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《應(yīng)用日漸增多，超結(jié)MOSFET前景一片看好.doc》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、應(yīng)用日漸增多，超結(jié)MOSFET前景一片看好 市場研究機構(gòu)YoleDeveloppement推出超接面金氧半場效電晶體（SuperJuncTIonMetal-OxideSemiconductorField-EffectTransistor，SJMOSFET）的市場更新報告，深度剖析高壓（400伏特以上）SJMOSFET市場指標(biāo)與預(yù)測、深溝式（Deeptrench）與多磊晶（mulTI-epi）技術(shù)的差異以及新興業(yè)者的競爭分析?！ oleDeveloppement指出，SJMOSFET技術(shù)市場有2/3皆應(yīng)用于消費型產(chǎn)品，像是桌上型電腦或是游戲機的電源供應(yīng)器，雖然這些產(chǎn)品的市場需求衰煺，但S
2、JMOSFET在其他產(chǎn)品的應(yīng)用卻如雨后春筍出現(xiàn)，其中以平板電腦的電源供應(yīng)器最具成長空間，預(yù)估在2013至2018年間將有高達32%的復(fù)合年成長率。但SJMOSFET目前最常被應(yīng)用仍為個人電腦（桌電及筆電）之電源供應(yīng)器與電視機，約占整體市場的一半以上?！ oleDeveloppement電力電子領(lǐng)域分析師AlexandreAvron表示，SJMOSFET之所以被前述產(chǎn)品廣泛應(yīng)用最重要的塬因在于其體積的優(yōu)勢，與平面式（Planar）MOSFET相比，SJMOSFET因為發(fā)熱量低，所以體積能夠大幅的縮小。同時也不能忽視混合動力（Hybrid）車與電動車的市場，，這些市場現(xiàn)在可能甚至不到500萬
3、美元，但到2018年時卻將可能超過1億美元?！ oleDeveloppement這份報告也釐清SJMOSFET在電動車與油電混合車市場的發(fā)展情形，明確地分析SJMOSFET將如何被運用在直流/直流（DC/DC）轉(zhuǎn)換器及充電器，以及其精確市場指標(biāo)的預(yù)測依據(jù)。 Avron指出，SJMOSFET對產(chǎn)業(yè)應(yīng)用來說卻不太有吸引力，主要因為這些應(yīng)用的全橋電路（H-bridge）操作多不需以高頻轉(zhuǎn)換，只有在特定的拓撲像是多層次或低成本低電源的解決方案，如小型不斷電系統(tǒng)（UPS）或住宅型太陽能系統(tǒng)（ResidenTIalPV）才有用武之地，但平面型的MOSFET或是絕緣閘雙極晶體管（IGBT）就可以滿足
4、這些應(yīng)用技術(shù)層面的需求，成本還更加低廉，因此SJMOSFET目前發(fā)展仍侷限于高階的應(yīng)用?！ JMOSFET的技術(shù)主要有兩種，其一為由英飛凌（Infineon）開發(fā)的多磊晶技術(shù)，藉由摻雜（doping）磊晶在磊晶層上形成島狀的摻雜區(qū)域，使該區(qū)域擴散形成一個氮摻雜（N-doped）平面。另一種技術(shù)則採用深反應(yīng)離子蝕刻挖出溝槽狀結(jié)構(gòu)，再將氮摻雜材料填補于溝槽，制造出超接面的結(jié)構(gòu)，開發(fā)此科技的業(yè)者主要為東芝（Toshiba），快捷半導(dǎo)體（FairchildSemiconductor）及艾斯摩斯科技（IceMOSTechnology）?！ vron指出，科技的進展使得多磊晶與深蝕刻技術(shù)發(fā)展越發(fā)競
5、爭，東芝剛推出第4代DTMOS，是一種具備較小間距（pitch）的深溝槽結(jié)構(gòu)MOSFET，可採用更小的晶粒且改善導(dǎo)通電阻（RdsON），雖然制造成本仍高于英飛凌的CoolMOS，但將會越來越具競爭力。 化合物半導(dǎo)體（compoundsemiconductor）是SJMOSFET的強勁競爭對手，如碳化硅（SiC）因為能承受較高的電壓，有潛力應(yīng)用于高階解決方案，預(yù)計到2015年前硅都還會是主流，另外IGBT兼具價格與轉(zhuǎn)換效率兩者優(yōu)勢，美商國際整流器（InternaTIonalRectifier）正在研發(fā)足以與SJMOSFET相抗衡的高速IGBTs，到頭來SJMOSFET可能定位于這兩者中間，
6、并視電壓、應(yīng)用及轉(zhuǎn)頻的需求，而與碳化硅、高速IGBT、IGBT或氮化鎵相互競爭?！ ∵@份報告也包含封裝技術(shù)的革新，2010年意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）與英飛凌雙雙以極小尺寸的一般封裝技術(shù)保持領(lǐng)先地位，體積大小向來是消費型應(yīng)用的關(guān)鍵，此技術(shù)提供的小體積優(yōu)勢與消費者應(yīng)用需求完美契合?！ ?012年電力電子一片慘淡，IGBT的營收下跌20~25%，但同時SJMOSFET卻成長8.3%，YoleDeveloppement預(yù)估漲勢將會一路持續(xù)至2018年，并超越10億美元大關(guān)，此預(yù)測彰顯了SJMOSFET技術(shù)的必要性。2011年時SJMOSFET產(chǎn)能遠無法應(yīng)付需求，因此201
7、2年時市場才未受大環(huán)境影響，對業(yè)者來說這樣的供需失衡恰好作為緩衝，故YoleDeveloppement相信市場將會在2013年回復(fù)正常供需平衡?！ JMOSFET市場規(guī)模預(yù)測 隨著越來越多的業(yè)者加入競爭，顯現(xiàn)SJMOSFET的發(fā)展?jié)摿?，如同這份報告中所指出，過去36個月以來已經(jīng)有8家新的業(yè)者加入競爭，其中中國的晶圓代工及其無晶圓廠的合作對象們，將會逐漸對目前幾家具高市占的龍頭帶來威脅。 隨著技術(shù)逐漸普及，越來越
