定向凝固多晶鑄錠的影響因素

《定向凝固多晶鑄錠的影響因素》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫(kù)。

1、學(xué)校代碼１０１２６學(xué)號(hào)；３１４４６０４７：＿＇編號(hào)：：Ｗｍｋ誦？ＩＮＮＥ反ＭＯＮＧＯＬＩＡＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ顯ｄｔ學(xué)隹繼褒ＭＡ資Ｔ抵ＲＢＩ浸浸Ｂ肢ＴＡＴＩ￡）Ｍ１Ｌ定向凝固多晶鑄錠的影響因素ｉｕｍｉ。學(xué)院：物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院專業(yè)：電子與通信工程研究方向；半導(dǎo)體光伏技術(shù)姓名；武耀祖指導(dǎo)教師；常＾學(xué)校代碼：１０１２６學(xué)號(hào)；３１４４６０４７分類號(hào)；編號(hào)；論文題目定向凝固多晶鑄錠的影響因素學(xué)院；物理科挙與巧術(shù)學(xué)院專業(yè)：由子

2、與通信工猜研究方向：半導(dǎo)化光伏巧術(shù)姓名：武耀祖指導(dǎo)教師：常虹講師２０１６年１０月１４日原創(chuàng)性聲明本人聲明：所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下進(jìn)行的研巧工作及取得的研巧成果，論文中不包含其他人己經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)過(guò)的研巧成果，也。除本文已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外不包含為獲得島菱直丈挙及其他教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書(shū)而使用過(guò)的材料一。與我同工作的同志對(duì)本研究所做的任何貢獻(xiàn)均己在論文中作了明確的說(shuō)明并表示謝意。學(xué)位論文作者簽備處指導(dǎo)教師簽名：‘心日期：ＩｌｒＬ日：ｉｎｌ２期

3、ｕＬｎｆｉ！在學(xué)期間研究成果使用承諾書(shū)本學(xué)位論文作者完全了解學(xué)校有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，目Ｐ：內(nèi)蒙古大學(xué)有權(quán)將學(xué)位論文的全部?jī)?nèi)容或部分保留并向國(guó)家有關(guān)機(jī)構(gòu)、部ｎ送交學(xué)位論文的復(fù)印件和磁盤(pán)，允、許編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索，也可采用影印、縮印或其他復(fù)制手段保存匯編學(xué)位論文。。為保護(hù)學(xué)院和導(dǎo)師的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，作者在學(xué)期間取得的研巧成果屬于內(nèi)蒙古大學(xué)作者今后使用涉及在學(xué)期間主要研巧內(nèi)容或研究成果，須征得內(nèi)蒙古大學(xué)就讀期間導(dǎo)師的同意；若用于發(fā)表論文，版權(quán)單位必須署名為內(nèi)蒙古大學(xué)方可投稿或公開(kāi)發(fā)表。、

4、ｌ學(xué)位論文作者簽名：指導(dǎo)教師簽名：鴻ｔ＇＾ｌ日期：日期：２／ｊｌ．ｌｙ內(nèi)蒙古大學(xué)碩±學(xué)位論文定向巧固多晶鑄錠的影響因素摘要多晶珪已逐步取代單晶珪成為市場(chǎng)上主要的光伏材料。目前市場(chǎng)上大部分企業(yè)為了降低成本，縮短多晶珪鑄錠時(shí)間，最大程度的追求ＤＳ塊底部的散熱量，在ＤＳ塊底部未設(shè)有增加保溫條，并且在長(zhǎng)晶末期為了增加長(zhǎng)晶速率基本采用降溫措施。但是隨著多晶市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)情況愈？要演愈烈，追求更加高質(zhì)量的多晶娃片已成為大部分企業(yè)的ｇ目的。本文針對(duì)目前鑄錠爐熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)和工藝的不完善做了進(jìn)一步優(yōu)

