電力電子器件及其驅(qū)動(dòng)電路實(shí)驗(yàn)報(bào)告

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1、電力電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)報(bào)告姓名教師班級(jí)學(xué)院實(shí)驗(yàn)一二、電力晶體管(GTR)特性研究一．實(shí)驗(yàn)?zāi)康?．熟悉(GTR)的開關(guān)特性與二極管的反向恢復(fù)特性及其測試方法2．掌握GTR緩沖電路的工作原理與參數(shù)設(shè)計(jì)要求二．實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1．不同負(fù)載時(shí)的GTR開關(guān)特性測試。2．不同基極電流時(shí)的開關(guān)特性測試。3．有與沒有基極反壓時(shí)的開關(guān)過程比較。4．并聯(lián)沖電路性能測試。5．串聯(lián)沖電路性能測試。6．二極管的反向恢復(fù)特性測試。三．實(shí)驗(yàn)線路四．實(shí)驗(yàn)設(shè)備和儀器1．MCL-07電力電子實(shí)驗(yàn)箱中的GTR與PWM波形發(fā)生器部分2．雙蹤示波器3．萬用表4．教學(xué)實(shí)驗(yàn)臺(tái)主控制屏五．實(shí)驗(yàn)方

2、法1．不同負(fù)載時(shí)GTR開關(guān)特性測試（1）電阻負(fù)載時(shí)的開關(guān)特性測試GTR單元的開關(guān)S1合向“”，將GTR單元的輸入“1”與“6”分別與PWM波形發(fā)生器的輸出“1”與“2”相連，再分別連接GTR單元的“3”與“5”，“9”與“7”，“15”、“16”與“19”，“29”與“21”，以及GTR單元的“8”、“11”、“18”與主回路的“4”，GTR單元的“22”與主回路的“1”，即按照以下表格的說明連線。GTR：1PWM：1GTR：6PWM：2GTR：3GTR：5GTR：9GTR：7GTR：8GTR：11GTR：18主回路：4GTR：15G

3、TR：16GTR：19GTR：29GTR：21GTR：22主回路：1用示波器觀察，基極驅(qū)動(dòng)信號(hào)ib（“19”與“18”之間）及集電極電流ic（“21”與“18”之間）波形，記錄開通時(shí)間ton，存貯時(shí)間ts、下降時(shí)間tf。ton=1.8us，ts=1.8us，tf=1.2us（2）電阻、電感性負(fù)載時(shí)的開關(guān)特性測試除了將主回器部分由電阻負(fù)載改為電阻、電感性負(fù)載以外（即將“1”與“22”斷開而將“2”與“22”相連)，其余接線與測試方法同上。ton=2.1us，ts=10.0us，tf=2.5us2．不同基極電流時(shí)的開關(guān)特性測試（1）基極電

4、流較小時(shí)的開關(guān)過程斷開GTR單元“16”與“19”的連接，將基極回路的“15”與“19”相連，主回路的“1”與GTR單元的“22”相連，其余接線同上，測量并記錄基極驅(qū)動(dòng)信號(hào)ib（“19”與“18”之間）及集電極電流ic（“21”與“18”之間）波形，記錄開通時(shí)間ton，存貯時(shí)間ts、下降時(shí)間tf。ton=1.9us，ts=10.3us，tf=2.0us（2）基極電流較大時(shí)的開關(guān)過程將GTR單元的“15”與“19”的連線斷開，再將“14”與“19”相連，其余接線與測試方法同上。ton=1.7us，ts=10.9us，tf=2.2us六、

5、實(shí)驗(yàn)總結(jié)1.繪出電阻負(fù)載與電阻、電感負(fù)載時(shí)的GTR開關(guān)波形，并在圖上標(biāo)出ton、tS與tf，并分析不同負(fù)載時(shí)開關(guān)波形的差異。電阻負(fù)載阻感負(fù)載分析：相較于電阻負(fù)載來說，阻感負(fù)載多了電感的儲(chǔ)能與續(xù)流作用，所以開通和關(guān)斷時(shí)間均長于電阻負(fù)載。2.繪出不同基極電流時(shí)的開關(guān)波形并在圖上標(biāo)出ton、ts與tf，并分析理想基極電流的形狀，探討獲得理想基極電流形的方法。?基極電流較小基極電流較大理想電流形狀：開通時(shí)間較小，斜率接近90°形成手段：需要較為理想的驅(qū)動(dòng)電路，使其開通和關(guān)斷時(shí)間減少，并且使其幅值在一個(gè)較穩(wěn)定并合適的值。七、實(shí)驗(yàn)心得體會(huì)629曾

6、祎玲：對(duì)原本較為抽象的GTR開關(guān)特性，二極管的反向恢復(fù)特性等有了更直觀的了解。622王凝碧：不同的負(fù)載與基極電流都會(huì)影響GTR的開關(guān)特性，本次實(shí)驗(yàn)使我對(duì)這些規(guī)律有了更深刻的體會(huì)，并對(duì)GTR有了進(jìn)一步的認(rèn)識(shí)。619孫亞妮：作為這門課的第一個(gè)實(shí)驗(yàn)，在實(shí)驗(yàn)儀器的使用上有麻煩，示波器的波形調(diào)了很久。通過實(shí)驗(yàn)基本對(duì)實(shí)驗(yàn)儀器有所接觸和了解通過實(shí)驗(yàn)我了解了不同負(fù)載時(shí)的GTR開關(guān)特性及不同基極電流時(shí)的開關(guān)特性。三功率場效應(yīng)晶體管（MOSFET）特性與驅(qū)動(dòng)電路研究一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?．熟悉MOSFET主要參數(shù)的測量方法2．掌握MOSEET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求3．

7、掌握一個(gè)實(shí)用驅(qū)動(dòng)電路的工作原理與調(diào)試方法二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1．MOSFET主要參數(shù)：開啟閥值電壓VGS(th),跨導(dǎo)gFS,導(dǎo)通電阻Rds輸出特性ID=f（Vsd）等的測試2．驅(qū)動(dòng)電路的輸入,輸出延時(shí)時(shí)間測試。3．電阻與電阻、電感性質(zhì)載時(shí)，MOSFET開關(guān)特性測試。4．有與沒有反偏壓時(shí)的開關(guān)過程比較5．柵-源漏電流測試。三、實(shí)驗(yàn)設(shè)備和儀器1.NMCL-07電力電子實(shí)驗(yàn)箱中的MOSFET與PWM波形發(fā)生器部分2.雙蹤示波器3.毫安表4.電流表5.電壓表四、實(shí)驗(yàn)線路五、實(shí)驗(yàn)方法1．MOSFETMOSFETMOSFETMOSFET主要參數(shù)測試（1

8、）開啟閥值電壓VGS(th)測試開啟閥值電壓簡稱開啟電壓，是指器件流過一定量的漏極電流時(shí)（通常取漏極電流ID=1mA)的最小柵源電壓。在主回路的“1”端與MOS管的“25”端之間串入毫安表，測量漏極電流ID，將主回路的“