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《摻雜zno薄膜的制備及其異質(zhì)結(jié)紫外光特性研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、獨創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進行的研究工作及取得的研究成果。據(jù)我所知，除了文中特別加以標注和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得電子科技大學(xué)或其它教育機構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻均已在論文中作了明確的說明并表示謝意。簽名：日期：年月日關(guān)于論文使用授權(quán)的說明本學(xué)位論文作者完全了解電子科技大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，有權(quán)保留并向國家有關(guān)部門或機構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)電子科技大學(xué)可以將學(xué)位論文
2、的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯編學(xué)位論文。（保密的學(xué)位論文在解密后應(yīng)遵守此規(guī)定）簽名：導(dǎo)師簽名：日期：年月日萬方數(shù)據(jù)摘要摘要目前，ZnO基光電器件中一個難題是優(yōu)質(zhì)穩(wěn)定的p型ZnO材料制備。由于鋅填隙與氧空位，未摻雜的ZnO為n型半導(dǎo)體，自補償效應(yīng)對p型ZnO制備有負面作用。因此，ZnO基光電器件的結(jié)構(gòu)一般是以n型ZnO與其他p型材料形成的異質(zhì)結(jié)。本文以ITO（透明導(dǎo)電薄膜）為襯底制備良好的p型ZnO薄膜，形成異質(zhì)結(jié)，表征制備薄膜，研究異質(zhì)結(jié)紫外光探測特性。本文研究內(nèi)容：（1）在查
3、閱國內(nèi)外相關(guān)文獻后，對ZnO相關(guān)的知識進行了總結(jié)歸納，介紹ZnO結(jié)構(gòu)及基本性質(zhì)，闡述了異質(zhì)結(jié)相關(guān)內(nèi)容，另外，對目前ZnO基紫外光探測器進行了分類。（2）著重介紹磁控濺射相關(guān)理論，另外，對其他常見的薄膜制備方法進行簡要概括，總結(jié)薄膜表征方法，對不同表征方法的原理進行概括。（3）在ITO襯底上制備不同Ag含量的ZnO薄膜，對薄膜進行表征，霍爾效應(yīng)測試結(jié)果表明Ag摻雜ZnO薄膜為p型，Ag摻雜ZnO薄膜與ITO形成異質(zhì)結(jié)，對異質(zhì)結(jié)紫外光響應(yīng)特性進行了研究。（4）對Mg摻雜ZnO靶材進行分析，指出復(fù)合型靶材的優(yōu)勢。制備Mg摻雜ZnO薄膜，
4、對表征結(jié)果進行簡要分析。透射光譜表明Mg摻雜可使ZnO薄膜吸收波長限改變，Ag摻雜可實現(xiàn)ZnO薄膜的p型轉(zhuǎn)變，綜合兩種摻雜源所起作用，在ITO襯底上制備Mg、Ag共摻雜ZnO薄膜，形成異質(zhì)結(jié)，表征制備樣品，對紫外光探測特性進行研究。關(guān)鍵字：摻雜ZnO薄膜，ｐ型，異質(zhì)結(jié)，紫外光探測I萬方數(shù)據(jù)ABSTRACTABSTRACTOneofthebigchallengestowardgoodZnO-basedoptoelectronicdevicesisthedif?cultyofreliablymakingp-typeZnO.Undope
5、dZnOusuallyshowsn-typeconductionduetopresenceofzincinterstitialsandoxygenvacancies.Therefore,theacceptorcarriersgetcompensatedforeasily.Forthisreason,considerablestudiesonZnO-basedoptoelectronicdeviceswerecarriedoutbyfabricatingheterojunctionsemployingn-typeZnOwithoth
6、erp-typematerials.Thispaperpreparesgoodp-typeZnOfilmsonITO(transparentconductivefilm)substrate.Thep-typeZnOandITOformheterojunction.Thepreparedfilmsaretested.ThepropertyofheterojunctionUVdetectionisinvestigated.Themainresearchcontentsaregivenasfollows:(1)Aftertheacces
7、storelevantliterature,relevantknowledgeofZnOwassummarizedtointroducethestructureandbasicpropertiesofZnO.Therelatedcontentofheterojunctionisdescribed.Inaddition,thepresentZnO-basedultravioletdetectorsareclassified.(2)Thetheoryofmagnetronsputteringisfocusedonintroducing
8、.Othercommonmethodofpreparationoffilmsissummaredbriefly.Thetheoryoftestisexpatiated.(3)ZnOfilmswithdifferentAgcontentareprep
