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1、英特爾迅盤技術(shù)深度解析第1頁：導(dǎo)航：迅盤技術(shù)突破性能極限不久前，Intel發(fā)布新一代移動處理器平臺，在這個新的平臺中，最引人關(guān)注的不是全新的處理器、芯片組和無線網(wǎng)絡(luò)，而是一項全新的技術(shù)——迅盤。Intel官方資料顯示，最新移動處理器平臺采用代號為FRMT（FlashResponseMemoryTechnology）的“IntelTurboMemory”技術(shù)，中文名稱為“迅盤”。迅盤、FRMT、NAND、Robson等等眾多名稱究竟是怎么個關(guān)系呢？本文將為您全面講解。演示：迅盤技術(shù)使速度提升2倍目錄：第一章硬件技術(shù)瓶頸促使迅盤誕生
2、P1.1：前言：技術(shù)瓶頸推動閃存發(fā)展P1.2：措施：微軟在努力可是收效甚微P1.3：英特爾：迅盤誕生速度提升2倍第二章迅盤技術(shù)的使用條件以及內(nèi)部構(gòu)造P2.1：迅盤：使用條件BIOS、Vista系統(tǒng)P2.2：迅盤：存儲介質(zhì)NAND高速閃存芯片P2.3：NAND：SLC與MLC閃存內(nèi)部架構(gòu)P2.4：主控芯片：名為鉆石湖的顆粒P2.5：JTAG：閃存內(nèi)部與外部的鏈接方式第三章10余項測試驗證迅盤技術(shù)的性能-Vista內(nèi)部測試：迅盤未見效果-HDTune和PCMark測試：性能曲線平滑-系統(tǒng)啟動時間：開啟迅盤可省44秒-商務(wù)辦公測試：再
3、不用怕打開大文件-游戲讀取測試：效果雖有，但不明顯第四章總結(jié)：迅盤的未來發(fā)展之路第2頁：前言：技術(shù)瓶頸推動閃存發(fā)展●技術(shù)瓶頸：推動閃存發(fā)展硬盤的發(fā)展中，一直沒有脫離“機電一體”的“陰影”。眾所周知，主流電腦中機電一體的設(shè)備包括軟驅(qū)，光驅(qū)和硬盤。軟驅(qū)已經(jīng)隨著系統(tǒng)的飛速發(fā)展被淘汰；而光驅(qū)在不斷增加介質(zhì)容量的同時，轉(zhuǎn)速也在不停的攀升，但是依舊不是系統(tǒng)瓶頸的所在。如今，技術(shù)的焦點已經(jīng)轉(zhuǎn)移到硬盤身上。相信每一位電腦的使用者都有過在使用大軟件，或者在繁雜細碎的文件處理時聽著硬盤嘎吱嘎吱的“叫喚”，盡管當(dāng)前CPU的運算速度已經(jīng)達到了一個匪夷所
4、思的程度，然而此時的用戶也只能在硬盤燈狂閃的情況下等待系統(tǒng)緩慢的回應(yīng)。在CPU，顯卡之流的性能以幾何速度攀升的時候，硬盤能做的也只是在盡量擴充自己的容量，可是這種擴充恰恰會讓機電一體所帶來的性能極限更加顯現(xiàn)出來。主流2.5英寸筆記本硬盤以目前來看硬盤的發(fā)展已經(jīng)面臨了兩種極限：容量與速度。盤片是在鋁制合金或者玻璃基層的超平滑表面上依次涂敷薄磁涂層、保護涂層和表面潤滑劑等形成的。由于磁顆粒的單軸異向性和體積也不能一味地提高，它們受限于磁頭能提供的寫入場以及介質(zhì)信噪比的限制。當(dāng)磁顆粒的體積太小的時候，能影響其磁滯的因素就不僅僅是外部磁
5、場了，些許的熱量就會影響磁顆粒的磁滯（譬如室溫下的熱能），從而導(dǎo)致磁記錄設(shè)備上的數(shù)據(jù)丟失，這種現(xiàn)象就是“超順磁效應(yīng)”。如果說“超順磁效應(yīng)影響了硬盤容量的發(fā)展，那么主軸電機的轉(zhuǎn)速就是另一個罪魁禍首了。當(dāng)前的硬盤主軸轉(zhuǎn)速最高已經(jīng)達到了15000rpm，受限于發(fā)熱量與噪音的關(guān)系，其轉(zhuǎn)速已經(jīng)很難再提升了。在計算機快速發(fā)展的今天，傳統(tǒng)的溫徹斯特式硬盤已經(jīng)逐漸成為了系統(tǒng)速度瓶頸的所在。有機械，就會有性能的上限，然而現(xiàn)在我們早已摸到了這個令人棘手的上限了！第3頁：措施：微軟在努力可是收效甚微●微軟：措施：微軟在努力可是收效甚微作為軟件業(yè)的老大
6、——微軟也感受到了這個棘手的問題，畢竟硬盤這個令人棘手的系統(tǒng)瓶頸，在對操作系統(tǒng)的發(fā)展方面也存在了極大的阻礙。所以這次在新推出的WindowsVista操作系統(tǒng)中加入了ReadyBoost與ReadyDriver兩項新技術(shù)。在傳統(tǒng)的Windows操作系統(tǒng)中都會涉及到“虛擬內(nèi)存”的問題。就是在物理內(nèi)存不足以應(yīng)對相關(guān)軟件使用時，將內(nèi)存中已被緩存的部分數(shù)據(jù)拷貝至硬盤，騰出相應(yīng)的空間之后再對當(dāng)前使用軟件進行緩存。ReadyBoost文件夾“虛擬內(nèi)存”技術(shù)雖然解決了物理內(nèi)存不足的問題，不過如果在程序運行過程中對物理內(nèi)存進行頻繁的讀寫操作，而
7、此時若物理內(nèi)存再次告罄，則需要進行換頁操作，隨之而來的就是對硬盤的頻繁讀寫，也就會造成當(dāng)前應(yīng)用程序緩慢。而ReadyBoost技術(shù)允許用戶將普通的閃存盤暫時充當(dāng)為系統(tǒng)緩存來使用，借助非易失閃存快速讀寫的特性來加速系統(tǒng)及軟件的運行。而ReadyDriver技術(shù)則是針對目前混合式硬盤(HybridHardDisk)而推出的?；旌鲜接脖P就是在不完全淘汰傳統(tǒng)的溫徹斯特硬盤的基礎(chǔ)上相應(yīng)的在硬盤與I/O系統(tǒng)之間加入“二級緩存模塊”也就是為硬盤單獨配置一套靜態(tài)緩存，以降低硬盤的讀寫負擔(dān)，加快系統(tǒng)整體運行速度。ReadyDriver便是對此進行
8、軟件上的支持及優(yōu)化。ReadyDriver工作示意圖其實兩者的技術(shù)特點相對差別不大，都是在硬盤與I/O系統(tǒng)之間架設(shè)一個新的緩存橋梁，用高速非易失性閃存來解決傳統(tǒng)溫徹斯特式硬盤所帶來的性能極限。只是ReadyBoost對閃存盤的要求過分苛刻，一般市面的閃存盤由于性
