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1、MgO緩沖層對Si襯底上制備Fe3Si薄膜性能的影響貴州大學(xué)大數(shù)據(jù)與信息工程學(xué)院新型光電子材料與技術(shù)研究所采用磁控濺射方法和熱加工工藝在n型Si襯底上濺射不同厚度的MgO層并制備Fe-Si薄膜層，退火后形成Fe3Si/MgO/Si多層膜結(jié)構(gòu)。利用MgO緩沖層對退火時(shí)Si襯底擴(kuò)散原子進(jìn)行屏蔽，并分析MgO層對Fe3Si薄膜結(jié)構(gòu)和電學(xué)性質(zhì)的影響。通過X射線衍射儀（XRD）、掃描電子顯微鏡（SEM）和四探針測試儀對Fe3Si薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、表而形貌、斷而形貌和電阻率進(jìn)行表征與分析。研宂結(jié)果表明：當(dāng)MgO層厚度為20nm時(shí)
2、生成F^Si。.:薄膜，當(dāng)厚度為50，100，150和200nm時(shí)都生成了Fe3Si薄膜，生成的Fe、Si和薄膜以（110）和（211）取向?yàn)橹?。隨MgO緩沖層厚度增加，Si襯底擴(kuò)散原子對Fe3Si薄膜的影響減小，F(xiàn)e;iSi薄膜的晶格常數(shù)逐漸減小，晶粒大小趨向均勻，平均電阻率呈現(xiàn)先增大后減小趨勢。研宄結(jié)果為后續(xù)基于Fe3Si薄膜的器件設(shè)計(jì)與制備提供了參考。關(guān)鍵詞：礆控濺射法;MgO緩沖層;Fe3Si薄膜;晶體結(jié)構(gòu);電阻率;poundFe3Si[J].PhysicalReview:B，2012，86(17):460
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