高電壓技術(shù)2011總復(fù)習(xí)

高電壓技術(shù)2011總復(fù)習(xí)

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1、氣體中帶電質(zhì)點(diǎn)產(chǎn)生的方式:熱游離,光游離,碰撞游離,表面游離氣體中帶電質(zhì)點(diǎn)消失的方式:流入電極、逸出氣體空間、復(fù)合巴申定律及其適用范圍:擊穿電壓與氣體相對密度和極間距離乘積之間的關(guān)系。兩者乘積大于0.26cm時(shí),不再適用流注理論:考慮了空間電荷對原有電場的影響和空間光電離的作用,適用兩者乘積大于0.26cm時(shí)的情況電暈放電:在大曲率電極附近很薄的一層空氣中將具備自持放電的條件,放電僅局限于大曲率電極附近很小的范圍內(nèi)而整個(gè)間隙尚未擊穿。以開始出現(xiàn)電暈時(shí)的電壓為電暈起始電壓極性效應(yīng):由于高場強(qiáng)電極極性的不同,而造成電極電暈起始電壓和間隙擊

2、穿電壓的不同。伏秒特性:工程上用氣隙上出現(xiàn)的電壓最大值與放電時(shí)間的關(guān)系來表征氣隙在沖擊電壓的擊穿特性。50%擊穿電壓:施加10相同的沖擊電壓有4-6次被擊穿了的這個(gè)電壓。電場形式對放電電壓的影響:均勻電場無極性效應(yīng)、各類電壓形式放電電壓基本相同、分散性?。粯O不均勻電場中極間距離為主要影響因素、極性效應(yīng)明顯。電壓波形對放電電壓的影響:電壓波形對均勻和稍不均勻電場影響不大;對極不均勻電場影響相當(dāng)大.完全對稱的極不均勻場:棒棒間隙 極大不對稱的極不均勻場:棒板間隙 氣體的狀態(tài)對放電電壓的影響:濕度、密度、海拔高度的影響。氣體的性質(zhì)對放電電壓

3、的影響:在間隙中加入高電強(qiáng)度氣體,可大大提高擊穿電壓,主要指一些含鹵族元素的強(qiáng)電負(fù)性氣體,如SF6.提高氣體放電電壓的措施:電極形狀的改進(jìn),空間電荷對原電場的畸變作用,極不均勻場中屏障的采用,提高氣體壓力的作用,高真空,高電氣強(qiáng)度氣體SF6的采用 沿面閃絡(luò):沿著固體介質(zhì)表面發(fā)展的氣體放電現(xiàn)象。多發(fā)生在絕緣子、套管與空氣的分界面上。提高沿面放電電壓的措施:a.屏障b.屏蔽c.表面處理d.應(yīng)用半導(dǎo)體材料e.阻抗調(diào)節(jié)完全氣隙擊穿的三個(gè)必備條件:a達(dá)到最低的靜態(tài)擊穿電壓b在氣隙中能引起電子崩并導(dǎo)致流柱和主放電的有效電子c需要一定的時(shí)間電介質(zhì)的

4、極化:在電場的作用下,電荷質(zhì)點(diǎn)會(huì)沿電場方向產(chǎn)生有限的位移現(xiàn)象,并產(chǎn)生電矩(偶極矩)。介電常數(shù):電介質(zhì)極化的強(qiáng)弱可用介電常數(shù)的大小來表示,與電介質(zhì)分子的極性強(qiáng)弱有關(guān)。極性電介質(zhì)和非極性電介質(zhì):具有極性分子的電介質(zhì)稱為極性電介質(zhì)。由中性分子構(gòu)成的電介質(zhì)。極化的基本形式:電子式、離子式(不產(chǎn)生能量損失)偶極子極化、夾層介質(zhì)界面極化(有能量損失)。在電介質(zhì)上加上直流電壓,初始瞬時(shí)由于各種極化存在,流過介質(zhì)的電流很大,之后隨時(shí)間變化經(jīng)過一定的時(shí)間后,極化過程結(jié)束,流過介質(zhì)的電流趨于穩(wěn)定值,這一穩(wěn)定電流稱為泄漏電流,對應(yīng)的電阻稱為絕緣電阻。氣體的

