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1、Despatch燒結(jié)爐簡介二期C班工藝?yán)蠲?011-6-22◆燒結(jié)爐構(gòu)造簡介1.燒結(jié)爐結(jié)構(gòu)布局2.熱排和有機排3.烘干區(qū)4.燒結(jié)區(qū)5.冷卻區(qū)6.燒結(jié)原理◆燒結(jié)爐操作說明1.操作界面說明2.烘干區(qū)氣流量控制3.燒結(jié)區(qū)氣流量控制目錄Despatch燒結(jié)爐構(gòu)造簡介結(jié)構(gòu)布局：Despatch燒結(jié)爐分為烘干區(qū)和燒結(jié)冷卻區(qū)兩個主要部分。依次為：烘干區(qū)有機排、熱排、烘干一區(qū)至四區(qū)、冷凝管、熱排、燒結(jié)一區(qū)至六區(qū)、有機排（56燒結(jié)區(qū)）、熱排、水冷區(qū)、風(fēng)冷區(qū)。燒結(jié)爐的烘干區(qū)和燒結(jié)區(qū)之間是斷開的，有大概45cm，爐帶上方有冷凝抽風(fēng)
2、管?？焖贌嵘郎兀ā?50℃/sec）增強冷卻性能（＞150℃/sec）爐腔內(nèi)溫度穩(wěn)定性高（±2℃）軟啟動閉路溫度控制增強的軟件設(shè)置管理先進的用戶圖形操作界面主生產(chǎn)控制界面數(shù)據(jù)記錄冗雜溫度過高自動關(guān)機硅片陰影最小化設(shè)計可安全，簡便地使用工作室與視線齊平的電子裝置，易于維護Despatch燒結(jié)爐-特點在燒結(jié)爐的烘干區(qū)有一個有機排和熱排，烘干區(qū)燒結(jié)區(qū)連接處有冷凝器,燒結(jié)區(qū)有3個熱排(燒結(jié)入口處有一個熱排,水冷風(fēng)冷區(qū)有2個熱排)，56燒結(jié)區(qū)2個有機排,熱排使內(nèi)部氛圍與外界空氣相隔絕。①熱電偶：探測有機排內(nèi)廢氣的溫度。
3、②有機排：烘干過程中產(chǎn)生的有害有機廢氣經(jīng)過加熱并點燃焚燒，然后再由外圍設(shè)備抽走。熱排和有機排烘干區(qū)共有8個腔體，每兩個腔體組成一個溫區(qū)，共4個溫區(qū)。每個溫區(qū)的上部有一個熱電偶。每個腔體內(nèi)上下各有一個進氣口，緩緩向腔體內(nèi)滲入壓縮空氣，即每個溫區(qū)內(nèi)上下各有兩個進氣口，上面兩個進氣口是相通的，可以控制氣流量的大小，同樣下面兩個進氣口也是相通的，也可以控制氣流量的大小。每個腔體的上部有6個加熱管，每個腔體的下部是有石棉圍成的保溫腔。①熱電偶：每一個烘干區(qū)各有一個獨立的熱電偶對溫度進行監(jiān)控和測量。②壓縮空氣進氣口：③烘干
4、腔體下半部分：內(nèi)部為石棉構(gòu)成的空間，起保溫作用④烘干腔體上半部分：內(nèi)部為加熱管烘干區(qū)燒結(jié)區(qū)燒結(jié)區(qū)共有6個腔室。每個腔室為一個溫區(qū)。每個溫區(qū)各有一個熱電偶，對溫度進行監(jiān)控和測量。每個腔室的上下各有一個壓縮空氣進氣口，每兩個腔室的進氣口是相聯(lián)通的，即燒結(jié)1區(qū)和2區(qū)的上部進氣口是相通的，并可以控制氣流量的大小。同樣，燒結(jié)1區(qū)和2區(qū)的下部進氣口也是相通的，并可以控制氣流量的大小。燒結(jié)3~6區(qū)的上部（下部）兩個進氣口也是相通的，并可以個獨立控制氣流量大小。①燒結(jié)爐廢氣排放口和集油盒：在燒結(jié)區(qū)前端和后端各有一個廢氣排放口，
5、其中集油盒可以定期清洗一下，防止廢油滴到電池片上。②壓縮空氣進氣口③熱電偶④燒結(jié)區(qū)加熱管⑤燒結(jié)1區(qū)⑥燒結(jié)2區(qū)⑦燒結(jié)3區(qū)和4區(qū)⑧燒結(jié)5區(qū)和6區(qū)冷卻區(qū)冷卻區(qū)分為水冷區(qū)和風(fēng)冷區(qū)。①水冷區(qū)是通過循環(huán)冷水，吸收電池片的熱量②風(fēng)冷區(qū)是用冷卻的空氣進一步降低電池片的溫度。水冷區(qū)風(fēng)冷區(qū)燒結(jié)曲線燒結(jié)原理采用一次燒結(jié)的共燒工藝，同時形成上下電極的歐姆接觸。銀漿、銀鋁漿、鋁漿印刷過的硅片，經(jīng)過烘干使有機溶劑完全揮發(fā)，膜層收縮成為固狀物緊密粘附在硅片上。當(dāng)電極金屬材料和半導(dǎo)體硅加熱達到共晶溫度時，硅原子以一定的比例溶入到熔融的合金電極
6、材料中。溫度降低，系統(tǒng)冷卻形成再結(jié)晶層，溶入到電極金屬材料中的硅原子重新以固態(tài)形式結(jié)晶出來，在金屬和晶體接觸界面上生長出一層外延層，形成歐姆接觸。烘干燒結(jié)風(fēng)冷水冷燒結(jié)曲線燒結(jié)原理Despatch燒結(jié)工藝包括四個階段：(1)有機物燃燒段，(2)預(yù)熱段，(3)燒結(jié)段，(4)降溫段。(1)有機物燃燒段：設(shè)定溫度在100-350℃，設(shè)定溫度過高，漿料中的有機物揮發(fā)速度過快，造成金屬顆粒之間疏松，造成燒結(jié)后R電極和R接觸過大；若溫度設(shè)置過低，導(dǎo)致有機物燃燒不完全，引起以上問題。(2)預(yù)熱段：設(shè)定溫度在350-600℃，使
7、背電場和背電極升高到一定溫度。(3)燒結(jié)段：設(shè)定溫度600以上，其決定了燒結(jié)過程中銀硅合金，鋁硅合金中金屬原子的濃度，對正電極和背電場以及Rs，F(xiàn)F影響非常大。設(shè)定溫度過高，會使正電極燒穿，設(shè)定溫度過低，Isc和FF下降，Rs升高，EFF下降。燒結(jié)段是燒結(jié)的核心。燒結(jié)爐操作界面說明：1015141312116789345120181621719燒結(jié)爐操作1.SystemStatus:Displayscurrentstateofheaters,conveyorandutilitiesorothersystemfu
8、nctions.(顯示目前的加熱,傳送和功效的狀態(tài))2.ENABLE/DISABLE:SwitchesTurnseparatesystemsON(ENABLE)orOFF(加熱和傳送還有功效可以單獨控制)3EXIT:PresstoexitCDFSystemOperation.Figure15showsExitdialogscreen.(退出當(dāng)前的操作系統(tǒng))4UserInformatio
