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1、CMOS門(mén)電路MOS門(mén)電路:以MOS管作為開(kāi)關(guān)元件構(gòu)成的門(mén)電路。MOS門(mén)電路,尤其是CMOS門(mén)電路具有制造工藝簡(jiǎn)單、集成度高、抗干擾能力強(qiáng)、功耗低、價(jià)格便宜等優(yōu)點(diǎn),得到了十分迅速的發(fā)展。2.5CMOS門(mén)電路2LOGO2.5.1CMOS反相器1.MOS管的開(kāi)關(guān)特性MOS管有NMOS管和PMOS管兩種。當(dāng)NMOS管和PMOS管成對(duì)出現(xiàn)在電路中,且二者在工作中互補(bǔ),稱(chēng)為CMOS管(意為互補(bǔ))。MOS管有增強(qiáng)型和耗盡型兩種。在數(shù)字電路中,多采用增強(qiáng)型。返回3LOGO圖2-24NMOS管的電路符號(hào)及轉(zhuǎn)移特性(a)電路符號(hào)(b)轉(zhuǎn)移特性D接正電源截止導(dǎo)通導(dǎo)
2、通電阻相當(dāng)?。?)NMOS管的開(kāi)關(guān)特性4LOGO圖2-25PMOS管的電路符號(hào)及轉(zhuǎn)移特性(a)電路符號(hào)(b)轉(zhuǎn)移特性D接負(fù)電源(2)PMOS管的開(kāi)關(guān)特性導(dǎo)通導(dǎo)通電阻相當(dāng)小截止5圖2-26CMOS反相器PMOS管負(fù)載管NMOS管驅(qū)動(dòng)管開(kāi)啟電壓
3、UTP
4、=UTN,且小于VDD。2.CMOS反相器的工作原理(1)基本電路結(jié)構(gòu)6LOGO(2)工作原理圖2-26CMOS反相器UIL=0V截止導(dǎo)通UOH≈VDD當(dāng)uI=UIL=0V時(shí),VTN截止,VTP導(dǎo)通,uO=UOH≈VDD7圖2-26CMOS反相器UIH=VDD截止UOL≈0V當(dāng)uI=UIH=VDD,
5、VTN導(dǎo)通,VTP截止,uO=UOL≈0V導(dǎo)通8(3)邏輯功能實(shí)現(xiàn)反相器功能(非邏輯)。(4)工作特點(diǎn)VTP和VTN總是一管導(dǎo)通而另一管截止,流過(guò)VTP和VTN的靜態(tài)電流極小(納安數(shù)量級(jí)),因而CMOS反相器的靜態(tài)功耗極小。這是CMOS電路最突出的優(yōu)點(diǎn)之一。9圖2-27CMOS反相器的電壓傳輸特性和電流傳輸特性3.電壓傳輸特性和電流傳輸特性AB段:截止區(qū)iD為0BC段:轉(zhuǎn)折區(qū)閾值電壓UTH≈VDD/2轉(zhuǎn)折區(qū)中點(diǎn):電流最大CMOS反相器在使用時(shí)應(yīng)盡量避免長(zhǎng)期工作在BC段。CD段:導(dǎo)通區(qū)10LOGO4.CMOS電路的優(yōu)點(diǎn)(1)微功耗。CMOS電路靜
6、態(tài)電流很小,約為納安數(shù)量級(jí)。(2)抗干擾能力很強(qiáng)。輸入噪聲容限可達(dá)到VDD/2。(3)電源電壓范圍寬。多數(shù)CMOS電路可在3~18V的電源電壓范圍內(nèi)正常工作。(4)輸入阻抗高。(5)負(fù)載能力強(qiáng)。CMOS電路可以帶50個(gè)同類(lèi)門(mén)以上。(6)邏輯擺幅大。(低電平0V,高電平VDD)11LOGO2.5.2其它類(lèi)型的CMOS門(mén)電路負(fù)載管串聯(lián)(串聯(lián)開(kāi)關(guān))1.CMOS或非門(mén)驅(qū)動(dòng)管并聯(lián)(并聯(lián)開(kāi)關(guān))圖2-28CMOS或非門(mén)A、B有高電平,則驅(qū)動(dòng)管導(dǎo)通、負(fù)載管截止,輸出為低電平。10截止導(dǎo)通返回12LOGO該電路具有或非邏輯功能,即Y=A+B當(dāng)輸入全為低電平,兩個(gè)
