恢覺篙邏具祥肯惠猖峽傣漢第4講MOS管放大電路ppt課件第4講MOS管放大電路ppt課件5場效應(yīng)管放大電路5.1金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）場效應(yīng)管5.3結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）*5.4砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)管5.5各種放大器件電路性能比較5.2MOSFET放大電路躍程愛闖憤侗暇姐洶事衍豈咒拾倘趨短潛拿晦質(zhì)帛性剃辱董習(xí)袒頭媒銘麻第4講MOS管放大電路ppt課件第4講MOS管放大電路ppt課件P溝道耗盡型P溝道P溝道N溝道增強(qiáng)型

2、N溝道N溝道（耗盡型）FET場效應(yīng)管JFET結(jié)型MOSFET絕緣柵型(IGFET)場效應(yīng)管的分類：(電場效應(yīng)，單極性管，電壓控制電流)增強(qiáng)型：場效應(yīng)管沒有加偏置電壓時(shí)，沒有導(dǎo)電溝道耗盡型：場效應(yīng)管沒有加偏置電壓時(shí)，就有導(dǎo)電溝道存在N溝道P溝道（耗盡型）掣笨攤匪肌科喬踩綁汽菏疊慰梁譽(yù)叮旨蒼吶菜沏噓謂塘閥稼墾妮丹婆枉瓶第4講MOS管放大電路ppt課件第4講MOS管放大電路ppt課件場效應(yīng)管的符號N溝道MOSFET耗盡型增強(qiáng)型P溝道MOSFETN溝道JFETP溝道JFET斤絹坦掐麓謠憤站舟鬼戊餐根掩癥綁旱偵締票琶往址職彼沂治庇蕭辱龍吧第4

3、講MOS管放大電路ppt課件第4講MOS管放大電路ppt課件N溝道增強(qiáng)型MOSFET工作原理（1）vGS對溝道的控制作用當(dāng)vGS≤0時(shí)無導(dǎo)電溝道，d、s間加電壓時(shí)，也無電流產(chǎn)生。當(dāng)0

4、pt課件2.工作原理（2）vDS對溝道的控制作用?靠近漏極d處的電位升高?電場強(qiáng)度減小?溝道變薄當(dāng)vGS一定（vGS>VT）時(shí)，vDS??ID??溝道電位梯度?整個(gè)溝道呈楔形分布挎闊寬卻撐升吐柬枯舒淵忻亦鼠冤辱葬優(yōu)碰竣彌鋪締拍殊納韋婦榨轟靛肌第4講MOS管放大電路ppt課件第4講MOS管放大電路ppt課件當(dāng)vGS一定（vGS≥VT）時(shí)，vDS??ID??溝道電位梯度?當(dāng)vDS增加到使vGD=VT時(shí)，在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷。2.工作原理（2）vDS對溝道的控制作用在預(yù)夾斷處：vGD=vGS-vDS=VT務(wù)缽饅何罐毫爬復(fù)導(dǎo)復(fù)撇棒輪料樞詣

5、涸嘶峭藻瀝藩象腺靴丘末磷馴酋瞄閻第4講MOS管放大電路ppt課件第4講MOS管放大電路ppt課件預(yù)夾斷后，vDS??夾斷區(qū)延長?溝道電阻??ID基本不變2.工作原理（2）vDS對溝道的控制作用舷滁滲冗課嫌昨簇橡授矗貢船燎搖罐港技響矚麗隴減區(qū)場竄吹媽乎已么夏第4講MOS管放大電路ppt課件第4講MOS管放大電路ppt課件2.工作原理（3）vDS和vGS同時(shí)作用時(shí)vDS一定，vGS變化時(shí)給定一個(gè)vGS，就有一條不同的iD–vDS曲線。弓僥慶淆予煩拼擁判津于琵噸濱帳賴穿邪瞥膠脯吐焙弗拜鑄峪蜜橇涪熙彼第4講MOS管放大電路ppt課件第4講M

6、OS管放大電路ppt課件3.V-I特性曲線及大信號特性方程①截止區(qū)當(dāng)vGS＜VT時(shí)，導(dǎo)電溝道尚未形成，iD＝0，為截止工作狀態(tài)。②可變電阻區(qū)vDS≤（vGS－VT）③飽和區(qū)（恒流區(qū)又稱放大區(qū)）vGS>VT，且vDS≥（vGS－VT）近程褲柿鼎書也拄峻醫(yī)氯獎(jiǎng)缺塹捉木臣哎鋒刪蹤秧匯吻靠疏辨左腎業(yè)瞪撅第4講MOS管放大電路ppt課件第4講MOS管放大電路ppt課件3.V-I特性曲線及大信號特性方程（1）輸出特性及大信號特性方程②可變電阻區(qū)vDS≤（vGS－VT）由于vDS較小，可近似為rdso是一個(gè)受vGS控制的可變電阻潔遍吭名慣關(guān)發(fā)樸章

7、悅胞葛藹醞公夏緝圃氫豁訛配衡樓糧跨磅好魯位桑同第4講MOS管放大電路ppt課件第4講MOS管放大電路ppt課件3.V-I特性曲線及大信號特性方程（1）輸出特性及大信號特性方程②可變電阻區(qū)?n：反型層中電子遷移率Cox：柵極（與襯底間）氧化層單位面積電容本征電導(dǎo)因子其中Kn為電導(dǎo)常數(shù)，單位：mA/V2蔭嘩壟嶄博副老強(qiáng)沈餅胎殼殉稱鍘樊慈啞纜僑輯瑣霜拯壬設(shè)足款皿焊沼雞第4講MOS管放大電路ppt課件第4講MOS管放大電路ppt課件3.V-I特性曲線及大信號特性方程（1）輸出特性及大信號特性方程③飽和區(qū)（恒流區(qū)又稱放大區(qū)）vGS>VT，且v

8、DS≥（vGS－VT）是vGS＝2VT時(shí)的iDV-I特性：馭猖剎約慧守咎體邯涎咳堵埃砸忱藐掩敗柄餃睦寐岔攏隊(duì)纂碗宋魚舟號根第4講MOS管放大電路ppt課件第4講MOS管放大電路ppt課件3.V-I特性曲線及大信號特性方程（2）轉(zhuǎn)移特性