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《埋炭氣氛下熔滲燒結(jié)合成al4sic4論文》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫(kù)。
1、SYNTHESIS0FAL4SIC4BYINFIIJTRATION．SINTERINGINBUlUEDCARBONATMoSPHEREADissertationsubmittedinfulfillmentoftherequirementsofthedegreeofMASTEROFPⅢLOSoPHYfromShandongUniversityofScienceandTechnologyYinMingqiangSupervisor：AssociateprofessorZhangZhihuiCollegeofMaterialsSc
2、ienceandEngineeringMay2013聲明本人呈交給山東科技大學(xué)的這篇碩士學(xué)位論文，除了所列參考文獻(xiàn)和世所公認(rèn)的文獻(xiàn)外，全部是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下的研究成果。該論文資料尚沒有呈交于其它任何學(xué)術(shù)機(jī)關(guān)作鑒定。碩士生簽名：日AFFIRMATIoNIdeda豫thatthisdissertation，submittedinfulfillmentofthe托quirementsfortheawardofM嬲terofPhilos叩hyin。Shand．ongncUendive。rsaitcyl‘no刪fSlceidengec
3、．eThandeTechnology,iswhollymyownworkunlessreIere眥陽(yáng)oi礬刪州肺喵‘：1I：。do伽n讎th嬲notbeensubmittedforqualificationatanyotheracad哪lcSignature：Date：山東科技大學(xué)碩士學(xué)位論文摘要摘要AhSiC4具有強(qiáng)度大、熔點(diǎn)高、化學(xué)穩(wěn)定性好、熱膨脹系數(shù)低以及良好的抗水化和抗氧化性能，這使其成為一種很有前途的、有待于進(jìn)一步開發(fā)的高性能耐火材料和高溫結(jié)構(gòu)材料?，F(xiàn)階段，國(guó)內(nèi)外主要有兩種合成AhSiC4的方法：一種是固．固合成，
4、如熱壓燒結(jié)法、固相反應(yīng)燒結(jié)法等；另一種是固．液合成，如電弧焊法、滲透法等。盡管目前采用這兩種合成方法能合成較純的AhSiC4，但由于對(duì)合成氣氛有嚴(yán)格要求，且合成溫度高，很難實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)，使其應(yīng)用受到很大限制。鑒于此，本論文提出在埋炭條件下，采用熔滲(鋁)燒結(jié)工藝合成AhSiC4的新工藝。本文以不同Al源、SiC和不同C源為原料，在埋炭條件下，采用熔滲燒結(jié)法合成AhSiC4。通過熱力學(xué)計(jì)算，結(jié)合X射線衍射(XRD)物相分析、電子探針(EPMA)分析，研究了原料種類、燒成制度、包埋情況等工藝因素對(duì)合成AhSiC4的影響，經(jīng)分析
5、得到如下結(jié)論：(1)在埋炭氣氛下，試樣周圍只包埋金屬Al粉時(shí)，根據(jù)AhSiC4的化學(xué)組成，以金屬砧粉、SiC微粉、碳黑粉末為原料的試樣經(jīng)1600。Cx3h熱處理后能合成A14SiC4，但A14Sic4的純度不高，試樣中含有金屬A1、A1N等雜相。且當(dāng)碳黑過量20％時(shí)，試樣中觸SiC4的含量最高。(2)在埋炭氣氛下，試樣周圍包埋金屬Al粉和0c．Ah03粉的混合粉時(shí)，根據(jù)AhSiC4的化學(xué)組成，以金屬Al粉、SiC微粉、碳黑粉末為原料的試樣經(jīng)1600。C×3h熱處理后能合成汕SiC4，且其純度比較高，試樣中的雜質(zhì)相主要為A1N
6、。且當(dāng)碳黑過量20％和燒成溫度為1700。C時(shí)，試樣中AhSiC4的含量可達(dá)80％以上。而當(dāng)以活性碳粉代替碳黑，各原料以AhSiC4的化學(xué)計(jì)量組成配料時(shí)，試樣經(jīng)1600"Cx3h熱處理后，試樣中AhSiC。的含量最高?？梢?，以活性碳粉作為C源時(shí)，能降低AhSiC4的合成溫度。(3)電子探針分析結(jié)果表明，以本方法合成的AhSiC4顆粒多為不規(guī)則片狀結(jié)構(gòu)。當(dāng)合成溫度為1600。C時(shí)，合成的AhSiC4顆粒近似圓片狀，直徑在3．10“m之間，厚度在0．51un左右。當(dāng)合成溫度為1700。C時(shí)，合成的圓片狀A(yù)14SiC4顆粒邊緣開始
7、出現(xiàn)棱角，直徑在5-8p,m之間，厚度在lp．m左右?？梢?，隨著合成溫度的升高AhSiC4顆粒大小更加均勻化且向六方形片狀轉(zhuǎn)變，促進(jìn)了顆粒的發(fā)育。關(guān)鍵詞：A14SiC4，埋炭氣氛，熔滲燒結(jié)法，合成機(jī)理山東科技大學(xué)碩士學(xué)位論文ABSTRACTABSTRACTA14SiC4isonekindofrefractorymaterialswkhhighstrength，highmeltingpoint，goodchemicalstability,lowthermalexpansioncoefficientandgoodhydratio
8、nandantioxidation，whichisprovingtoplayasanup-and—comingandfurtherdevelopedmaterial．Atthisstage，therearetwomainmethodsforsynthetizingAhSiC4：Oneiss
