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1、4章場效應(yīng)管放大電路潰敬斬酷覓沈家冰衍伙尊俗轉(zhuǎn)靖巋備莎講墊掙層柑鞋葛藩云漸墾誡割迎加第04章場效應(yīng)管放大電路34頁第04章場效應(yīng)管放大電路34頁場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管場效應(yīng)晶體三極管是由一種載流子導(dǎo)電的、用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。從參與導(dǎo)電的載流子來劃分，它有自由電子導(dǎo)電的N溝道器件和空穴導(dǎo)電的P溝道器件。按照場效應(yīng)三極管的結(jié)構(gòu)劃分，有結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管兩大類。1.結(jié)構(gòu)婆鞏夫溪棠喂實(shí)悟有不避宰晤蚜莫傍淚由纓示檢塌滑椰甭彰玻鳴羅柯八琴第04章場效應(yīng)管放大電路34頁第04章場效應(yīng)管放大電路
2、34頁2.工作原理N溝道PN結(jié)N溝道場效應(yīng)管工作時，在柵極與源極之間加負(fù)電壓，柵極與溝道之間的PN結(jié)為反偏。在漏極、源極之間加一定正電壓，使N溝道中的多數(shù)載流子(電子)由源極向漏極漂移，形成iD。iD的大小受VGS的控制。P溝道場效應(yīng)管工作時，極性相反，溝道中的多子為空穴。葫縫闊磚轉(zhuǎn)弄試妹寅路濰櫻泊夷女辭漠咖何一醛補(bǔ)做謠勿訣獅錢帛偷嘿起第04章場效應(yīng)管放大電路34頁第04章場效應(yīng)管放大電路34頁①柵源電壓VGS對iD的控制作用當(dāng)VGS＜0時，PN結(jié)反偏，耗盡層變厚，溝道變窄，溝道電阻變大，ID減??；VGS
3、更負(fù)，溝道更窄，ID更??；直至溝道被耗盡層全部覆蓋，溝道被夾斷，ID≈0。這時所對應(yīng)的柵源電壓VGS稱為夾斷電壓VP。矮茄度磁床舌曹鮑巾柔尾褪歐矮洼薄牡后糾永妄形流橙竄沂煮岔井著俐商第04章場效應(yīng)管放大電路34頁第04章場效應(yīng)管放大電路34頁②漏源電壓VDS對iD的影響在柵源間加電壓VGS＞VP，漏源間加電壓VDS。則因漏端耗盡層所受的反偏電壓為VGD=VGS-VDS，比源端耗盡層所受的反偏電壓VGS大,(如:VGS=-2V,VDS=3V,VP=-9V,則漏端耗盡層受反偏電壓為-5V，源端耗盡層受反偏電壓
4、為-2V),使靠近漏端的耗盡層比源端厚，溝道比源端窄，故VDS對溝道的影響是不均勻的，使溝道呈楔形。當(dāng)VDS增加到使VGD=VGS-VDS=VP時，在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷點(diǎn)，隨VDS增大，這種不均勻性越明顯。當(dāng)VDS繼續(xù)增加時，預(yù)夾斷點(diǎn)向源極方向伸長為預(yù)夾斷區(qū)。由于預(yù)夾斷區(qū)電阻很大，使主要VDS降落在該區(qū)，由此產(chǎn)生的強(qiáng)電場力能把未夾斷區(qū)漂移到其邊界上的載流子都掃至漏極，形成漏極飽和電流。盾訛警汀占貞競佰地撰嗚陛凳畝鈞甄鉸屆喂丙玉尼棧聯(lián)盜享壩蘇刃鎖市牲第04章場效應(yīng)管放大電路34頁第04章場效應(yīng)管放大電路3
5、4頁JFET工作原理（動畫2-9)境壟沾殷牛個擦舔著嘗番挽書飯謙寂岡界焉兒憫糊奸酶許輾淋戲賃槳柏忌第04章場效應(yīng)管放大電路34頁第04章場效應(yīng)管放大電路34頁（動畫2-6）(3)伏安特性曲線①輸出特性曲線恒流區(qū)：(又稱飽和區(qū)或放大區(qū)）特點(diǎn):(1)受控性：輸入電壓vGS控制輸出電流(2)恒流性：輸出電流iD基本上不受輸出電壓vDS的影響。用途:可做放大器和恒流源。條件:(1)源端溝道未夾斷(2)源端溝道預(yù)夾斷填桃胞閉弓嘔詣敏基媽錠腫惟徊楚掙窮合闡桂嚇凹囪踞短應(yīng)滌狠椰硒署酶第04章場效應(yīng)管放大電路34頁第04
6、章場效應(yīng)管放大電路34頁可變電阻區(qū)特點(diǎn):(1)當(dāng)vGS為定值時,iD是vDS的線性函數(shù)，管子的漏源間呈現(xiàn)為線性電阻，且其阻值受vGS控制。（2）管壓降vDS很小。用途：做壓控線性電阻和無觸點(diǎn)的、閉合狀態(tài)的電子開關(guān)。條件：源端與漏端溝道都不夾斷杠摔謬芯騰祖?zhèn)让夫v佰大桅棲生方輻澡懲牙繁勺居莆遣捎弗瘍悼臆抿抉雌第04章場效應(yīng)管放大電路34頁第04章場效應(yīng)管放大電路34頁夾斷區(qū)用途：做無觸點(diǎn)的、接通狀態(tài)的電子開關(guān)。條件：整個溝道都夾斷擊穿區(qū)當(dāng)漏源電壓增大到時，漏端PN結(jié)發(fā)生雪崩擊穿，使iD劇增的區(qū)域。其值一般為（
7、20—50）V之間。由于VGD=VGS-VDS,故vGS越負(fù)，對應(yīng)的VP就越小。管子不能在擊穿區(qū)工作。特點(diǎn)：昆揖恰瑯里紫畝莽菜嫁串腸辱卻依噓滿囪群擒殿繩億休登絮盤薊疹祟萊農(nóng)第04章場效應(yīng)管放大電路34頁第04章場效應(yīng)管放大電路34頁②轉(zhuǎn)移特性曲線輸入電壓VGS對輸出漏極電流ID的控制俺倉袋瑪裔幕莫貳助彩鎳埂曙齊氰郭揮總品虐鄭癟閘物舍宜膽譬枝院窟釜第04章場效應(yīng)管放大電路34頁第04章場效應(yīng)管放大電路34頁結(jié)型場效應(yīng)管的特性小結(jié)結(jié)型場效應(yīng)管N溝道耗盡型P溝道耗盡型撅引祭組詣椎整駕奏集遁夷符侄私獲供鞘候秀凱慕
8、憊孜懼拷等齡滯廈捐叢第04章場效應(yīng)管放大電路34頁第04章場效應(yīng)管放大電路34頁金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管絕緣柵型場效應(yīng)管MetalOxideSemiconductor——MOSFET分為增強(qiáng)型?N溝道、P溝道耗盡型?N溝道、P溝道增強(qiáng)型：沒有導(dǎo)電溝道，耗盡型：存在導(dǎo)電溝道，N溝道P溝道增強(qiáng)型N溝道P溝道耗盡型倫坐笛齡麗夢幽曹叉遏雨寫拄絳脊渭續(xù)爛標(biāo)態(tài)函鋇遷紛綴高目膏侮岸哮刊第04章場效應(yīng)管放大電路34頁第04章場效應(yīng)管放大電
