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1、抗磁場(chǎng)干擾和磁屏蔽材料2007年12月06日01:55 來源:《國(guó)際電子變壓器》 作者:高適編譯1引言20世紀(jì)后期的近30年來,隨著電子技術(shù),尤其是電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,其系統(tǒng)、裝備和各種元器件向高頻化、數(shù)字化、集成化、輕小型化、高功率密度和電子線路向低壓化方向發(fā)展已逐步成為事實(shí)。為此,這種現(xiàn)代化電子設(shè)備將不可避免地受到比以前的設(shè)備更為嚴(yán)重、復(fù)雜的雜散磁場(chǎng)的不良影響,即我們常說的電磁干擾(EMI),于是在產(chǎn)品(包括系統(tǒng)與元器件)設(shè)計(jì)上就出現(xiàn)了解決電磁兼容性(EMC)問題。在此,一個(gè)系統(tǒng)需要滿足如下三個(gè)原則:1)不對(duì)其它系統(tǒng)產(chǎn)生干擾;2)對(duì)其它系統(tǒng)的輻射不敏感;3)不對(duì)自身產(chǎn)
2、生干擾。EMC系統(tǒng)的基本框圖如圖1所示。圖1EMC耦合問題的基本分解框圖所以,系統(tǒng)(設(shè)備、元器件)防止干擾的三個(gè)途徑為:1)抑制源的發(fā)射;2)盡可能使耦合路徑無效;3)使接受體對(duì)發(fā)射不敏感。磁屏蔽設(shè)計(jì)是利用后兩個(gè)原理。磁場(chǎng)干擾的潛在源頭是永久磁鐵、電磁鐵、載有大電流的電纜、電動(dòng)機(jī)、變壓器和其它線圈元件等等。磁場(chǎng)產(chǎn)生的干擾影響可以通過磁屏蔽、磁隔離、轉(zhuǎn)換元件等產(chǎn)生的作用來減至最小或消除。因?yàn)榇艌?chǎng)通過導(dǎo)磁材料比它們?cè)诳諝庵谢蚱渌劫|(zhì)材料中更容易被轉(zhuǎn)移,所以,“磁屏蔽”常常用具有高磁導(dǎo)率的磁性材料制作成環(huán)狀的或密閉的元件來“轉(zhuǎn)移”掉其鄰近的磁力線而達(dá)到目的。圖2圓柱體內(nèi)部元件屏蔽示
3、圖圖2所示為怎樣使一個(gè)圓柱體內(nèi)部的元件對(duì)磁場(chǎng)進(jìn)行屏蔽保護(hù)的示意圖。在實(shí)際應(yīng)用中,圓柱體上下部的磁場(chǎng)都是向著屏蔽材料轉(zhuǎn)向的。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,需要進(jìn)行磁屏蔽的典型元器件有:變壓器、電動(dòng)機(jī)、簧片式繼電器、電源、放大器、真空管、光電倍增管、磁控管、擴(kuò)音器、儀表、揚(yáng)聲器、記錄磁頭、儀器、電纜、晶體管、電波濾波器等。設(shè)備或元器件被屏蔽后的抗電磁干擾效果是根據(jù)導(dǎo)致的磁場(chǎng)強(qiáng)度的衰減程度來度量的。在屏蔽前后磁場(chǎng)強(qiáng)度的衰減量或衰減率是材料的磁導(dǎo)率,金屬的厚度和屏蔽罩(盒)的幾何尺寸的函數(shù)。在一般情況下,高磁導(dǎo)率材料是較昂貴的。鑒于這個(gè)原因,使用最低磁導(dǎo)率的材料做屏蔽罩而又證明可以達(dá)到要求的磁場(chǎng)衰減
