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《埋炭氣氛下熔滲燒結合成al4sic4論文》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關內(nèi)容在學術論文-天天文庫。
1、SYNTHESIS0FAL4SIC4BYINFIIJTRATION．SINTERINGINBUlUEDCARBONATMoSPHEREADissertationsubmittedinfulfillmentoftherequirementsofthedegreeofMASTEROFPⅢLOSoPHYfromShandongUniversityofScienceandTechnologyYinMingqiangSupervisor：AssociateprofessorZhangZhihuiCollegeofMaterialsSc
2、ienceandEngineeringMay2013聲明本人呈交給山東科技大學的這篇碩士學位論文，除了所列參考文獻和世所公認的文獻外，全部是本人在導師指導下的研究成果。該論文資料尚沒有呈交于其它任何學術機關作鑒定。碩士生簽名：日AFFIRMATIoNIdeda豫thatthisdissertation，submittedinfulfillmentofthe托quirementsfortheawardofM嬲terofPhilos叩hyin。Shand．ongncUendive。rsaitcyl‘no刪fSlceidengec
3、．eThandeTechnology,iswhollymyownworkunlessreIere眥陽oi礬刪州肺喵‘：1I：。do伽n讎th嬲notbeensubmittedforqualificationatanyotheracad哪lcSignature：Date：山東科技大學碩士學位論文摘要摘要AhSiC4具有強度大、熔點高、化學穩(wěn)定性好、熱膨脹系數(shù)低以及良好的抗水化和抗氧化性能，這使其成為一種很有前途的、有待于進一步開發(fā)的高性能耐火材料和高溫結構材料?，F(xiàn)階段，國內(nèi)外主要有兩種合成AhSiC4的方法：一種是固．固合成，
4、如熱壓燒結法、固相反應燒結法等；另一種是固．液合成，如電弧焊法、滲透法等。盡管目前采用這兩種合成方法能合成較純的AhSiC4，但由于對合成氣氛有嚴格要求，且合成溫度高，很難實現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)，使其應用受到很大限制。鑒于此，本論文提出在埋炭條件下，采用熔滲(鋁)燒結工藝合成AhSiC4的新工藝。本文以不同Al源、SiC和不同C源為原料，在埋炭條件下，采用熔滲燒結法合成AhSiC4。通過熱力學計算，結合X射線衍射(XRD)物相分析、電子探針(EPMA)分析，研究了原料種類、燒成制度、包埋情況等工藝因素對合成AhSiC4的影響，經(jīng)分析
5、得到如下結論：(1)在埋炭氣氛下，試樣周圍只包埋金屬Al粉時，根據(jù)AhSiC4的化學組成，以金屬砧粉、SiC微粉、碳黑粉末為原料的試樣經(jīng)1600。Cx3h熱處理后能合成A14SiC4，但A14Sic4的純度不高，試樣中含有金屬A1、A1N等雜相。且當碳黑過量20％時，試樣中觸SiC4的含量最高。(2)在埋炭氣氛下，試樣周圍包埋金屬Al粉和0c．Ah03粉的混合粉時，根據(jù)AhSiC4的化學組成，以金屬Al粉、SiC微粉、碳黑粉末為原料的試樣經(jīng)1600。C×3h熱處理后能合成汕SiC4，且其純度比較高，試樣中的雜質相主要為A1N
6、。且當碳黑過量20％和燒成溫度為1700。C時，試樣中AhSiC4的含量可達80％以上。而當以活性碳粉代替碳黑，各原料以AhSiC4的化學計量組成配料時，試樣經(jīng)1600"Cx3h熱處理后，試樣中AhSiC。的含量最高?？梢姡曰钚蕴挤圩鳛镃源時，能降低AhSiC4的合成溫度。(3)電子探針分析結果表明，以本方法合成的AhSiC4顆粒多為不規(guī)則片狀結構。當合成溫度為1600。C時，合成的AhSiC4顆粒近似圓片狀，直徑在3．10“m之間，厚度在0．51un左右。當合成溫度為1700。C時，合成的圓片狀A14SiC4顆粒邊緣開始
7、出現(xiàn)棱角，直徑在5-8p,m之間，厚度在lp．m左右?？梢?，隨著合成溫度的升高AhSiC4顆粒大小更加均勻化且向六方形片狀轉變，促進了顆粒的發(fā)育。關鍵詞：A14SiC4，埋炭氣氛，熔滲燒結法，合成機理山東科技大學碩士學位論文ABSTRACTABSTRACTA14SiC4isonekindofrefractorymaterialswkhhighstrength，highmeltingpoint，goodchemicalstability,lowthermalexpansioncoefficientandgoodhydratio
8、nandantioxidation，whichisprovingtoplayasanup-and—comingandfurtherdevelopedmaterial．Atthisstage，therearetwomainmethodsforsynthetizingAhSiC4：Oneiss
