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1、國外紅外探測器材料技術(shù)新進展本文由smdxglx貢獻pdf文檔可能在WAP端瀏覽體驗不佳。建議您優(yōu)先選擇TXT，或下載源文件到本機查看。第32卷第3期2009正兵器材料科學(xué)與工程0RDNANCEMATRICEEALSINCEANDENGNEIERIGNV0.2N.1o33Ma,20y095月國外紅外探測器材料技術(shù)新進展郭瑞萍李靜,葆森,孫(.方科技信息研究所,京108;.1北北0092中國兵器科學(xué)研究院寧波分院,江寧波350)浙113摘要紅外探測器材料是光電子材料的重要一類,近十幾年來受到國內(nèi)外學(xué)者的廣泛關(guān)注和研究.綜述美,法等國
2、有關(guān)碲鎘汞,子阱制冷型紅外探測器材料以及非晶硅,O,量V氧化物晶體,熱釋電陶瓷等非制冷紅外探測器材料的研究現(xiàn)狀,對它們各自的特點及發(fā)展作了較為詳細的評述.可以預(yù)測,色,規(guī)格,質(zhì)外延碲鎘汞薄膜材料和低成本,靈敏度非多大異高制冷材料是紅外探測器材料技術(shù)的主要發(fā)展方向.關(guān)鍵詞碲鎘汞;子阱;量綜述;制冷;非紅外探測器材料中圖分類號T1N2文獻標識碼A文章編號10—4X(09)309—30424200—060NweeometorinifaeeetrmaeacnlgedvlpnfoegrrddtcotrlthooyfnieGURiig,Iig
3、,UNBasnOupnLn.SoeJ(.ohIsttfrcnic&TcnlgfmtnBin009Cia2igornhohncdmyf1rtueoitiNtniSefehooyIoai,ei108,hn;.nbacfiaAaenrojgNBCoOdaccec,igo350CiarnneSineNnb113,hn)AbtcIfrddtcotrlioeknfionpolcrncmaeilwhcaenwdlocrensrtnreeetrmaeisnidomp~atoteetitraihhsbeieycnendadaaaosuidbosia
4、doesaeerhrnrcn0yasTiatleiwhrsnesaeiainoCT.tdeydmetnvresrsacesieet1er.hsrcervestepeetaerhsutfcirtoHgdeQatmWeolfrddttaeaadscnolfrecraeaaaohuicnVoiunlcoeireecrtlnhucodiredtttrlsmrossi,O,xeuldnaeomriuenadeomiplodcytlyolcreacihnrneecTecaatrtsaddvlpnfhmaebeiusdIirsa,preetic
5、rminteUSadFact.hhrcesineeometoehvendsse.tscictcpitdtal—oo,lrefrteeoptxaHgdetilmaeanocs,hgesieucotraonehtmutclragoma,htreiilCThnfmtrladlwotihsnivnolmaeiiaiitlwietedvlpnicinoeifaeeetrtr1lbheeometrtfhrrddtcoea.ldeotnmaiKywrsHgdeQPrviucodifrddttarleodCT;WI;eew;nol;reecrti
6、senaeomea在現(xiàn)代戰(zhàn)爭所用電子裝備中,紅外熱成像技術(shù)對提高夜視,防空和偵察能力起著十分重要的作用.20世紀7O年代末期和8O年代初研制的第一代HCTgde光導(dǎo)通用組件在軍事電子裝備中得到了廣泛應(yīng)用,目前正面臨著進一步提高性能和降低成本的要求.為滿足夜視,控,火偵察,監(jiān)視,精確制導(dǎo)和光電對抗等軍事應(yīng)用.需要發(fā)展高密度的第二代焦平面探測器和第三代大規(guī)格,多色,非制冷的焦平面探測器,這對紅外探測器及其材料提出了新的更高的要求,必須提高原有探測器材料的性能,并開發(fā)新型的材料.目前,國外主要發(fā)展的紅外探測器材料有碲鎘汞紅外探測器材料,
7、量子阱紅外探測器材料以及非制冷型紅外探測器材料.廣泛,最重要的材料.早期的碲鎘汞材料使用體單晶技術(shù)制備.自2但0世紀8O年代國外已開始把碲鎘汞材料的生長重點由體材料轉(zhuǎn)向了外延薄膜材料.近年來隨著分子束外延技術(shù)的迅速發(fā)展.gde膜材料也取得了較大的進HCT薄展,主要體現(xiàn)在大規(guī)格S,e底碲鎘汞薄膜材料以iG襯及多色異質(zhì)外延碲鎘汞薄膜材料技術(shù)方面.以適應(yīng)紅外焦平面器件對材料的大面積,勻,均高性能,色的多要求,當(dāng)前紅外探測器材料技術(shù)研究的重點和熱點.是11以硅,為襯底的大規(guī)格碲鎘汞薄膜材料.鍺傳統(tǒng)的碲鋅鎘襯底無法實現(xiàn)大面積(晶片直徑最大約
8、6I,碲鎘汞薄膜的尺寸限制在3m221m)將T0c.而且碲鋅鎘襯底與硅讀出集成電路(OC)RI的熱膨脹系l碲鎘汞(gde紅外探測器材料HCT)碲鎘汞(gd)H是直接帶隙半導(dǎo)體,在制備過數(shù)不匹配,無法滿足第三代紅外探測器應(yīng)用要求.因此在過去的十幾年中
