太陽能電池_濕法刻蝕工藝設計指導書模板

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1、專業(yè)資料設計文件名稱EdgeIsolation&PSGSelectiveEmitter工藝操作規(guī)程T-IS-026產品型號名稱156×156多晶絨面電池共6頁第1頁1、工藝目的:通過化學反應,將硅片上下表面的PN結刻斷,以達到正面與背面絕緣的目的;另外經過化學反應,刻蝕掉未被蠟覆蓋的硅片表面的一定深度,做選擇性發(fā)射極;最后用BDG去除inkjet工序中的噴涂的層蠟,用KOH藥液去除硅片表面的多孔硅;同時用HF去除表面的磷硅玻璃層。2、設備及工具:EdgeIsolation&PSGSelectiv

2、eEmitter、電子天平、PVC手套、口罩、防護服、防護眼罩、防護套袖、橡膠手套、防酸堿膠鞋、GPSolar電阻測試儀(邊緣電阻)、濃度分析儀等。3、適用范圍本工藝適用于EdgeIsolation&PSGSelectiveEmitter。4、職責本工藝操作規(guī)程由工藝工程師負責調試、修改、解釋。5、材料:合格的多晶硅片(INKJET后)、HF(49%,電子級,工作壓力3-5bar,KOH(49%,電子級,工作壓力3-5bar)、HNO3(65%,電子級,工作壓力3-5bar),DI水(工作壓力3

3、-5bar)、壓縮空氣(工作壓力6-7bar,除油,除水,除粉塵),Butyldiglycol(2一(2一丁氧乙氧基)乙醇)(BDG)(100%,電子級,工作壓力3-5bar),冷卻水(入水:工作壓力3-4bar,最大入水溫度25°C,出水工作壓力:最大2bar),新鮮空氣(Freshair用于旋轉器腔室)(工作壓力100Pa),乙二醇(制冷機)。6、工藝描述:6.1、工藝條件:環(huán)境溫度:+22°Cto+24°C;環(huán)境濕度:45to65%RHatWORD完美格式下載可編輯專業(yè)資料24°C;設計文

4、件名稱EdgeIsolation&PSGSelectiveEmitter工藝操作規(guī)程T-IS-026共6頁第2頁WORD完美格式下載可編輯專業(yè)資料6.2、工藝原理:  EdgeIsolation&PSGSelectiveEmitter工藝主要包括三部分:HNO3+HF(周邊刻蝕)-----HNO3+HF(刻蝕掉一定深度的未被蠟層覆蓋的PN結)-----KOH+BDG+Antifoam(中和掉多余的酸以及去除硅片表面的的多孔硅和inkjet工序中噴涂的層蠟)-----HF(去除硅片表面的磷硅玻璃)

5、。本工藝過程中,首先用滾輪將硝酸帶出將滾輪與硅片接觸的背面氧化,形成氧化硅后,然后氫氟酸與氧化硅反應生成絡合物六氟硅酸(H2SiF6),刻斷PN結,從而使正面與背面絕緣。然后硅片經過噴淋HNO3+HF的混合藥液,將未被inkjet層蠟覆蓋的深PN結刻蝕掉一定深度,變成工藝要求的深度;選擇性刻蝕之后經過KOH溶液去除硅片表面的多孔硅,同時用BDG去除掉inkjet工序中噴涂的層蠟;最后利用HF酸將硅片正面的磷硅玻璃層去除;用DI水洗,壓縮空氣烘干硅片表面即可。主要反應方程式如下:M2和M4槽:Si

6、+4HNO3=SiO2+4NO2↑+2H2OSiO2+4HF=SiF4↑+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6M6槽:暫無:6.3、工藝要求:1、刻蝕槽的刻蝕深度要控制在1.5±0.2um,絕緣電阻大于1KΩ。超出此(小于1.1)范圍要通知當班技術員進行調節(jié),傳送系統的速度范圍控制在0.2-6.0m/min,正常工作狀態(tài)下的工作速度為1.58m/min,為保證設備碎片率較穩(wěn)定,應盡量使各段傳輸速度一致。當工藝穩(wěn)定后每隔兩個小時(有待確定)測量一次刻蝕深度和絕緣電阻。2、當刻蝕深度偏離規(guī)定時應當

7、調節(jié)溫度或帶速,不允許手動添加化學試劑。當調節(jié)傳輸速度不能解決問題時,由技術人員進行手動補液并做相應的記錄,包括:時間、原因、補充量、簽字。3、刻邊槽(EdgeIsolation-Etch:x)的溫度要控制在130C以下,選擇性刻蝕槽(Emitter-Etch)的溫度要控制在4-100C,堿槽(Strip/Post-StripProcess)溫度要控制在250C以下,HF酸槽(PSG-Process)溫度要控制在20℃內。WORD完美格式下載可編輯專業(yè)資料4、刻蝕完畢后,目測背面的刻痕寬度及正面

8、陰影寬度(1次/小時),是否滿足工藝要求,當發(fā)現有連續(xù)超出要求時,應通知當班技術員進行調節(jié)。5、刻蝕槽內的氣流直接影響刻蝕效果,因此通過調節(jié)排風量來保證刻蝕槽內的氣流均勻穩(wěn)定,并且在正常生產時要保證所有工位的上蓋是關閉的。6.4、工藝控制點:1、主要質量控制點:刻蝕深度控制在1.5±0.2之間,單位um絕緣電阻≥1k歐姆。以上二個參數在正常生產時至少每隔兩個小時測量一次。當更換藥液和停產一段時間再生產時及參數不正常時,要求增加測量次數,確保工藝的正常運行,避免造成大量的不合格。1、刻蝕槽的刻蝕速

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