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《如何選擇最適用的sram存儲(chǔ)器》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫(kù)。
1、如何選擇最適用的SRAM存儲(chǔ)器SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一種只要在供電條件下便能夠存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器件，而且是大多數(shù)高性能系統(tǒng)的一個(gè)關(guān)鍵部分。SRAM具有眾多的架構(gòu)，各針對(duì)一種特定的應(yīng)用。本文旨在對(duì)目前市面上現(xiàn)有的SRAM做全面評(píng)述，并簡(jiǎn)要說(shuō)明就某些特定用途而言，哪類SRAM是其最佳選擇。SRAM從高層次上可以劃分為兩個(gè)大類：即同步型和異步型。同步型SRAM采用一個(gè)輸入時(shí)鐘來(lái)啟動(dòng)至存儲(chǔ)器的所有事務(wù)處理（讀、寫、取消選定等）。而異步型SRAM則并不具備時(shí)鐘輸入，且必須監(jiān)視輸入以獲取來(lái)自控制器的命令。一旦識(shí)別出某條命令，這些器件
2、將立即加以執(zhí)行。同步SRAM家族分類與某一特定應(yīng)用相適應(yīng)的最佳SRAM的選擇取決于多個(gè)因素，其中包括功率限制、帶寬要求、密度以及讀/寫操作模式等?？蓾M足不同系統(tǒng)要求的同步型和異步型SRAM多種多樣，本文將逐一加以說(shuō)明。各種同步型SRAM比較同步型SRAM于上個(gè)世紀(jì)80年代后期首度面市，最初是面向具有極高性能的工作站和服務(wù)器中的第二級(jí)（L2）高速緩沖存儲(chǔ)器應(yīng)用。進(jìn)入上個(gè)世紀(jì)90年代中期之后，它又在較為主流的應(yīng)用（包括個(gè)人電腦中的第二級(jí)高速緩沖存儲(chǔ)器）中尋覓到了自己的用武之地。自那以后，在包括高性能網(wǎng)絡(luò)在內(nèi)的眾多應(yīng)用的設(shè)計(jì)中，同步型
3、SRAM大行其道（在這些應(yīng)用中，它們通常被用于數(shù)據(jù)緩沖器、高速暫存器、隊(duì)列管理功能和統(tǒng)計(jì)緩沖器）。同步型SRAM又可以采用多種不同的架構(gòu)。下文將對(duì)某些“主流”的器件做簡(jiǎn)要說(shuō)明。1：標(biāo)準(zhǔn)同步型SRAM標(biāo)準(zhǔn)同步型SRAM是被“主流應(yīng)用”所接納的第一種同步型SRAM。這些器件雖然主要面向PCL2高速緩沖存儲(chǔ)器應(yīng)用，但也滲透到了非PC應(yīng)用領(lǐng)域中，比如網(wǎng)絡(luò)、電信、數(shù)字信號(hào)處理（DSP）以及醫(yī)療和測(cè)試設(shè)備。其中，標(biāo)準(zhǔn)同步型SRAM具有兩種基本格式：流水線型和直通型。兩者之間的差異是：直通型SRAM僅在輸入端上具有寄存器，當(dāng)?shù)刂泛涂刂戚斎氡徊?/p>
4、獲且一個(gè)讀存取操作被啟動(dòng)時(shí)，數(shù)據(jù)將被允許“直接流”至輸出端。當(dāng)用戶對(duì)初始延遲的重要性考慮超過(guò)對(duì)持續(xù)帶寬的考究時(shí)，人們往往優(yōu)先采用直通型架構(gòu)?！傲魉€型”同步SRAM同時(shí)擁有一個(gè)輸入寄存器和一個(gè)輸出寄存器。流水線型SRAM所提供的工作頻率和帶寬通常高于直通型SRAM。因此，在需求較高寬帶，而對(duì)初始延遲不是很敏感時(shí)，人們常常優(yōu)先采用流水線型SRAM。2：NoBLTM（無(wú)總線延遲）型SRAM有些應(yīng)用不允許“等待狀態(tài)”。比如網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中“等待狀態(tài)”有可能對(duì)性能產(chǎn)生嚴(yán)重的影響。為解決該問(wèn)題，賽普拉斯公司推出了無(wú)總線延遲（NoBL）型SRAM
5、。NoBL型SRAM與標(biāo)準(zhǔn)同步型SRAM很相似，但是擁有附加的片上邏輯電路，旨在完全消除標(biāo)準(zhǔn)同步型SRAM系列所需的“等待狀態(tài)”。通過(guò)消除這些“等待狀態(tài)”，此類SRAM能夠?qū)崿F(xiàn)100%的總線利用率（絲毫不受讀/寫模式的影響）。該功能極大地改善了存儲(chǔ)器性能，尤其是當(dāng)存在頻繁的讀/寫操作變換時(shí)。NoBL型SRAM也存在兩種版本：直通型和流水線型。直通型NoBLSRAM始終具有一個(gè)單周期偏移，而NoBL流水線型SRAM則保持了一個(gè)雙周期偏移。3：四倍數(shù)據(jù)速率（QDRTM）型SRAM盡管推出了NoBL型架構(gòu)并使性能較之標(biāo)準(zhǔn)同步型SRAM
6、有所改善，但某些系統(tǒng)對(duì)性能有著更高的要求。于是，賽普拉斯、Renesas、IDT、NEC和三星等幾家公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)出了QDR型SRAM。QDR架構(gòu)旨在滿足那些要求低延遲且所需帶寬明顯高于NoBL型架構(gòu)提供能力的“高帶寬需求型”系統(tǒng)的需要。QDR型SRAM與NoBL型SRAM最為顯著的差異之一是前者的讀端口和寫端口是分開(kāi)的。這些端口可獨(dú)立工作，并支持并行的讀和寫事務(wù)處理。QDR型SRAM能夠以DDR傳輸速率（2倍）來(lái)支持兩項(xiàng)同時(shí)出現(xiàn)的事務(wù)處理，四倍數(shù)據(jù)速率（QDR）的名稱便是由此得來(lái)的。QDR型SRAM具有兩種基本類型：即2字脈沖串
7、和4字脈沖串。這兩種類型之間的差異在于每項(xiàng)事務(wù)處理過(guò)程中所支持的脈沖串長(zhǎng)度。4：QDR-II型SRAMQDR-II型SRAM與QDR型SRAM相似，但在性能方面進(jìn)一步提升。與相同頻率的QDR型器件相比，QDR-II型SRAM所產(chǎn)生的總數(shù)據(jù)有效窗口面積大了35%左右。另外，QDR-II型SRAM產(chǎn)品還比QDR型器件多了一個(gè)半延遲周期。這增加的半個(gè)時(shí)鐘周期可在對(duì)初始延遲影響極小的情況下提供高得多的頻率和帶寬。5：DDR型SRAM如果QDR型SRAM面向的是具有平衡讀/寫模式的應(yīng)用，DDR型SRAM架構(gòu)則主要針對(duì)那些需要進(jìn)行數(shù)據(jù)流式傳
8、輸（例如，后隨多項(xiàng)寫操作的多項(xiàng)讀操作）、且所需帶寬遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于標(biāo)準(zhǔn)同步型器件或NoBL型器件的應(yīng)用。DDR型SRAM具有出眾的整體總線利用率以及高得多的總帶寬，性能也因此得到了最大限度的提升。和QDR型SRAM一樣，DDR型SRAM也有兩種格式：即2字脈沖串和4字脈
