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1、應(yīng)用日漸增多，超結(jié)MOSFET前景一片看好 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)YoleDeveloppement推出超接面金氧半場(chǎng)效電晶體（SuperJuncTIonMetal-OxideSemiconductorField-EffectTransistor，SJMOSFET）的市場(chǎng)更新報(bào)告，深度剖析高壓（400伏特以上）SJMOSFET市場(chǎng)指標(biāo)與預(yù)測(cè)、深溝式（Deeptrench）與多磊晶（mulTI-epi）技術(shù)的差異以及新興業(yè)者的競(jìng)爭(zhēng)分析?！ oleDeveloppement指出，SJMOSFET技術(shù)市場(chǎng)有2/3皆應(yīng)用于消費(fèi)型產(chǎn)品，像是桌上型電腦或是游戲機(jī)的電源供應(yīng)器，雖然這些產(chǎn)品的市場(chǎng)需求衰煺，但S
2、JMOSFET在其他產(chǎn)品的應(yīng)用卻如雨后春筍出現(xiàn)，其中以平板電腦的電源供應(yīng)器最具成長(zhǎng)空間，預(yù)估在2013至2018年間將有高達(dá)32%的復(fù)合年成長(zhǎng)率。但SJMOSFET目前最常被應(yīng)用仍為個(gè)人電腦（桌電及筆電）之電源供應(yīng)器與電視機(jī)，約占整體市場(chǎng)的一半以上?！ oleDeveloppement電力電子領(lǐng)域分析師AlexandreAvron表示，SJMOSFET之所以被前述產(chǎn)品廣泛應(yīng)用最重要的塬因在于其體積的優(yōu)勢(shì)，與平面式（Planar）MOSFET相比，SJMOSFET因?yàn)榘l(fā)熱量低，所以體積能夠大幅的縮小。同時(shí)也不能忽視混合動(dòng)力（Hybrid）車與電動(dòng)車的市場(chǎng)，，這些市場(chǎng)現(xiàn)在可能甚至不到500萬
3、美元，但到2018年時(shí)卻將可能超過1億美元?！ oleDeveloppement這份報(bào)告也釐清SJMOSFET在電動(dòng)車與油電混合車市場(chǎng)的發(fā)展情形，明確地分析SJMOSFET將如何被運(yùn)用在直流/直流（DC/DC）轉(zhuǎn)換器及充電器，以及其精確市場(chǎng)指標(biāo)的預(yù)測(cè)依據(jù)。 Avron指出，SJMOSFET對(duì)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用來說卻不太有吸引力，主要因?yàn)檫@些應(yīng)用的全橋電路（H-bridge）操作多不需以高頻轉(zhuǎn)換，只有在特定的拓?fù)湎袷嵌鄬哟位虻统杀镜碗娫吹慕鉀Q方案，如小型不斷電系統(tǒng)（UPS）或住宅型太陽能系統(tǒng)（ResidenTIalPV）才有用武之地，但平面型的MOSFET或是絕緣閘雙極晶體管（IGBT）就可以滿足
4、這些應(yīng)用技術(shù)層面的需求，成本還更加低廉，因此SJMOSFET目前發(fā)展仍侷限于高階的應(yīng)用?！ JMOSFET的技術(shù)主要有兩種，其一為由英飛凌（Infineon）開發(fā)的多磊晶技術(shù)，藉由摻雜（doping）磊晶在磊晶層上形成島狀的摻雜區(qū)域，使該區(qū)域擴(kuò)散形成一個(gè)氮摻雜（N-doped）平面。另一種技術(shù)則採(cǎi)用深反應(yīng)離子蝕刻挖出溝槽狀結(jié)構(gòu)，再將氮摻雜材料填補(bǔ)于溝槽，制造出超接面的結(jié)構(gòu)，開發(fā)此科技的業(yè)者主要為東芝（Toshiba），快捷半導(dǎo)體（FairchildSemiconductor）及艾斯摩斯科技（IceMOSTechnology）?！ vron指出，科技的進(jìn)展使得多磊晶與深蝕刻技術(shù)發(fā)展越發(fā)競(jìng)
5、爭(zhēng)，東芝剛推出第4代DTMOS，是一種具備較小間距（pitch）的深溝槽結(jié)構(gòu)MOSFET，可採(cǎi)用更小的晶粒且改善導(dǎo)通電阻（RdsON），雖然制造成本仍高于英飛凌的CoolMOS，但將會(huì)越來越具競(jìng)爭(zhēng)力。 化合物半導(dǎo)體（compoundsemiconductor）是SJMOSFET的強(qiáng)勁競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，如碳化硅（SiC）因?yàn)槟艹惺茌^高的電壓，有潛力應(yīng)用于高階解決方案，預(yù)計(jì)到2015年前硅都還會(huì)是主流，另外IGBT兼具價(jià)格與轉(zhuǎn)換效率兩者優(yōu)勢(shì)，美商國(guó)際整流器（InternaTIonalRectifier）正在研發(fā)足以與SJMOSFET相抗衡的高速IGBTs，到頭來SJMOSFET可能定位于這兩者中間，
6、并視電壓、應(yīng)用及轉(zhuǎn)頻的需求，而與碳化硅、高速IGBT、IGBT或氮化鎵相互競(jìng)爭(zhēng)。 這份報(bào)告也包含封裝技術(shù)的革新，2010年意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）與英飛凌雙雙以極小尺寸的一般封裝技術(shù)保持領(lǐng)先地位，體積大小向來是消費(fèi)型應(yīng)用的關(guān)鍵，此技術(shù)提供的小體積優(yōu)勢(shì)與消費(fèi)者應(yīng)用需求完美契合?！ ?012年電力電子一片慘淡，IGBT的營(yíng)收下跌20~25%，但同時(shí)SJMOSFET卻成長(zhǎng)8.3%，YoleDeveloppement預(yù)估漲勢(shì)將會(huì)一路持續(xù)至2018年，并超越10億美元大關(guān)，此預(yù)測(cè)彰顯了SJMOSFET技術(shù)的必要性。2011年時(shí)SJMOSFET產(chǎn)能遠(yuǎn)無法應(yīng)付需求，因此201
7、2年時(shí)市場(chǎng)才未受大環(huán)境影響，對(duì)業(yè)者來說這樣的供需失衡恰好作為緩衝，故YoleDeveloppement相信市場(chǎng)將會(huì)在2013年回復(fù)正常供需平衡?！ JMOSFET市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè) 隨著越來越多的業(yè)者加入競(jìng)爭(zhēng)，顯現(xiàn)SJMOSFET的發(fā)展?jié)摿Γ缤@份報(bào)告中所指出，過去36個(gè)月以來已經(jīng)有8家新的業(yè)者加入競(jìng)爭(zhēng)，其中中國(guó)的晶圓代工及其無晶圓廠的合作對(duì)象們，將會(huì)逐漸對(duì)目前幾家具高市占的龍頭帶來威脅?！ ‰S著技術(shù)逐漸普及，越來越