4、率就是合適的材料。但由此也可見,用一層或數(shù)層較高磁導(dǎo)率的金屬做屏蔽罩,將十分可能比用價(jià)格較低的低磁導(dǎo)率的、但厚度較厚的材料作屏蔽罩之代價(jià)要小一些。2屏蔽設(shè)計(jì)進(jìn)行屏蔽罩設(shè)計(jì)時(shí),需要以下一些數(shù)據(jù):首先,對(duì)其能夠衰減多少磁場(chǎng)強(qiáng)度必須測(cè)量或估算得出;其次,為了起到良好的屏蔽作用,必須挑選專門的形狀,典型的或相對(duì)可以預(yù)測(cè)的幾何形狀包括長(zhǎng)的圓柱體和矩形殼體。當(dāng)然還有許多其它形狀如圓錐體、平板或球體通常都會(huì)被采用。由于常用設(shè)計(jì)程序主要用于圓柱狀屏蔽罩的設(shè)計(jì),但它被用于其它形狀如矩形的屏蔽罩設(shè)計(jì)時(shí),要用其最長(zhǎng)的對(duì)角線去替代方程中的直徑尺寸“D”。開始設(shè)計(jì)屏蔽罩時(shí),必須確定磁通密度之值(單位,
5、高斯),也必須選擇屏蔽材料的厚度。因?yàn)槠帘尾牧系摩膛cB的分布圖是非線性關(guān)系,工作在屏蔽罩的磁通密度必須使材料達(dá)到其峰值磁導(dǎo)率,例如坡莫合金和Mumetal的磁通量應(yīng)在3600高斯左右。屏蔽材料的厚度可以由下式計(jì)算確定t=1.25DH/B(英寸)式中,B是衰減率(由屏蔽前的磁場(chǎng)強(qiáng)度除屏蔽后的磁場(chǎng)強(qiáng)度得到)。鎳含量高的磁性材料之μ值最小應(yīng)該達(dá)到80,000。通過對(duì)工作在2500至3500高斯左右磁通水平的材料進(jìn)行試驗(yàn),很容易得到這個(gè)數(shù)值。根據(jù)第一個(gè)方程式,B值可以計(jì)算出來;同時(shí),如果必須使B值變得更合適,則可以修改屏蔽罩的直徑。設(shè)計(jì)屏蔽罩時(shí)包括的一些其它注意事項(xiàng)是:1)對(duì)強(qiáng)度很高
6、的磁場(chǎng)可以使用多層材料做的屏蔽罩,最靠近磁場(chǎng)的那一層應(yīng)該是能夠削弱較大磁通量的合金材料如48合金,Magnesill;第二層應(yīng)采用高磁導(dǎo)率的材料如坡莫合金。如果有可能,應(yīng)該允許磁場(chǎng)發(fā)射源和最靠近它的那一層屏蔽材料之間的空隙最?。▇1/2″)。習(xí)慣上,多層屏蔽材料的每層之間是以聚脂薄膜樹脂層進(jìn)行分隔的。2)如果屏蔽罩對(duì)磁場(chǎng)發(fā)射源或屏蔽目標(biāo)封閉其雜散磁場(chǎng)不能實(shí)現(xiàn),則常??梢允褂闷桨宀迦胨鼈冎g。如果平板的高度和寬度比發(fā)射源和屏蔽目標(biāo)之間的距離尺寸大得多,則可以實(shí)現(xiàn)封閉雜散磁場(chǎng)。3)用厚度≤0.006″的金屬板“封閉”磁場(chǎng)時(shí),一般是用在樣機(jī)的屏蔽,因?yàn)樗鼈兛梢杂檬止こ尚危词剐栌枚?/p>
7、層)。如果屏蔽罩要用機(jī)械成形,那么就可以采用較厚的材料進(jìn)行屏蔽。應(yīng)該注意的是任何強(qiáng)力的機(jī)械作業(yè)(如折彎、沖壓、氦弧焊接等)都會(huì)使材料產(chǎn)生應(yīng)力,合理的加工方法是在材料加工以后進(jìn)行退火。4)一般來說,在低頻(~60HZ)狀態(tài),屏蔽罩的長(zhǎng)度對(duì)直徑的比率大于3時(shí),將屏蔽材料的厚度從0.014″增加到0.050″,屏蔽的效果增強(qiáng);如果該比率低于3,增加厚度至0.025″時(shí),則影響磁場(chǎng)衰減的程度較小。3磁屏蔽材料上面已經(jīng)讀到,磁屏蔽的效果是根據(jù)設(shè)備或元器件被屏蔽后所產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度的衰減程度來度量的。從磁屏蔽的要求和