5、化改造，主要包括Ｗ下兩個(gè)問(wèn)題點(diǎn)：鑄錠爐熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)的改造對(duì)晶錠質(zhì)量的影響；采用長(zhǎng)晶末期反向升溫的工藝配方優(yōu)化對(duì)多晶娃錠頭料長(zhǎng)度Ｗ及收益率的影響。：得到的主要結(jié)論如下改造鑄造多晶珪中鑄錠爐的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，減?。模訅K底部散熱面積及ＤＳ塊底部保溫條和底部保溫板的距離，能使晶錠巧晶面積有所提升，同時(shí)降低了黑點(diǎn)和陰影的長(zhǎng)度，化值也有所降低。調(diào)整工藝配方，采用長(zhǎng)晶末期反向升溫的工藝，能夠使在頭部聚集的有害雜質(zhì)及時(shí)得到分凝，頭料中氧元素的含量也有所降低，同時(shí)減小了頭部低少子壽命區(qū)域，進(jìn)而降低了晶錠頭料的

6、長(zhǎng)度，提高多晶娃錠的收益率。關(guān)鍵詞：多晶娃鑄錠；雜質(zhì)；晶界；位錯(cuò)；少子壽命Ｉ內(nèi)蒙古大學(xué)碩±學(xué)位論文ＩＮＦＬＵＥＮＣ腳ＧＦＡＣＴＯＲＳＯＦ－－ＰＯＬＹＣＲＹＳＴＡＬＳＩＬＩＣＯＮＢＹＤＩＲＥＣＴＩＯＮＡＬＹＣＡＳＴＩＮＧＴＥＣＨＮＩＱＵＥＡＢＳＴＲＡＣＴ－－Ｐｏ－ｄｕａｌＫｌｌｌｌｉｌｙｃｒｙｓｌ；ａｋｓｉｌｉｃｏｎｈａｓｒａｌａｃｅｄｓｉｎｅｃｒｓｔａｓｉｃｏｎａｓｇｙｐｇｙ化ｅｍａｉｎｓｏｌａｒｃｅｌｌｍａｔｅｒｉａｌｉｎ也ｅｍａｒｋｅｔ．

7、Ｃｕｒｒｅｎｔｌｉｎｏｒｄｅｒｔｏｒｅｄｕｃｅｙ，化ｅ－ｔｈｅｃｏｓｔｓａｎｄｓｈｏｒｔｅｎ比ｅｔｉｍｅｏｆｓｏｌｉｄｉｆｙｉｎｏｌｃｒｓｔａ＾ｓｉｌｉｃｏｎｇｐｙｙｉｎｇｏｔｓａｎｄｓｐｅｅｄｕｐｔｈｅｈｅａｔｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎｏｆＤＳｂｏｔｔｏｍｂｌｏｃｋ，ｍｏｓｔｏｆｔｈｅｃｏｍａｎｉｅｓｉｎｔｈｅｍａｒｋｅｔｈａｖｅｎｏｈｅａｔｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｏｎｍａｔｅｒｉａｌ．Ｔｈｅｅｎｄｏｆｐ也ｅｉｎｏｔｉｓｏｆｔｅ

8、ｎｃｏｏｌｅｄｄｏｗｎｉｎｏｒｄｅｒｔｏｉｎｃｒｅａｓｅｔｈｅｉｎｇｏｔｓｏｌｉ出ｆｙｉｎｇｇｈｅ－－ｓｅｅｄ．Ｈｏｗｅｖｅｒｔｉｎｔｅｎｓｉｆｉｅｄｃｏｍｅｔｉｔｉｏｎｉｎｔｈｅｐｏｌｃｒｙｓｔａｌｓｉｌｉｃｏｎｐ，ｐｙｒｅｎｄｅｒｓａｈ－ｔ－ｔ－ｈｅｉｍａｒｍａｒｋｅｔｉｇｈｑｕａｌｉｙｐｏｌ