《摻硼、摻磷、摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度的換算規(guī)程》

《《摻硼、摻磷、摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度的換算規(guī)程》》由會員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在應(yīng)用文檔-天天文庫。

1、《摻硼、摻磷、摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度的換算規(guī)程》編制說明一工作簡況：1.標(biāo)準(zhǔn)簡況：本標(biāo)準(zhǔn)是對GB/T13389-1992《摻硼、摻磷、硅單晶電阻率與摻雜劑濃度的換算規(guī)程》的修訂。2.任務(wù)來源：根據(jù)全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會半材標(biāo)委字[]號文件,關(guān)于下達(dá)第批半導(dǎo)體材料國家標(biāo)準(zhǔn)(修)制訂計劃的通知,由有研半導(dǎo)體材料股份有限公司為主，四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司、中國計量科學(xué)研究院、萬向硅峰電子股份有限公司、杭州海納半導(dǎo)體有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司等共同參加完成項目編號為20110432-T-469的國家標(biāo)準(zhǔn)《摻硼、摻磷、摻砷硅單晶

2、電阻率與摻雜劑濃度的換算規(guī)程》簡稱（電阻率換算規(guī)程）的修定工作。3.主要工作過程：3.1了解硅單晶的摻雜劑使用情況。原國家標(biāo)準(zhǔn)修訂于1992年，20年來隨著重?fù)诫s工藝的發(fā)展，越來越多的重?fù)絾尉нM(jìn)入市場。除了硼、磷之外，摻砷、摻梯甚至摻紅磷的單晶工藝已經(jīng)成熟。3.2對SEMIMF723的內(nèi)容充分進(jìn)行理解。3.3編制《摻硼、摻磷、摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度的換算規(guī)程》的國家標(biāo)準(zhǔn)修訂標(biāo)準(zhǔn)征求意見稿，廣泛征求意見。3.4并于2012年5月蘇州會議上、2012年9月新疆會議上分別進(jìn)行討論和預(yù)審。4.本標(biāo)準(zhǔn)的主要起草人：孫燕高級工程師梁洪高級工程師高英高級工程師樓春蘭高級工程師

3、王飛堯高級工程師張靜工程師曹孜高級工程師魯進(jìn)軍工程師何良恩工程師張海英工程師3張群社高級工程師二本標(biāo)準(zhǔn)的編制依據(jù)及編制原則：1.本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1-2009和GB/T20000.2-2009的要求進(jìn)行編制。2.本標(biāo)準(zhǔn)是在對SEMIMF723《摻硼、摻磷、摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度的換算規(guī)程》國際先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)的充分理解、消化吸收和實踐的基礎(chǔ)上，對原有的國家標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行修訂。本標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容完全涵蓋SEMIMF723，標(biāo)準(zhǔn)采用了國標(biāo)的格式。3.與原標(biāo)準(zhǔn)相比，本次修訂主要有如下變化：3.1增加了砷摻雜劑對電阻率的換算關(guān)系；3.2增加了摻硼硅單晶的電阻率換算空穴濃度和摻磷硅單晶電阻

4、率換算電子濃度的關(guān)系式；3.3.明確了磷摻雜劑的換算可用于銻摻雜劑；3.4將原標(biāo)準(zhǔn)附錄中的干擾因素移至標(biāo)準(zhǔn)中并重新整理、和添加了若干條；3.5增加了各種摻雜劑的電阻率與摻雜劑濃度換算的公式試驗依據(jù)及說明、相應(yīng)的參考文獻(xiàn)見附錄；3.6修訂了精密度。三標(biāo)準(zhǔn)水平分析本標(biāo)準(zhǔn)建議為國際先進(jìn)水平。四與有關(guān)的現(xiàn)行法律、法規(guī)和強(qiáng)制性國家標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)系本標(biāo)準(zhǔn)與現(xiàn)行法律、法規(guī)、與現(xiàn)行的強(qiáng)制性國家標(biāo)準(zhǔn)不存在任何沖突。五重大分歧意見的處理經(jīng)過和依據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)在修訂、討論、預(yù)審過程中無重大分歧意見。需要說明的是，我們在編制表1-表4的表頭時發(fā)現(xiàn)原標(biāo)準(zhǔn)中表頭存在歧義，例如：“表1摻硼硅單晶摻雜劑濃度對電

5、阻率的換算表”，有人理解是已知摻雜劑濃度，根據(jù)公式計算得到電阻率，而實際上是已知電阻率，計算得到摻雜劑濃度，其他表頭也有相同的問題。因此我們認(rèn)為原標(biāo)準(zhǔn)表頭的文字上存在歧義，這次進(jìn)行了修改，改為”表x摻硼硅單晶從摻雜劑濃度換算電阻率”,避免引起誤解。六標(biāo)準(zhǔn)作為強(qiáng)制性或推薦性標(biāo)準(zhǔn)的建議建議本標(biāo)準(zhǔn)為推薦性的國家標(biāo)準(zhǔn)。3七廢止現(xiàn)行有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的建議本標(biāo)準(zhǔn)頒布實施后將替代GB/T13387-92，舊標(biāo)準(zhǔn)作廢。八預(yù)期效果原國家標(biāo)準(zhǔn)修訂于1992年，20年來隨著硅行業(yè)的飛速發(fā)展，特別是重?fù)诫s工藝的發(fā)展，越來越多的重?fù)絾尉нM(jìn)入市場。除了硼、磷之外，摻砷、摻梯甚至摻紅磷的單晶工藝已經(jīng)成熟。

6、修訂前的標(biāo)準(zhǔn)只有硼、磷電阻率和摻雜劑濃度間的轉(zhuǎn)換，修訂后的標(biāo)準(zhǔn)涵蓋了目前所有IC襯底的單晶摻雜劑范圍。并將其擴(kuò)展到電阻率與空穴、電子濃度的換算。作為硅單晶體內(nèi)導(dǎo)電能力的描述，電阻率和摻雜劑濃度是兩個不同的指標(biāo)，可以由不同的方法測試得到，而它們之間又是密切相關(guān)的參數(shù)。如何簡便的實現(xiàn)兩者間的轉(zhuǎn)換在實際生產(chǎn)中經(jīng)常面臨的問題。由于兩者間的轉(zhuǎn)換主要依據(jù)試驗的經(jīng)驗公式，因此各種摻雜劑和電阻率之間的轉(zhuǎn)換有的有共同的地方，有些又有區(qū)別。因此掌握和了解各種曲線、圖表的適用范圍和影響因素尤其顯得重要。本標(biāo)準(zhǔn)是硅單晶行業(yè)的基礎(chǔ)性標(biāo)準(zhǔn)，也是生產(chǎn)、科研中應(yīng)用廣泛和非常實用的標(biāo)準(zhǔn)。《摻硼、摻磷、

7、摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度的換算規(guī)程》國家標(biāo)準(zhǔn)編制小組2013.4.223