第3章存儲(chǔ)設(shè)備ppt課件.pptx

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1、第3章存儲(chǔ)設(shè)備計(jì)算機(jī)組裝與維修實(shí)用教程目錄內(nèi)存1硬盤2移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備3光盤驅(qū)動(dòng)器4實(shí)訓(xùn)指導(dǎo)5內(nèi)存ROM(只讀存儲(chǔ)器)內(nèi)存RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)PROM（可編程只讀存儲(chǔ)器）EPROM可擦可編程只讀存儲(chǔ)器）EEPROM（電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器）FlashMemory（快擦型存儲(chǔ)器）DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）內(nèi)存的類型內(nèi)存內(nèi)存的分類常見的內(nèi)存類型有SDRAM、DDR、DDR2和DDR3等幾種。不同類型的內(nèi)存在傳輸率、工作頻率、工作方式、工作電壓等方面各有差異。30針和72

2、針SIMM內(nèi)存EDORAM內(nèi)存內(nèi)存內(nèi)存的分類SDRAM內(nèi)存RDRAM內(nèi)存內(nèi)存內(nèi)存的分類DDR內(nèi)存DDR2內(nèi)存內(nèi)存內(nèi)存的分類DDR3內(nèi)存DDR3（DoubleDataRate3）是DDR2標(biāo)準(zhǔn)的改進(jìn)版。DDR3在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計(jì)，減小了能耗和發(fā)熱量，可實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率（800M以上），在一定程度彌補(bǔ)了延遲時(shí)間較長(zhǎng)的缺點(diǎn)，是目前最高效的內(nèi)存。內(nèi)存DDR3與DDR2比較DDR3采取8bit預(yù)取設(shè)計(jì)，而DDR2為4bit預(yù)取，這樣DDR3RAM內(nèi)核的頻率只有接口頻率的1/8，如DDR3-800

3、的核心工作頻率只有100MHz。DDR3采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的拓樸架構(gòu)，大大減輕地址/命令與控制總線的負(fù)載。DDR3采用100nm以下的生產(chǎn)工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加了異步重置（Reset）與ZQ校準(zhǔn)等DDR2所沒有的新功能。內(nèi)存其他分類計(jì)算機(jī)內(nèi)存根據(jù)使用環(huán)境又可分為臺(tái)式機(jī)內(nèi)存、筆記本內(nèi)存和服務(wù)器內(nèi)存等。服務(wù)器內(nèi)存大多都帶有Buffer（緩存器）、Register（寄存器）、ECC（錯(cuò)誤檢查和糾正）、ChipKill、熱插拔技術(shù)等，具有極高的穩(wěn)定性和糾錯(cuò)性能。筆記本內(nèi)存服務(wù)器內(nèi)存內(nèi)存虛擬內(nèi)存

4、虛擬內(nèi)存是硬盤的一部分空間，并不屬于物理內(nèi)存的范疇。計(jì)算機(jī)在執(zhí)行多個(gè)或占用較大內(nèi)存的程序時(shí)，Windows、Linux、DOS等使用虛擬內(nèi)存技術(shù)的操作系統(tǒng)，會(huì)自動(dòng)調(diào)用一部分硬盤空間來充當(dāng)內(nèi)存，并選擇最近沒有用過的，低優(yōu)先級(jí)的內(nèi)存部分寫到交換文件上，以緩解內(nèi)存的緊張，提高計(jì)算機(jī)處理數(shù)據(jù)的速度。操作系統(tǒng)和應(yīng)用程序把虛擬內(nèi)存當(dāng)作物理內(nèi)存來使用，正確地設(shè)置虛擬內(nèi)存可以提高計(jì)算機(jī)的運(yùn)行效率。內(nèi)存內(nèi)存的性能參數(shù)容量?jī)?nèi)存容量以KB、MB、GB、TB作為單位，其關(guān)系為1MB＝1024KB，1GB=1024MB，1T

