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《摻雜zno薄膜的制備及其異質(zhì)結(jié)紫外光特性研究》由會員上傳分享,免費在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、獨創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。據(jù)我所知,除了文中特別加以標(biāo)注和致謝的地方外,論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果,也不包含為獲得電子科技大學(xué)或其它教育機構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的說明并表示謝意。簽名:日期:年月日關(guān)于論文使用授權(quán)的說明本學(xué)位論文作者完全了解電子科技大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定,有權(quán)保留并向國家有關(guān)部門或機構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤,允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)電子科技大學(xué)可以將學(xué)位論文
2、的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢索,可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯編學(xué)位論文。(保密的學(xué)位論文在解密后應(yīng)遵守此規(guī)定)簽名:導(dǎo)師簽名:日期:年月日萬方數(shù)據(jù)摘要摘要目前,ZnO基光電器件中一個難題是優(yōu)質(zhì)穩(wěn)定的p型ZnO材料制備。由于鋅填隙與氧空位,未摻雜的ZnO為n型半導(dǎo)體,自補償效應(yīng)對p型ZnO制備有負(fù)面作用。因此,ZnO基光電器件的結(jié)構(gòu)一般是以n型ZnO與其他p型材料形成的異質(zhì)結(jié)。本文以ITO(透明導(dǎo)電薄膜)為襯底制備良好的p型ZnO薄膜,形成異質(zhì)結(jié),表征制備薄膜,研究異質(zhì)結(jié)紫外光探測特性。本文研究內(nèi)容:(1)在查
3、閱國內(nèi)外相關(guān)文獻(xiàn)后,對ZnO相關(guān)的知識進(jìn)行了總結(jié)歸納,介紹ZnO結(jié)構(gòu)及基本性質(zhì),闡述了異質(zhì)結(jié)相關(guān)內(nèi)容,另外,對目前ZnO基紫外光探測器進(jìn)行了分類。(2)著重介紹磁控濺射相關(guān)理論,另外,對其他常見的薄膜制備方法進(jìn)行簡要概括,總結(jié)薄膜表征方法,對不同表征方法的原理進(jìn)行概括。(3)在ITO襯底上制備不同Ag含量的ZnO薄膜,對薄膜進(jìn)行表征,霍爾效應(yīng)測試結(jié)果表明Ag摻雜ZnO薄膜為p型,Ag摻雜ZnO薄膜與ITO形成異質(zhì)結(jié),對異質(zhì)結(jié)紫外光響應(yīng)特性進(jìn)行了研究。(4)對Mg摻雜ZnO靶材進(jìn)行分析,指出復(fù)合型靶材的優(yōu)勢。制備Mg摻雜ZnO薄膜,
4、對表征結(jié)果進(jìn)行簡要分析。透射光譜表明Mg摻雜可使ZnO薄膜吸收波長限改變,Ag摻雜可實現(xiàn)ZnO薄膜的p型轉(zhuǎn)變,綜合兩種摻雜源所起作用,在ITO襯底上制備Mg、Ag共摻雜ZnO薄膜,形成異質(zhì)結(jié),表征制備樣品,對紫外光探測特性進(jìn)行研究。關(guān)鍵字:摻雜ZnO薄膜,p型,異質(zhì)結(jié),紫外光探測I萬方數(shù)據(jù)ABSTRACTABSTRACTOneofthebigchallengestowardgoodZnO-basedoptoelectronicdevicesisthedif?cultyofreliablymakingp-typeZnO.Undope
5、dZnOusuallyshowsn-typeconductionduetopresenceofzincinterstitialsandoxygenvacancies.Therefore,theacceptorcarriersgetcompensatedforeasily.Forthisreason,considerablestudiesonZnO-basedoptoelectronicdeviceswerecarriedoutbyfabricatingheterojunctionsemployingn-typeZnOwithoth
6、erp-typematerials.Thispaperpreparesgoodp-typeZnOfilmsonITO(transparentconductivefilm)substrate.Thep-typeZnOandITOformheterojunction.Thepreparedfilmsaretested.ThepropertyofheterojunctionUVdetectionisinvestigated.Themainresearchcontentsaregivenasfollows:(1)Aftertheacces
7、storelevantliterature,relevantknowledgeofZnOwassummarizedtointroducethestructureandbasicpropertiesofZnO.Therelatedcontentofheterojunctionisdescribed.Inaddition,thepresentZnO-basedultravioletdetectorsareclassified.(2)Thetheoryofmagnetronsputteringisfocusedonintroducing
8、.Othercommonmethodofpreparationoffilmsissummaredbriefly.Thetheoryoftestisexpatiated.(3)ZnOfilmswithdifferentAgcontentareprep