5、電導(dǎo):主要來自于外界射線使分子發(fā)生電離和強(qiáng)電場作用下氣體電子的碰撞電離。液體的電導(dǎo):離子電導(dǎo)和電泳電導(dǎo)固體的電導(dǎo):離子電導(dǎo)和電子電導(dǎo)電介質(zhì)的損耗:a.介質(zhì)損耗針對的是交流電壓作用下介質(zhì)的有功功率損耗b.介質(zhì)損耗一般用介損角的正切值來表示。介質(zhì)在電壓下的能量損壞:a由電導(dǎo)引起b有損極化引起提高液體電介質(zhì)擊穿電壓的措施:提高油品質(zhì),采用覆蓋、絕緣層、極屏障等措施。固體電介質(zhì)的擊穿:電擊穿、熱擊穿、電化學(xué)擊穿影響固體電介質(zhì)擊穿電壓的主要因素:電壓作用時(shí)間溫度電場均勻程度受潮累積效應(yīng)機(jī)械負(fù)荷。絕緣電阻與吸收比的測量:用兆歐表來測量電氣設(shè)備的絕

6、緣電阻;吸收比K定義為加壓60s時(shí)的絕緣電阻與15s時(shí)的絕緣電阻比值。K恒大于1,且越大表示絕緣性能越好。大容量電氣設(shè)備中,吸收現(xiàn)象延續(xù)很長時(shí)間,吸收比不能很好地反映絕緣的真實(shí)狀態(tài),可用極化指數(shù)再判斷。測量絕緣電阻能有效地發(fā)現(xiàn)總體絕緣質(zhì)量欠佳;絕緣受潮;兩極間有貫穿性的導(dǎo)電通道;絕緣表面情況不良。泄漏電流的測量:測量泄漏電流從原理上來說,與測量絕緣電阻是相似的,能發(fā)現(xiàn)一些尚未完全貫通的集中性缺陷,原因在于:在試品上的直流電壓要比兆歐表的工作電壓高得多,故能發(fā)現(xiàn)兆歐表所不能發(fā)現(xiàn)的某些缺陷。加在試品上的直流電壓是逐漸增大的,可以在升壓過程

7、中監(jiān)視泄漏電流的增長動(dòng)向。介質(zhì)損耗角正切的測量:tanδ能反映絕緣的整體性缺陷(例如全面老化)和小電容試品中的嚴(yán)重局部性缺陷。根據(jù)tanδ隨電壓而變化的曲線,可判斷絕緣是否受潮、含有氣泡及老化的程度。局部放電的測量:局部放電:高壓電氣設(shè)備的絕緣內(nèi)部總是存在一些缺陷,如氣泡空隙、雜質(zhì)等。由于這些異物的電導(dǎo)和介電常數(shù)不同于絕緣物,故在外加電場作用下,這些異物附近將具有比周圍更高的場強(qiáng),有可能引起該處物質(zhì)產(chǎn)生電離放電現(xiàn)象,稱為局部放電。三比較方法:若個(gè)別試驗(yàn)項(xiàng)目不合格,達(dá)不到規(guī)程的要求可使用三比較方法。a與同類型設(shè)備作比較:同類型設(shè)備在同樣

8、條件下所得的試驗(yàn)結(jié)果應(yīng)該大致相同,若差別很大就可能存在問題。b在同一設(shè)備的三相試驗(yàn)結(jié)果之間進(jìn)行比較:若有一相結(jié)果相差達(dá)50%以上,該相很可能存在缺陷。c與該設(shè)備技術(shù)檔案中的歷年試驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較:若性能指標(biāo)有明顯下降情況,

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