7、驅(qū)動(dòng)管均截止,兩個(gè)負(fù)載管均導(dǎo)通,輸出為高電平。00截止導(dǎo)通113LOGO圖2-29CMOS與非門(mén)該電路具有與非邏輯功能,即Y=AB2.CMOS與非門(mén)負(fù)載管并聯(lián)(并聯(lián)開(kāi)關(guān))驅(qū)動(dòng)管串聯(lián)(串聯(lián)開(kāi)關(guān))14LOGO(1)電路結(jié)構(gòu)C和C是一對(duì)互補(bǔ)的控制信號(hào)。由于VTP和VTN在結(jié)構(gòu)上對(duì)稱(chēng),所以圖中的輸入和輸出端可以互換,又稱(chēng)雙向開(kāi)關(guān)。3.CMOS傳輸門(mén)圖2-30CMOS傳輸門(mén)(a)電路(b)邏輯符號(hào)15LOGO若C=1(接VDD)、C=0(接地),當(dāng)0<uI<(VDD-
8、UT
9、)時(shí),VTN導(dǎo)通;當(dāng)
10、UT
11、<uI<VDD時(shí),VTP導(dǎo)通;uI在0~VDD之間變
12、化時(shí),VTP和VTN至少有一管導(dǎo)通,使傳輸門(mén)TG導(dǎo)通。(2)工作原理(了解)若C=0(接地)、C=1(接VDD),uI在0~VDD之間變化時(shí),VTP和VTN均截止,即傳輸門(mén)TG截止。16LOGO(3)應(yīng)用舉例圖2-31CMOS模擬開(kāi)關(guān)①CMOS模擬開(kāi)關(guān):實(shí)現(xiàn)單刀雙擲開(kāi)關(guān)的功能。C=0時(shí),TG1導(dǎo)通、TG2截止,uO=uI1;C=1時(shí),TG1截止、TG2導(dǎo)通,uO=uI2。17LOGO圖2-32CMOS三態(tài)門(mén)(a)電路(b)邏輯符號(hào)當(dāng)EN=0時(shí),TG導(dǎo)通,F(xiàn)=A;當(dāng)EN=1時(shí),TG截止,F(xiàn)為高阻輸出。②CMOS三態(tài)門(mén)18LOGO2.6.1CMOS
13、門(mén)電路的使用知識(shí)1.輸入電路的靜電保護(hù)CMOS電路的輸入端設(shè)置了保護(hù)電路,給使用者帶來(lái)很大方便。但是,這種保護(hù)還是有限的。由于CMOS電路的輸入阻抗高,極易產(chǎn)生感應(yīng)較高的靜電電壓,從而擊穿MOS管柵極極薄的絕緣層,造成器件的永久損壞。為避免靜電損壞,應(yīng)注意以下幾點(diǎn):2.6CMOS門(mén)電路和TTL門(mén)電路的使用知識(shí)及相互連接返回19LOGO(1)所有與CMOS電路直接接觸的工具、儀表等必須可靠接地。(2)存儲(chǔ)和運(yùn)輸CMOS電路,最好采用金屬屏蔽層做包裝材料。2.多余的輸入端不能懸空。輸入端懸空極易產(chǎn)生感應(yīng)較高的靜電電壓,造成器件的永久損壞。對(duì)多余的輸
14、入端,可以按功能要求接電源或接地,或者與其它輸入端并聯(lián)使用。20LOGO2.6.2TTL門(mén)電路的使用知識(shí)1.多余或暫時(shí)不用的輸入端不能懸空,可按以下方