5、B=1024GB。存取時(shí)間(TAC)TAC（存取時(shí)間）指RAM完成一次數(shù)據(jù)存取所用的平均時(shí)間，等于地址設(shè)置時(shí)間加延遲時(shí)間，以ns為單位。存取周期（TMC）存取周期（TMC）指存儲(chǔ)器兩次獨(dú)立的讀出/寫入操作之間所需的最短時(shí)間，單位為納秒（ns）。這個(gè)時(shí)間越短，內(nèi)存的速度也就越快。內(nèi)存內(nèi)存的性能參數(shù)延遲時(shí)間（CAS或CL）CAS是CPU每次向內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)之前“緩沖期“的時(shí)間長(zhǎng)度，縮短CAS的周期有助于加快內(nèi)存在同一頻率下的工作速度。錯(cuò)誤檢查和糾正（ECC）ECC會(huì)在一組數(shù)據(jù)傳輸時(shí)加入校驗(yàn)位，以備CPU檢

6、驗(yàn)數(shù)據(jù)是否發(fā)生了錯(cuò)誤，并且可以糾正部分錯(cuò)誤。SPD存放內(nèi)存模組的配置信息。內(nèi)存內(nèi)存的選購(gòu)內(nèi)存品牌金士頓Kingston、現(xiàn)代HY、勝創(chuàng)Kingmax、海盜旗、宇瞻Apacer、金邦Geil、三星、威剛、勤茂（TwinMOS）、利屏等。內(nèi)存容量?jī)?nèi)存容量的大小直接影響到計(jì)算機(jī)的性能，越多越好。內(nèi)存類型DDR2是主流，DDR3是趨勢(shì)。要注意選擇與主板配置的內(nèi)存。內(nèi)存芯片正規(guī)原廠的品牌顆粒都有良好的品質(zhì)和性能保證，其顆粒上激光刻蝕的型號(hào)清晰可見，是選購(gòu)時(shí)的首選。主要的內(nèi)存IC芯片的廠商主要有：Hynix（海

7、力士）、Samsung（三星）、Qimonda（奇夢(mèng)達(dá)）、Micron（鎂光）、爾必達(dá)、力晶、茂德、南亞等。內(nèi)存內(nèi)存的選購(gòu)設(shè)計(jì)及生產(chǎn)工藝PCB板優(yōu)質(zhì)內(nèi)存采用六層PCB板，有的產(chǎn)品甚至使用了8層PCB電路板。。設(shè)計(jì)PCB線路應(yīng)該使用蛇行布線。在內(nèi)存芯片和內(nèi)存引腳之間，應(yīng)加裝貼片電容和電阻。生產(chǎn)工藝PCB板板面光潔、色澤均勻，電路板走線清晰，元件焊接整齊、焊點(diǎn)均勻有光澤，邊緣整齊且沒有毛邊。金手指金手指制作工藝有電鍍金和化學(xué)鍍金2種。電鍍金的金手指末端會(huì)有一個(gè)“小尾巴”。另外好的金手指的黃顏色很有質(zhì)感，

8、差的金手指看起來泛白。用料PCB板上要有盡量多的貼片電阻和電容和厚實(shí)的金手指。內(nèi)存內(nèi)存的性能參數(shù)PCB板（8層）蛇行線電阻和電容電鍍金金手指內(nèi)存內(nèi)存的性能參數(shù)更高的頻率內(nèi)存頻率越高越好。CAS（CL）延時(shí)周期（包括TRCD參數(shù)、TRP參數(shù)、TRAS等），越小代表性能越高。兼容性正規(guī)渠道的內(nèi)存在出廠前都經(jīng)過嚴(yán)格的兼容性測(cè)試，并且進(jìn)行了嚴(yán)格的測(cè)試，可以確保其兼容性。超頻性能售后服務(wù)主流大廠的產(chǎn)品一般都提供“終身保修”服務(wù)。選購(gòu)時(shí)應(yīng)避開假貨率較高的品牌，可以撥打防偽電話或登