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《氘在c及c-si射頻濺射共沉積層中的滯留特性研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、萬方數(shù)據(jù)氘在C及C—Si射頻濺射共沉積層中的滯留特性研究Astudyondeuteriumretentionincarbonandcarbon--siliconCO--depositedfilmsformedbyRFsputtering作者：張衛(wèi)媛指導(dǎo)老師：施立群教授單位：復(fù)旦大學(xué)現(xiàn)代物理研究所地址：上海市邯鄲路220號，200433E—mail：10210200001@fudan．edu．cn萬方數(shù)據(jù)脲、0㈣摘：要????????????????????????????????????????????????．
2、．1第一章緒論?????????????????????????????????41．1研究背景及意義????????????????????????????41．2聚變反應(yīng)堆面壁材料與等離子體的相互作用(PwI)?????????????．．51．3PFMs的性能要求和選擇????????????????????????．．91．4C／Si—C材料在聚變中的應(yīng)用??????????????????????．．111．5H在PFMs中的滯留??????????????????????????121．6H同位素滯留
3、的研究介紹???????????????????????．．131．7選題依據(jù)羽1研究內(nèi)容?????????????????????????．14第二章樣品的制備方法和表征手段??????????????????????一162．1樣品的制備方法???????????????????????????一162．1．1磁控濺射技術(shù)介紹????????????????????????162．1．2制備條件????????????????????????????172．2樣晶的表征????????????????????
4、?????????．．172．2．1離子束分析方泫(RBS、ERD)??????????????????182．22熱脫附譜(TDS)????????????????????????．202．2．3拉曼光譜(Raman)利傅里葉變換紅外顯微光譜(FTIR)???????202．2．5掃描電Ji顯微鏡(SEM)?????????????????????21第三章含D碳．硅薄膜的制備及D的滯留特性研究????????????????233．1弓I高?????????????????????????????????．?
5、????????．．233．2樣品的制備?????????????????????????????233．3薄膜樣晶的結(jié)構(gòu)分析?????????????????????????．．253．4樣品的成分和D滯留分析???????????????????????．283．5薄膜樣品的熱脫附譜(TDS)??????????????????????383．6SEM觀測結(jié)果????????????????????????????．343．7小結(jié)????????????????????????????????????????
6、???．34第四章含D的碳薄膜的制備和D的滯留研究??????????????????364．】含D的碳膜樣品的制備????????????????????????364．2離子束分析D的滯留?????????????????????????36第五章總結(jié)和展望?????????????????????????????405．1總結(jié)????????????????????????????????．40萬方數(shù)據(jù)5．2展望???????????????????????????????????????????4l參考文
7、獻??????????????????????????????????42II萬方數(shù)據(jù)摘要核聚變等離子體與面壁材料之間存在復(fù)雜的相互作用，對第一壁材料有嚴格的多樣要求，其中之一就是D、T在材料中的滯留量要低。而C碳材料因其獨特良好性能，如低z、高熔點(4043。C)、高熱導(dǎo)、吸收截面小，與等離子體兼容性好，使碳材料成為一種十分有用的候選材料。而SiC材料具有良好的高溫?zé)釋?dǎo)性、耐腐蝕、低密度，特別是輻照后低感生放射性等優(yōu)點，使SiC晶體可工作在極端條件下(超高壓、高溫)，如微電子光電材料，航天材料，核聚變面壁材料。
8、本論文開展了對核聚變第一壁材料c及c—si共沉積層中D的滯留行為的實驗研究。采用射頻磁控濺射方法，以純石墨(99．99％)和晶體硅(110)作為靶材料，純D。作為濺射氣體，在C、Si基底上進行共沉積。通過改變沉積氣體壓強、基底溫度來研究不同實驗條件下，D在共沉積層中的滯留行為和共沉積層的性質(zhì)。研究的共沉積層薄膜樣品分為2類：①以純石墨為靶材，在c、si基底上制備出含D的碳
